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ZnO，由于制备的TCO表面具有一定绒度，可直接用在电池上。研究人员通过优化LPCVD沉积工艺参数获得的ZnO:B整体性能优于FTO，在此基础上获得单结非晶硅薄膜电池稳定效率达到9.1%。研究人员研究
本征非晶硅薄膜(I-A-SI:H)、P型非晶硅薄膜(p-A-SI:H)，形成光生载流子分离的p-n异质结;在硅片的背面依次沉积本征非晶硅薄膜(I-A-SI:H)、n型非晶硅薄膜(n-A-SI:H)形成

率在93-95%;而PERC电池良率在97-98%之间。异质结相比于PERC和TOPCon工艺步骤少，仅有四步，分别为：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化。理论而言，工艺步骤少，可以
异质结技术最主要的优势。异质结电池的结构决定了可以天然双面发电，工艺流程只有清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝印固化四个环节，相比8道工序的PERC电池大大简化。在技术延伸上，随着异质结技术的逐渐

非晶硅薄层所吸收。龙头制造商推动HJT组件发展HJT概念最早由三洋电机在20世纪80年代开发(三洋于2009年被松下收购)。然而，这项技术在最近几年才获得推动。当下，一家值得关注的制造商是现已被信实
收购的REC集团。那么，为什么HJT现在受到印度巨头关注，并开始发力?首先，虽然PERC是目前全球光伏行业的主力军，但HJT正迅速成为PERC的竞争对手。非晶硅是薄膜硅，与晶硅不同，它没有规则的晶体结构

利用 PN 结的原理产生光生电流，不同的是 HJT 电池的发射级是一层非常薄的非晶硅层，然而由于非晶硅本身的特性以及晶格失配产生的缺陷，使得产生的载流子在接触表面附近很容易复合，因此要在晶体硅
和非晶硅之间添加一层本征非晶硅薄层来减小载流子的复合。发展历史：从上世纪 80 年代，实验室就开始研究晶体硅和非晶硅叠加的电池，1990 年最先由日本的三洋公司提出异质结的基本结构，2015 年

非晶硅与导电膜沉积设备，增加靶材需求。●需要双面银浆，且对印刷精度要求更高。●硅片、辅材、设备需要针对性开发以及提效降本。索比咨询认为，由于HJT是一个全新的技术路线，因此在产业生态上落后于更加成熟的
一项就已功不可没。而且从产业技术趋势上看，HJT各种特性更符合技术发展规律，只是崛起仍要时间。HJT的风险在于：●龙头由于旧有产能和避险情绪，短期内放弃HJT路线，延缓HJT生态建设。●非晶硅晶向排列

。效率：IBC(叠加)TOPCon(双面)HJTTOPCon：实现了无需开孔的钝化接触，未来可升级POLO结构，双面TOPCon理论极限可达28.7%。HJT：晶体硅/非晶硅异质结形成PN结，在晶体硅
与非晶硅之间镀制有本征非晶硅钝化膜，理论极限可达28.5%。IBC：电极放在背面减少光照遮挡损失，并且使用隧穿氧化层做电子传输，未来可叠加TOPCon或HJT技术，叠加后效率上限可达29.1%。成本

非晶硅对基底表面缺陷的双重钝化作用下， HJT电池的开路电压比常规电池高很多，有利于获得更高的光电转换效率。目前HJT量产效率普遍已在24%以上(理论上HJT的最高转换效率为27.5%)，受 P
%,此后每年衰减0.25%，远低于PERC电池-的衰减(首年衰减2%,此后每年衰减0.45%)。工艺流程更简化HJT的工艺流程是目前光伏电池工艺流程中最短的，主要工艺为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、透明导电