光伏咨询搜索-索比光伏网

硅表面的光反射损失在损失比例中占了相当大的比重。为了降低光反射损失，通常会采用化学腐蚀法在电池表面制作绒面结构，可将电池表面的反射率降低到10%以下。
通过制作钝化层，可阻止载流子在一些高复合区域（如电池表面、电池表面与金属电极的接触处）的复合行为，从而提高电池的转换效率。一般会采用热氧钝化、原子氢钝化，或利用磷、硼或铝在电池的表面进行扩散钝化。

除了RIE还有其他制作黑硅的方法，如激光制绒、金属催化湿化学刻蚀、等离子体浸没离子注入等。黑硅在太阳能电池应用中的一个难题是黑硅表面面积增大而导致表面复合速率增大，进而造成短波段的光谱响应变差。
黑硅表面等离子辅助原子层沉积（PA-ALD）10nm厚的Al2O3，背面通过PassDop工艺进行钝化。PassDop工艺包括PECVD沉积磷掺杂非晶SiCx：H层，在钝化层表面激光开槽形成接触点。

采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)沉积的SiNx厚度为80nm、折射率为2.05。最后丝网印刷、烧结制备成电池。表1制备黑硅的条件通过AFM研究了黑硅的表面微观结构和表面面积。
本研究采用等离子体浸没离子注入法成功制备出具有不同绒面结构的多晶黑硅。利用原子力显微镜（AFM）、分光光度计和量子效率测试仪分别对黑硅的表面结构、反射率和内量子效率进行了分析研究。

氮化硅除了可以饱和表面悬挂键，降低界面态外，还通过自身的正电荷，减少正面n型硅中的少子浓度，从而降低表面复合速率。
沉积后，硅片靠近表面由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动，电子只能向后表面移动。相反的对空穴来说，虽然本征层对空穴有一个小的阻挡，但由于本征层很薄，空穴可以隧穿然后通过高掺杂的p+型非晶硅。

反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。
传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。但研究发现表面杂质浓度过高导致扩散区能带收缩、晶格畸变、缺陷增加、死层明显、电池短波响应差。

反应离子刻蚀技术（RIE）是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK（掩膜）再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。
传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。但研究发现表面杂质浓度过高导致扩散区能带收缩、晶格畸变、缺陷增加、死层明显、电池短波响应差。

等离子体是金属中自由电子的集体运动，它们强烈的吸收和散射光。表面等离子体的最生动的例子之一便是一些中世纪教堂中的拥有繁多色彩的玻璃窗，那是因为金纳米颗粒吸收和散射可见光而显现出来的效应。
《科学》杂志刊载了这种基于等离子体的新方法等离子体是金属的光学性质中表现出来的一种特别的电子运动。

秘密就在于用干法制绒的多晶硅表面，可以吸收更多阳光。公司研发部主管刘浩介绍说，普通方法生产的多晶硅表面放大后呈连续的M状，而干法制绒的多晶硅表面呈U状，阳光更容易陷进去，却逃不出。
公司创始人兼CEO上官泉元多年来从事微电子行业高端制造装备技术研究，公司基于自主研发的线性等离子源技术，成功开发出了Tysol-RIE系列干法制绒设备。

PET基膜上，形成FFC涂层氟膜，并采用等离子体氟硅氧烷化表面接枝技术对FFC涂层氟膜进行表面修饰，开发出中等表面能四氟型太阳电池背膜。
，含氟材料为难粘结材料，为保证其在高温、高湿、紫外、盐雾等复杂老化环境下具有较高的粘结性能，需改善其表面性能，并提高其阻隔性、电气绝缘性和耐化学性，若不能得到改进，生产的背膜将无法满足太阳能电池组件25

待沉积的样品在等离子区域之外，等离子体不直接打到样品表面，样品或其支撑体也不是电极的一部分。
间接法又分成两种：（1）微波法：使用微波作为激发等离子体的频段。微波源置于样品区域之外，先将氨气离化，再轰击硅烷气，产生SiNx分子沉积在样品表面。

氮化硅除了可以饱和表面悬挂键，降低界面态外，还通过自身的正电荷，减少正面n型硅中的少子浓度，从而降低表面复合速率。
沉积后，硅片靠近表面由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动，电子只能向后表面移动。相反的对空穴来说，虽然本征层对空穴有一个小的阻挡，但由于本征层很薄，空穴可以隧穿然后通过高掺杂的p+型非晶硅。

PECVD：通过微波电能使反应气体电离，在局部形成等离子体，在基片上沉积出氢氮化硅薄膜。增强对光的吸收性的同时，对太阳电池起到很好的表面和内部钝化作用，提高电池的短路电流和开路电压。
通过制绒增加硅片对太阳光的吸收，同时能去除硅片表面的机械损伤层，清除硅片表面的油污和金属杂质。扩散：通过气体携带的磷源在高温下分解，在P型基底上进行N型磷扩散，形成PN结。

P型硅（BSF）在渗透时大量铝原子的出现直接变换了邻近表面，一旦烧结峰值温度达到最大值，液体溶解就会达到饱和。当接触面积太大时，更多的存在铝粒子的硅表面相互作用，位于界面中间部分的熔融物会迅速饱和。
抛光的Czochralski P型硅片，电阻率为1.50.5cm，覆盖着用加强等离子体化学蒸汽沉积的介质绝缘层。

等离子体辅助工艺是占主导地位的抗反射涂层（ARC）技术，但我不知道对于后电解质也会如此，因为也可能是别的什么技术。
我们在PERC上得到了性能大爆发，因为我们可以接触到之前只有铝表面场时无法接触的电压。目前PERC性能余量可能有5％或10％，但我觉得这有可能会增长。