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太阳能电池的PCN分别为C1和C2；单晶和多晶电池组件的PCN分别为M1和M2；非晶硅薄膜太阳电池组件（A-Si），碲化镉薄膜太阳能电池组件（CDTE），铜铟镓硒/硫化物薄膜太阳能电池组件（CIGS）PCN分别为TF-1、TF-2和TF-3。附调查问卷表及涉案的中国制造商和出口商名单。

等诸多大型跨国公司，早已在2011年光伏产业进入寒冬之前，便将下一代的光伏技术如CdTe（碲化镉）电池以及CIGS电池等化合物薄膜电池作为晶硅组件的下一代潜在替代品，进行了产业战略布局。目前相较于这些
4GW，市场规模也将达到200亿元人民币左右，成为超越硅基薄膜组件、持平CdTe薄膜电池组件的全球最大规模薄膜组件产业之一。但是短期之内，CIGS电池组件想要成为替代晶硅组件的国际主流太阳能电池组件，形成

，国际上如三井物产等诸多大型跨国公司，早已在2011年光伏产业进入寒冬之前，便将下一代的光伏技术如CdTe（碲化镉）电池以及CIGS电池等化合物薄膜电池作为晶硅组件的下一代潜在替代品，进行了产业战略布局
，将达到4GW，市场规模也将达到200亿元人民币左右，成为超越硅基薄膜组件、持平CdTe薄膜电池组件的全球最大规模薄膜组件产业之一。但是短期之内，CIGS电池组件想要成为替代晶硅组件的国际主流

半导体材料的不同，分为：硅基薄膜太阳电池、化合物薄膜太阳电池（含Ⅱ-Ⅵ族：碲化镉-CdTe，以及扩展Ⅱ-Ⅵ族：铜铟镓硒-CIGS，铜锌锡琉-CZTS等）、有机和染料敏化太阳电池。薄膜太阳电池原材料成本低
、高性能的沉积技术的改进，以及新型互连、集成型模块，卷对卷的制造和包装方式等方面的创新和提高，以便能够成为可与晶硅电池相媲美的光伏电源形式。当前发展起来的薄膜电池，各有各自的优缺点。CdTe因其工艺

University, India 碲化镉（CdTe）是具有闪锌矿（立方）晶体结构的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物。以体结晶形式时，它是具有直接带隙=1.45eV的理想半导体，对太阳能的转换非常有用。这在原理
上使CdTe是薄膜太阳能电池应用的最好材料。根据CdTe的物理、化学、光学及电子学性质，它被认为是优良的光吸收半导体材料。它常常是把硫化镉夹在中间形成太阳能电池的p-n结。即使效率较低（16.5%），但

。LuxResearch预测，随着相关科技的持续发展，单/多晶硅（x-Si）也可以得到显著长期的发展。铜铟镓硒（CIGS）算是行业的新人。就成本同比下降幅度而言，CIGS已超x-Si与CdTe，不过，在产量与效率
mc-Si一较高下。不过，虽然目前依然无法赶超CdTe，但2017年成本很可能下降至每瓦0.64美元（0.49欧元）。鉴于低产量、产能利用率与组件效率，薄膜硅（TF-Si）是最无竞争力的技术。Lux预计

下调。这两个数字间的差异导致了许多组件制造商遭受利润损失。 150-200150.jpg" /NREL关于典型CdTe薄膜光伏" title="光伏新闻专题"光伏产品的示意图。在该设计中，产品中各层均在
带来的压力，因此各制造商需缩减成本以在未来买方市场发展条件下存活并发展壮大。该报告还表明，CdTe薄膜组件将很有可能在2017年前凭借每瓦0.48美元的优势(相对于CIGS的每瓦0.67美元)维持其最