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发电机的廉价手段，可更快地实现电气化，而不是坐等电网等基础设施的发展。　　七、3M扩建超级太阳能防护膜美国生产基地6月21日，3M公司宣布其位于美国密苏里州哥伦比亚地区的3M 超级太阳能防护膜（Ultra
防护膜的产品性能，还要大幅降低生产成本，从而进一步帮助我们的客户制定出针对商业屋顶市场并具有竞争力的光伏解决方案。下一

联合设立光伏材料公司，涉足太阳能用背膜、背板的生产制造。尽管公司表示行业低谷正是介入良机，合资公司投产也是至少在一年半之后，光伏材料产品未来存在着进口替代的机会，不过，业内人士在分析光伏业上市公司
业绩表现后，对中天这一新投资的前景预期偏向保守。　　7000万元投资太阳能电池背膜　　A股光纤光缆厂商中天科技7日公告称，出资7000万元设立中天光伏材料有限公司，持股70%，上海交通大学太阳能研究所

(上海)展览会上，我们编辑与贺利氏光伏事业部的全球总裁Andy London及贺利氏光伏事业部全球技术副总裁张伟铭博士先生进行了面对面的交流，带领大家走进这家全球光伏厚膜银浆行业的巨头，展示其持续创新的
发展之路，对光伏市场的展望，以及其深刻的中国情结。贺利氏在光伏厚膜银浆这个行业的处于一个什么样的位置?在全球的布局和目前整个产能情况怎么样?市场份额怎样?Andy London：贺利氏进入光伏厚膜银浆

贺利氏光伏事业部的全球总裁Andy London及贺利氏光伏事业部全球技术副总裁张伟铭博士先生进行了面对面的交流，带领大家走进这家全球光伏厚膜银浆行业的巨头，展示其持续创新的发展之路，对光伏市场的展望，以及
其深刻的中国情结。　　OFweek太阳能光伏网：贺利氏在光伏厚膜银浆这个行业的处于一个什么样的位置？在全球的布局和目前整个产能情况怎么样？市场份额怎样？　　Andy London：贺利氏进入光伏厚膜

索比光伏网讯:丝网印刷是太阳能电池制造的重要工艺，它质量的好坏会对太阳能电池的性能特别是电性能产生重要影响。在太阳能电池的一般生产工艺中，经过扩散制结，等离子刻蚀去周边和PECVD制减反膜，下一工艺
改进，使该工艺水平大幅度地提高，可以将栅线宽度降到50微米左右，膜厚提高到20微米左右，通过对浆料的改进，使太阳能电池的参数得到明显的改善。7.1丝网印刷的工作原理太阳能电池的印刷电极，最早是采用真空

，然后烧结可以使N型层返回到P型。去周边用激光切割的方法或等离子体刻蚀法。激光切割可以在太阳电池电极印刷和烧结结束后进行。激光切割去周边时必须把激光束照在背电极上，而且不能让激光把硅片击穿，必须控制好激光
完全利用化学反应完成，故称之为化学性刻蚀。此刻蚀方式与前面所述的湿法腐蚀类似，只是反应物的状态从液态变成了气态，且以等离子来促进反应速度。所以化学性刻蚀与湿法腐蚀有类似的优缺点，对掩膜、基底有较高的选择

确实有很多的创新和发明。比如说这种选择式的电机，我们也看到，LBSF这是铝的局部的（背场）的技术，我们也看到更多的N形的硅。还有看一下这种类单晶的多晶的晶片。还有就是关于这种激光，这是硅片的技术，激光搀杂
。我们现在使用这种激光来做这样的一个电介膜的这样一个工艺。这个技术我们前面谈到了，这是铝度层背板的技术，我们认为我们使用这种在线的扩散的技术，因为这样的一个新的技术，可以看到整个的效率

