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%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8
不低于18%和20%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12

和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池
不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12

索比光伏网讯:瑞士Empa Institute的科学家声称，通过铜掺杂，日前使CdTe太阳能电池的转换效率达11.5%。研究人员通过在CdTe电池基片上启用高真空铜蒸发，提高此前约8%的效率。对于
实验室级别CdTe电池的测试日前实现19.6%的效率，但是提高不需要透明玻璃衬底的CdTe电池业绩基片效率的努力已经成为众多研究的重点。Empa薄膜和光伏实验室负责人Ayodhya Nath

FirstSolar昨天透露，将从明年底开始，为住宅分布式市场启动一条100MW的晶体硅电池生产线，从2015年开始扩大生产。今年五月，该薄膜碲化镉(CdTe)领导者收购低成本、高效晶体硅企业
CdTe技术一直主导公共事业规模和大型商业应用的市场。该技术并不适用于占全球市场一半的住宅或小型商业市场。Tetrasun的n型硅电池日前达成第三方证实的21.4%的效率(见图2)，并旨在当2014年

索比光伏网讯:First Solar昨天透露，将从明年底开始，为住宅分布式市场启动一条100MW的晶体硅电池生产线，从2015年开始扩大生产。今年五月，该薄膜碲化镉(CdTe)领导者收购低成本、高效
。First Solar的CdTe技术一直主导公共事业规模和大型商业应用的市场。该技术并不适用于占全球市场一半的住宅或小型商业市场。Tetrasun的n型硅电池日前达成第三方证实的21.4%的效率，并旨在

索比光伏网讯:通用电气公司(GE)日前决定，取消提高其科罗拉多州奥罗拉的碲化镉(CdTe)薄膜业务的计划，取而代之向CdTe领导者First Solar(NASDAQ:FSLR)出售知识产权组合
。First Solar日前发行175万股普通股作为交易的一部分，而通用电气将持有该股份至少三年。作为交易的一部分，通用电气全球研究中心(GE Global Research)将就未来CdTe太阳能技术的

Solar公司一样，生产着使用碲化镉（CdTe）的模块。Abound Solar于2012年破产。之后，科罗拉多州公共卫生与环境部（Department of Public Health
and Environment）在Abound Solar的仓库里，发现了库存和残次品等共约十万枚CdTe型太阳能电池模块。并且，还在其他仓库发现了未经处理就放置不管的、装有镉（Cd）液体的桶，于是责令Abound

光伏电站。该公用事业公司还投资660万美元建设了Usina Tanquinho太阳能园区，这一先锋项目被用于测试各种光伏技术。该太阳能园区使用了包括无定形硅、碲化镉（CdTe）和硒化铜铟镓（CIGS）薄膜电池。园区的一部分由固定安装的太阳能阵列构成，其他部分使用了太阳追踪系统。

%，碲化镉(CdTe)薄膜电池的效率也已达到19.6%。而两种薄膜电池的全面积组件效率已超过16%，这个效率已经超过绝大多数在市场上销售的多晶硅全面积组件效率。同时，他们的制造成本也低于晶硅组件的制造成
以产能为标准，间接鼓励产能扩张，继续扶持大而不强的一些光伏企业，而且还限制了一些正在进行将新技术产业化的企业进入行业。例如，在光伏行业准入条件中，就明确规定了对CIGS和CdTe薄膜电池的产能和效率的要求

，多晶硅价格暴跌，大批晶硅太阳能电池企业破产、重组或裁员。在上述背景下，高效而廉价的碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池因其本身所固有的良好材料性能和自身实践，而被越来越多的投资者所关注，有可能成为未来光伏电池的
及砷化镓薄膜电池等）、有机和染料敏化太阳能电池三类。其中，碲化镉薄膜电池是一种以P型碲化镉（CdTe）和N型硫化镉（CdS）的异质结为基础的太阳能电池。碲化镉为Ⅱ-Ⅳ族化合物，是直接带隙半导体，光吸收

硅谷新的光伏组件安装商日前宣布工艺的提升将减少太阳能组件将近三分之一的制造成本。RSI表示，该公司已经研发出一个1.5平方米的CdTe薄膜太阳能光伏组件，这一规模是传统组件尺寸的两倍。新技术的提升使
40c/W这一成本。现已可实现该成本的RSI表示，2014年采用REEL工艺再次扩大组件的面积，将能完成40c/W成本组件的出货。RSI称，一般而言在高温环境运作限制了CdTe薄膜组件的规模，然而REEL工艺加快电镀步骤，消除了这一限制因素。