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，生产设备是光伏产业的支柱。然而，由于制造商取消或推迟产能扩张计划，供应商已经能够理解为什么销售额会减少和利润降低了。该报告的作者表示，尽管2012年全球产能利用率很低-55%用于晶体硅(x-Si) 组件
设计损失10%到12%的绝对效率(最高潜力效率)，而模块制造业仍然是不必要的劳动密集型产业。电池使用这种高效率技术作为内部异质结(HIT)，钝化发射器电池(PERC)，选择性发射器(SE)，交叉型接触

告的作者表示，尽管2012年全球产能利用率很低-55%用于晶体硅（x-Si）组件生产；70%为碲化镉（CdTe）电池；和80%的铜铟镓硒化（CIGS）电池生产光伏设备制造商有许多转机生存
技术作为内部异质结（HIT），钝化发射器电池（PERC），选择性发射器（SE），交叉型接触（IBC）和金属包扎技术（MWT）。这部分有60-70%新的销售额。托尔说，PERC和IBC技术获利于钝化的铝

，按300MW晶硅太阳能电池线及400MW组件线、60MW非晶硅薄膜太阳能电池线、80MW高效太阳能电池线的产能规模进行建设。产品包括晶硅电池、高效异质结电池、薄膜电池以及砷化镓聚光电池。公司产品
晶体硅和薄膜太阳能光伏电池是现在乃至未来十年的两大主要技术阵营，晶体硅太阳能电池以高转化效率在过去和现在都主导着光伏市场。而薄膜电池在原有转化效率上突破性的进展以及相对低廉的成本在近两年吸引了投资者

薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术。（四）薄膜电池重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发5.5代以上大面积高效率硅薄膜电池，开发柔性
。（四）新工艺、新技术快速演进，国际竞争不断加剧全球光伏产业技术发展日新月异：晶体硅电池转换效率年均增长一个百分点；薄膜电池技术水平不断提高；纳米材料电池等新兴技术发展迅速；太阳能电池生产和测试设备

，提高质量，实现关键配套材料的国产化，进一步降低太阳电池生产成本。 2、太阳电池 晶体硅高效电池方面，国际发达国家商业化效率已达20%以上，我国仍处于空白状态；薄膜电池方面，非晶硅/微晶硅叠层电池和国际上
有差距，国际上已经产业化的碲化镉薄膜和铜铟镓硒薄膜电池，在我国还没有商业化生产线；新型电池仍然没有掌握国际上已经产业化的薄膜硅/晶体硅异质结电池、高倍聚光电池、柔性电池的中试和生产技术，染料敏化电池也

最受业界追捧的奖项之一。之前，共有37家不同的公司获得了这一殊荣，其中包括世界领先的电气制造商和IT公司。松下成为第五家斩获这一大奖的日本公司。松下的HIT太阳能电池拥有一个由非晶硅和晶体硅组成的独特的
IEEE企业创新奖(IEEE Corporate Innovation Award)。松下因开发并商业化高性能异质结太阳能技术(HIT)而受到IEEE的表彰。IEEE是全球最大的专业协会，致力于推动

天生就有一种渴望支配和获取更多能源的本能，这就是人性的贪婪或者说是进取精神。当你有能力支配更多的能源时，你就能够吃上更精美的食物，住上更豪华的房子，体验到更完美的旅行。晶体硅电池发展的趋势是低成本发电，这是
光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。目前的电池光电转化效率，多晶硅约16%，非晶硅薄膜约9%。成本的

索比光伏网讯:三洋双面HIT电池结构图晶硅/非晶硅异质结结构：增加开路电压，提高转换效率光伏" title="光伏新闻专题"光伏技术：HIT电池工艺制程1.硅片清洗制绒2.正面用PECVD制备本征
晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。

清洁度更高，同时抑制了非晶硅层形成时对单晶体硅表面产生的损伤。通过这些改良，这种电池的电能输出功率损失下降，开路电压得到了提高。HIT太阳能光伏电池优异的温度特性HIT太阳能光伏电池Voc越高输出特性的
HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性（0.4V附近）的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量

HIT太阳能光伏电池单晶体硅的表面清洁度更高，同时抑制了非晶硅层形成时对单晶体硅表面产生的损伤。通过这些改良，这种电池的电能输出功率损失下降，开路电压得到了提高。HIT太阳能光伏电池优异的温度特性
索比光伏网讯:HIT太阳能光伏电池的伏安曲线分析HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性(0.4V附近)的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而

，提高质量，实现关键配套材料的国产化，进一步降低太阳电池生产成本。2、太阳电池晶体硅高效电池方面，国际发达国家商业化效率已达20%以上，我国仍处于空白状态；薄膜电池方面，非晶硅/微晶硅叠层电池和国际上有差距
，国际上已经产业化的碲化镉薄膜和铜铟镓硒薄膜电池，在我国还没有商业化生产线；新型电池仍然没有掌握国际上已经产业化的薄膜硅/晶体硅异质结电池、高倍聚光电池、柔性电池的中试和生产技术，染料敏化电池也需要

产业化的MW级薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池产业化关键技术课题项目目前中试顺利，计划今年6-8月进入安装调试阶段。在该项目中承担技术牵头人角色的中国国际科技促进会理事、上海超日战略发展研究员彭德香告诉
记者，目前中试阶段已经实现电池片转换率超20%，并且按照当前进度，薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池项目明年将有望实现产业化。中试线计划6-8月安装调试据2011年3月23日《上海超日

工信部近期印发《太阳能光伏产业十二五发展规划》。《规划》提出，单晶硅电池的产业化转换效率达到21%，多晶硅电池达到19%，非晶硅薄膜电池达到12%，新型薄膜太阳能电池实现产业化。关注薄膜硅/晶体硅
异质结等新型太阳能电池成套关键技术。未来高效电池将是产业发展主导方向，准单晶技术，高效电池等将在未来得到大规模发展。目前A股涉及准单晶和高效电池研发企业有：精功科技(准单晶)、超日太阳(异质结)。《规划

、等离子体钝化技术、低温电极技术、全背结技术的研究及应用。关注薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术；重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发5.5代以上
，还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、99%，平均综合电耗低于120度/公斤。单晶硅电池的产业化转换效率达到21%，多晶硅电池达到19%，非晶硅薄膜电池达到12%，新型

、选择性发射极技术及后续的电极对准技术、等离子体钝化技术、低温电极技术、全背结技术的研究及应用。关注薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术。（四）薄膜电池重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结
倾销疑虑；三是我国相关标准体系尚不完善，存在产品质量水平参差不齐等问题。（四）新工艺、新技术快速演进，国际竞争不断加剧全球光伏产业技术发展日新月异：晶体硅电池转换效率年均增长一个百分点；薄膜电池

、激光选择性发射极技术及后续的电极对准技术、等离子体钝化技术、低温电极技术、全背结技术的研究及应用。关注薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术。(四)薄膜电池重点发展非晶与微晶相结合的叠层和
)新工艺、新技术快速演进，国际竞争不断加剧全球光伏产业技术发展日新月异：晶体硅电池转换效率年均增长一个百分点;薄膜电池技术水平不断提高;纳米材料电池等新兴技术发展迅速;太阳能电池生产和测试设备不断升级

的研究及应用。关注薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术。(四)薄膜电池重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发5.5代以上大面积高效率硅薄膜
问题。(四)新工艺、新技术快速演进，国际竞争不断加剧全球光伏产业技术发展日新月异：晶体硅电池转换效率年均增长一个百分点;薄膜电池技术水平不断提高;纳米材料电池等新兴技术发展迅速;太阳能电池生产和测试设备