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，除了在背面形成理想的AlOx薄层外，会在正面SiNx减反层上也形成一薄层AlOx，这对正银浆料蚀刻SiNx/AlOx叠层和与发射极形成良好的欧姆接触产生了巨大挑战。对于正银浆料和双面氧化铝钝化失配最
Taiwan 2017)期间宣布推出全新一代DK92正银技术平台，率先兼容包括双面氧化铝钝化在内的各类PERC背钝化镀膜技术与工艺，包括原子层沉积ALD(包括空间区隔式ALD、基于加工时间式 ALD即

。 MWT，全称是metal Wrap-through(金属缠绕穿透)，该技术的主要特点就是通过在电池上设计贯穿电池片的孔洞，用导电浆料将这些空洞填充并引到电池的背面，背面的相应区域与背电场
进行隔离。这样电池正、负电极均位于电池的背面，故称为金属缠绕背接触技术。但MWT的路并不那么容易走，在历时两年多，开发了匹配背后电路的导电背板、绝缘层、导电胶和完成设备改进之后，张博士终于带领日托

世界纪录;黑硅制绒、背面钝化(PERC)、N 型双面等高校晶硅电池技术产业化加速，2016 年年底产能已超过 10GW。 2016 年全球各地区光伏新增装机容量占比数据来源：公开资料、智研咨询整理
、先进技术研发加快阶段，先进晶体硅电池技术研发多次打破世界纪录;黑硅制绒、背面钝化(PERC)、N 型双面等高校晶硅电池技术产业化加速，2016 年年底产能已超过 10GW。 2016 年全球各地区光伏

功率保证保险。中来股份自专注高效光伏电池与组件以来，始终立足于创新技术的研发与应用。通过采用离子注入、硼扩散、ALD钝化与新一代二次印刷多种技术的叠加，中来成功研发出了正面转换效率大于22%的
单晶硅N型双面电池，背面转化效率则超过19%，60片电池组件正面可输出功率330W，背面可实现10%~30%的发电量增益，综合输出功率可达380W。N型双面技术极大地拓展了晶硅电池的应用空间，并使度电成本

电池原理是背面结;PERC是Passivated Emitter Rear Contact，钝化发射极及背局域接触电池;双面电池是两面受光。至于MWT，全称是metal
应力和微裂纹始终存在。所以科学家们就想：能不能在电池背面做做功夫? 当然可以。目前在电池背面做功课的技术有：MWT、EWT和IBC、PERC、双面电池等等。其中EWT是发射结缠绕穿透;IBC

晶圆、和低模组封装损失、可双面发电等多种优点，成为次世代最被看好的电池技术。而IBC电池，P-N结和电极全部置于电池背面，消除了电池正面栅线的遮光，增加转换效率，可达到23%以上。但其制程复杂，机台
制程不同，需增加薄膜沉积机台。要制作非晶硅与晶体硅沉积，对制程环境要求严格。除此之外，磷扩散制程需要达到适合洁净度要求、并有效的钝化。 ◆低温模组封装技术：由于HJT电池的低温制程特性，不能采取传统

晶格结构相当均匀，这样的结构意味着能够更容易地对其进行钝化，进而大幅提升电池转换效率。今天所看见的只是一个开端，1366科技将继续以更快的速度提升效率。事实上，目前的效率已经领先于很多业内其他企业了
结构，并且纯度更高。这意味着1366科技能够更容易地对其钝化来实现卓越的电池转换效率。如之前提到的，新的电池转化效率得益于PERC技术。PERC技术日益成为行业主流，1366科技也会继续刷新纪录。除此

电效率衰减小、可使用薄型化硅晶圆、和低模组封装损失、可双面发电等多种优点，成为次世代最被看好的电池技术。而IBC电池，P-N结和电极全部置于电池背面，消除了电池正面栅线的遮光，增加转换效率，可达到23%以上
型电池制程不同，需增加薄膜沉积机台。要制作非晶硅与晶体硅沉积，对制程环境要求严格。除此之外，磷扩散制程需要达到适合洁净度要求、并有效的钝化。◆低温模组封装技术：由于HJT电池的低温制程特性，不能采取