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，开始在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜，然后再沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜。再下一步，开始制备TCO薄膜，TCO的制备主要通过物理气相沉积(PVD)技术的溅射来完成。最后，在TCO顶部进行表面金属化
处理，便可得到异质结电池。而且其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺，HJT独特的工艺在于非晶硅薄膜沉积以及TCO膜沉积。图表来源：CPIA目前国内已有多家企业积极推动异质结电池

本偏高。第二代太阳能光伏电池，主要是非晶硅薄膜太阳能电池和晶硅薄膜太阳能电池。其中非晶硅的砷化镓太阳能电池效率目前可达30%左右，但是价格昂贵，综合性价比并不高，因此多用于对性能要求很高的太空飞行
器领域。晶硅薄膜太阳能电池采用化学气相沉积或者等离子增强化学气相沉积法制备，但是硅基太阳能电池需要采用高纯度的硅材料，使光伏成本偏高。而非晶硅薄膜太阳能电池需要采用稀土元素且制备过程中环境污染严重

，帮助读者正确把握和判断异质结电池成本降低前景。本文将分析用于沉积非晶硅薄膜和TCO透明导电层的沉积设备企业2020年最新进展。设备成本决定异质结产线投资额，而沉积设备占据设备成本的主要份额

1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术 HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池
，Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准

硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损伤。 ③获得较高的转换效率
58.3亿元，制绒设备市场空间为25亿元。 HJT电池设备以国外为主，国产企业加速国产化。HJT电池的生产流程包括制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO(透明氧化物导电薄膜)沉积、丝网印刷四步。对各个环节的

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下： 01 制绒清洗机：电池正反面制绒 02 等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，沉积反面沉积

逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
正反面制绒 02、等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，沉积反面沉积本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下： 01、制绒清洗机：电池正反面制绒 02、等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，沉积反面沉积本征

(低于 200℃)，可降低制造流程中的能耗及对硅片的热损伤;6)温度系数低，在高温及低温环境下均具备较好的温度特性。以 N 型硅片为衬底，经过制绒清洗后，在正面依次沉积 5-10nm 本征非晶硅薄膜
和掺杂 P 型非晶硅薄膜，与硅衬底形成异质结，背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜，最后在正背表面

减少了扩散、刻蚀及烧结 3 个步骤，核心工艺为非晶硅薄膜沉积，PECVD 中非晶硅的生长可以看作是含硅的基团在衬底表面上的扩散与吸附，包括本征非晶硅的沉积与钝化以形成高质量的异质结面钝化层、掺杂非晶硅
沉积(N 型)以形成发射极和背表面场、TCO 沉积以提供高导电率的电荷输运通道。异质结整个生产工艺主要为制绒、非晶硅薄膜沉积、丝网印刷、分选四个步骤。 3、降本空间大使用

技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大规模生产能否顺利进行，存在不确定性。异质结(HIT/HDT)是N型电池的技术路线
之一，在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的独特构成，使其综合了晶硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率光伏电池的热点方向之一。目前行业内关注并研究异质结电池技术的企业有日本松下(量产规模1000MW)、美国