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(背面的高低结亦然)。在电池新技术方面，异质结电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势
，开始在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜，然后再沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜。再下一步，开始制备TCO薄膜，TCO的制备主要通过物理气相沉积(PVD)技术的溅射来完成。最后，在TCO顶部进行表面金属化

表示，正在密切追踪硅基钙钛矿叠层电池技术动向并展开布局。作为N型单晶双面电池领导者，中来光电也瞄准这一领域，与南京大学及姜堰经济开发区合作设立先进光电技术研究院，加快新一代钙钛矿/TOPCon叠层电池等

目前文献报道的钙钛矿太阳电池器件大部分都是基于多晶钙钛矿薄膜，因为多晶结构制备工艺较为简单，但多晶薄膜存在大量缺陷且结构稳定性较差。相比之下，单晶钙钛矿薄膜无晶界缺陷极少，因此具备更加优异的电荷传输

实现了小批量生产，但规模量产仍需要一定时间。钧石能源起步较早，作为设备供应商有研发和量产硅基薄膜太阳能电池生产线的经验，于 2010 年开始研发高效单晶异质结电池，在 2016 年建成 100MW
技术专利，2013 年 8 月完成 PERC 单晶电池的试制，2014 年 6 月成功量产 PERC 电池;中电光伏于 2013 年 6 月进行量产，2014 年 7 月实现批量化稳定生产。综合来看

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤

逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤如下： 01、制绒清洗机：电池

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤

光伏生产最重要的就是电池制造。硅电池在光伏发电中有重要作用，无论是晶硅电池还是薄膜硅电池。在晶硅电池中，由高纯度的单晶/多晶切成电池用的硅片，利用激光来精确地切割、成型、划线，制成电池后再组串
太阳能供应链并确保质量稳定。薄膜烧蚀薄膜太阳能电池依靠气相沉积和划片技术选择性烧蚀某些层以实现电隔离。薄膜的各层需要快速沉积，而又不影响到基底玻璃和硅的其他层。瞬间的烧蚀会导致玻璃和硅层上的

、生产规模逐步扩大，60片单晶PERC组件功率达到320W。与此同时，我国光伏企业在PERC、TOPCon、异质结、IBC等高效晶硅电池生产技术、薄膜电池技术研发上先后取得突破，并不断刷新世界记录
。前沿技术方面，钙钛矿电池研发效率不断取得突破，纤纳光电在其20MW量产线上生产出了转换效率达到14.3%的钙钛矿薄膜组件，2019年先后两次刷新世界纪录，并被美国国家

%左右，这是1989年shockley等学者论证过的，目前产业里大家比较认可的实现路径是HIT+钙钛矿做叠层电池。近期钙钛矿电池也有比较大的进步，世界纪录已经在中国，其成熟时间可能比预期的早，因此现在
。异质结电池结构和生产工序。异质结电池以N型硅片做衬底，先清洗干净制作金字塔绒面，然后再两侧分别沉积本征非晶硅薄膜，起到钝化硅片两侧悬挂键的作用，然后再接着沉积掺杂非晶硅，制成PN结，PN结就是

%：含本征非晶硅薄膜的非晶硅/晶体硅异质结(HIT/HJT)电池由于非晶硅薄膜优秀的钝化效果，转换效率近年在晶硅电池中位居前列，纯HJT电池的实验室转换效率已达到25.11%。异质结是平台级技术，技术
与工艺的延展性拓展提效空间：除提升自身性能之外，HJT电池可通过与其他技术路线或工艺的叠加提高转换效率。目前结合IBC结构的HBC电池已实现实验室26.63%的转换效率，与钙钛矿组成的叠层电池转换效率

其中的佼佼者。异质结电池在1997年实现量产：20世纪80-90年代，日本Sanyo(目前已被松下收购)首次将本征非晶硅薄膜用于非晶硅/晶体硅异质结光伏电池，在P型非晶硅和N型单晶硅的p-n
转换效率突破25%：含本征非晶硅薄膜的非晶硅/晶体硅异质结(HIT/HJT)电池由于非晶硅薄膜优秀的钝化效果，转换效率近年在晶硅电池中位居前列，纯HJT电池的实验室转换效率已达到25.11%。异质结是

的平台级技术自20世纪80至90年代日本Sanyo研发出并确定本征非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构之后，异质结电池(HJT/HIT)的转换效率即在晶硅太阳能电池中位居前列，近期未叠加其他技术的
结构天然的双面发电能力(亦可牺牲双面性兼容IBC工艺成为HBC结构)、TCO层可叠加钙钛矿涂层等多项传统电池结构无法具备的固有优势决定了HJT异质结可以被认为是下一代晶硅太阳能电池的平台级技术，目前