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重上30美元。　　欧盟反倾销暂告段落观望12月终裁目前市场普通生产的太阳能电池，主要分别矽体太阳能电池及硒化铜铟镓(CIGS)等化合物薄膜太阳能电池，其将光能转换为电力的能力，即转换率亦有所不同，一般以
单晶矽的转换率最高，不过成本亦为最贵，其次为多晶矽，最后为薄膜。薄膜电池虽然转换率较低，但成本同样较低。去年起光伏行业面对欧盟寻求向中国生产的光伏组件、晶体矽(例如多晶硅)及电池等征收高达47.6%的

购入德国Solibro及美国MiaSole两间CIGS太阳能薄膜的知识产权，其中集团月初更公布生产出目前世上最高转换率的薄膜电池，为技术上一大突破。集团表示未来拟于2013年及2014年建设总装机量达
明年价格有望重上30美元。欧盟反倾销暂告段落观望12月终裁目前市场普通生产的太阳能电池，主要分别矽体太阳能电池及硒化铜铟镓(CIGS)等化合物薄膜太阳能电池，其将光能转换为电力的能力，即转换率亦有

索比光伏网讯:汉能太阳能(00566.HK)就早前向大股东收购瑞典CIGS太阳能技术研究及开发公司Solibro Research AB作进一步公布，Solibro CIGS技术再向前迈进一大步，其
薄膜光伏电池的转换效率已提升至18.7%，并获德国一间独立研究机构所确认。根据Solibro之市场讯息，18.7%的薄膜转换效率是世界上CIGS薄膜小型组件中最高转换效率之一。公司指，小型组件虽然属实

扶持薄膜太阳电池技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒（CIGS）光电转换效率达20.4%，碲化镉（CdTe）薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平（20.4
：　　一、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程，促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW，而薄膜组件实际出货量只有400MW，仅占总出货量的2%。也就是说，薄膜电池

太阳电池技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种
、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程，促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW，而薄膜组件实际出货量只有400MW，仅占总出货量的2%。也就是说，薄膜电池在

持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种薄膜电池全面
：一、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程，促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW，而薄膜组件实际出货量只有400MW，仅占总出货量的2%。也就是说，薄膜电池

意指太阳能的相关设备，不过在工作项目中，目前指出了「solar industries」的相关字句，因此几乎可确定这应就是一般所指的太阳能薄膜电池了。因此苹果在资料中心伺服器与办公室
量产的版本多在10%~12% 而已，若是使用非/微晶矽电更是只有为6％～8%，而CdTe（碲化镉）的转换效率略高，约为8.5%～ 10.5%，最高的则是CIGS（硒化铜铟镓；Copper

%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于 14.5%和 15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于
单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和 20%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于 16.5%和 17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池

%; 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于 12%、12%、13%、12%。 3 (六)多晶硅电池组件和
能不低于 5000 万片; 5.晶硅电池年产能不低于 200MWp; 6.晶硅电池组件年产能不低于 200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。 (四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求

%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足
、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2 年内分别不高于3.2%和4.2%，25 年内不高于20

别不低于 16.5%和 17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于 12%、12%、13%、12%。4 （六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率
能不低于 200MWp； 7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品的要求； 2.

室气体，不会对环境造成污染。太阳能电池按照制作材料分为硅基半导体电池、 CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池、染料敏化薄膜电池、有机材料电池等。
。从当前的太阳能电池种类看，包括了晶体硅电池、薄膜电池以及其他材料电池，在本轮光伏行业历史性的拐点中，究竟哪类电池技术路线才是今后发展的方向?哪一类企业有望从本轮需求扩张潮中胜出，成为伟大的企业呢

效率分别不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13
；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；2.

光电转换效率分别不低于18%和20%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12
能不低于200MWp;6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的

的光电转换效率分别不低于16%和17%；多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
16.5%和17.5%；硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内

光电转换效率分别不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12
能不低于200MWp；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的

，多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。对新建和改扩建企业及项目
，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。此外，《条件》还对项目资源