索比光伏网讯:近日，装有首批8英寸IGBT芯片的模块在昆明地铁车辆段完成段内调试，并稳定运行一万公里，各项参数指标均达国际先进水平，标志着由中国南车株洲所下属公司南车时代电气自主研制生产的8英寸IGBT芯片已彻底打破国外高端IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完全国产化。
作为电力电子装置的“心脏”，IGBT在国家战略领域中不可或缺。但是，国内IGBT技术起步较晚，受制于人，发展艰难而缓慢。国内大功率IGBT市场因此一直被国外公司垄断。
早在二十世纪六十年代初，中国南车株洲所就依靠自己的力量，培养了我国最早的半导体器件研发队伍。改革开放后，中国南车株洲所从美国西屋公司引进一条3英寸大功率半导体生产线，从而走上了一条自主开发和吸收引进相结合的道路。通过消化和吸收，中国南车株洲所逐步追赶世界先进水平，并先后成功研制出5英寸系列普通晶闸管和整流管及世界上第一只6英寸晶闸管。
2008年，中国南车株洲所下属的南车时代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司，以“资金”换“时间”，实现了在IGBT领域的第一次跨越。经过长达4年的技术消化、吸收与再创新，2012年5月，中国南车株洲所在株洲投资15亿元，建设国内第一条8英寸IGBT专业芯片线，并于2014年6月正式投产。
芯片下线后，该公司科研团队持续推动自主IGBT芯片的应用考核。今年10月，自主IGBT模块成功通过功率考核试验，并于当月底装载至昆明地铁1号线的城轨车辆。
此次试运行的IGBT模块，由南车时代电气自主研发的8英寸IGBT芯片封装而成，IGBT芯片制造、封装、测试的整套技术均在公司研制和生产。此次成功试运行，拉开了国产8英寸IGBT芯片应用于轨道交通领域的序幕，打破了国际垄断。
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