，这些都是非常重要的。我们还要引入一些新的太阳能转化的理念，在我们硅晶片的领域我们看到确实有很多的创新和发明。比如说这种选择式的电机，我们也看到，LBSF这是铝的局部的（背厂）的技术，我们也看到更多的N形
了这样的测试。还有可以看到，这是一个激光的电介质膜，可以看到在这个结构上面有这样的一个激光。我们现在使用这种激光来做这样的一个电介膜的这样一个工艺。这个技术我们前面谈到了，这是铝度层背板的技术，我们认为

、生活中很可能成为替代煤和石油的重要能源之一。图1：非晶硅薄膜太阳能电池图2：非晶硅薄膜太阳能电池的层叠结构图3：非晶硅薄膜太阳能电池生产的主要设备和工艺流程图4：将连续的膜层细分为单个电池图5：在单个
。非晶硅的原料是晶硅太阳能电池生产中西门子法生产多晶硅之前的硅烷气体，通过在硅烷（SiH4）中掺杂乙硼烷（B2H6）和磷化氢（PH3）等气体，在低成本基板上（玻璃、不锈钢）低温成膜，避开了成本最高和技术

政治决心和因过度投资和经济下滑带来的产能过剩。同时，光伏三代技术中的多晶硅、薄膜、聚光技术之间存在竞争和博弈关系，其核心在于各自技术的转换效率和生产成本。南洋科技看好公司拓展太阳能背材膜等高端薄膜
推进IPO高端薄膜项目，预计将在5-6月投产;项目投产后产能将提升50%，解决目前公司高端薄膜产能不足的问题;高端薄膜毛利率高，将显著提升今年业绩。看好公司太阳能背材膜项目，明年产能释放后业绩将呈爆发

铝浆、铝浆印刷过的硅片，经过烘干使有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上，这时可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。当电极金属材料和半导体单晶硅加热达到共晶温度时，单晶硅原子以一定的比例
／min，而普通网带炉的运行速度一般只有200mm／min。高速烧结会使网带的运行平稳性变差，在电池片的背电极面造成网纹，影响外观质量，甚至会造成破片。此外，高速烧结如何在很短的时间内使网带迅速降温

索比光伏网讯:晶硅太阳能电池在70年代初引入地面应用，在石油危机和降低成本的推动下，太阳能电池开始了一个蓬勃发展时期，这个时期不但出现了许多新型电池，而且引入许多新技术。例如：（1）背表面电场
（BSF）电池在电他的背面接触区引入同型重掺杂区，由于改进了接触区附近的收集性能而增加电他的短路电流；背场的作用可以降低饱和电流，从而改善开路电压，提高电池效率。（2）紫光电他这种电池最早（1972）是为

，尤其是光伏板正面的工艺，已经接近优化的最大值，若想要突破，必然要出现革命性的技术。离子注入技术、钝化技术、选择性发射极技术、二次印刷技术、双层金属布线、选择性二极管、背接触技术都成为行业关注的第二代
光伏电池技术。笔者在应用材料公司见到第二代光伏技术的样品，与第一代产品最大的差距就是将所有金属布线后移从而减少遮盖，保证电池板能接收到更多的阳光，同时用防光膜来减少表面缺陷，减少阳光反射。据应用材料

晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti
间隙电流的产生是吸杂机制的基本因素。　　常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结形成，也可同时形成电池的背场。近几年在吸杂上的工作证明，它对高效单晶硅太阳电池及多晶硅太阳电池都会产生一定的

决定了吸杂温度的下限；②分凝模型控制了吸杂的最佳温度。另有学者提出，在磷扩散时硅的自间隙电流的产生是吸杂机制的基本因素。常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结形成，也可同时形成电池的背场
）Kysera电池日本ky0cera公司在多晶硅高效电池上采用体钝化和表面钝化技术，PECVDSiN膜既作为减反射膜，又作为体钝化措施，表面织构化采用反应性粒子刻边技术。背场则采用丝印铝奖烧结形成。电池前面栅线也