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近年TCL中环的业绩高速增长，体现出该企业由里及外、由点到面的创新能力，也是其成功应用"工业4.0"智能制造理念的结晶。一个更强大的TCL中环，正渐露峥嵘。
此外，TCL中环全球领先的单晶生长技术，也让晶体环节的硅料消耗率下降6%，单炉月产能增加19%。工业4.0，全球制造的底气TCL中环的创新不是一蹴而就的，而是得益于底层逻辑的革新。

根据东方电热内部统计的今年多晶硅还原炉的项目招标情况，公司多晶硅还原炉产品市场占有率目前约为30%至40%，且一直处于持续上升趋势。
公司的多晶硅还原炉和冷氢化用电加热器分别是高纯多晶硅生产的核心设备和主要设备，作为多晶硅生产核心设备制造企业，公司将持续受益光伏行业的高景气度，预计订单量会持续扩大。

但是由于硅烷是一种化学活性很高的气体，用西门子炉子来生长多晶硅时，结晶过程很难控制，所以没有被欧美主流多晶硅厂商采用，下图是硅烷分解生成多晶硅，温度与结晶状况分析。
然后，TCS和氢气反应沉积在高度硅芯上，这些硅芯在还原炉内被电加热至高达1150C，反应生产出四氯化硅(简称STC) 被回重新氢化成TCS，达到循环反应的目的。

新疆庆华煤制天然气项目碎煤加压气化炉单炉连续运行超过287天、甲烷化系统单套稳定运行超过265天。
在煤气化方面，多喷嘴对置式水煤浆气化技术、航天粉煤加压气化技术、水煤浆水冷壁废锅煤气化技术、SE-东方炉粉煤气化技术、神宁炉干煤粉气化技术等先进煤气化技术已经进入大型化、长周期运行阶段。

资料来源：中商产业研究院二、上游分析 1.金属硅金属硅，又称结晶硅或工业硅，金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品。
数据来源：中国有色金属工业协会硅业分会、中商产业研究院整理 3.碳化硅碳化硅是一种无机物，是用石英砂、石油焦等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金刚砂或耐火砂。

实际生产所用的结晶炉大都采用热交换法及布里曼法相结合的技术。电磁铸锭法不使用坩锅，硅料通过加料装置进入加热区，通过感应加热使硅料熔融，当硅液向下移离开加热区后，结晶生长。
布里曼法则是在硅料熔化后，将坩锅或加热元件移动使结晶好的晶体离开加热区，而液硅仍然处于加热区，这样在结晶过程中液固界面形成了比较稳定的温度梯度，有利于晶体的生长。同时，晶体的生长速度也可调节。

其中 SiO2 厚度 1-2nm，可使多子隧穿通过同时阻挡少子复合;掺杂的非晶硅厚度 20-200nm，经过退火工艺使非晶硅重新结晶为多晶硅，可同时加强钝化效果，避免了在钝化膜上激光开槽，能有效减少少子复合
3) IBC电池需要在背面制成交叉分布的P区和N区，增加了制作掩膜和激光开槽两道工序，同时由于掺杂区面积较小，采用 PERC工艺中的热扩散炉不易控制精度，需要使用半导体生产中的离子注入工艺，提高了生产的技术门槛和成本

同等条件下，RPD 技术制备的 TCO 薄膜结构更加致密、结晶度更高、表面更加光滑、导电性更高、光学透过率更好1。
工艺步骤简单但十分敏感，要求更加严苛：HJT 生产步骤仅包括制绒清洗、PECVD、PVD/RPD、丝网印刷和光注入退火五个环节，对应设备分别为制绒清洗设备、PECVD 设备、PVD/RPD 设备、丝网印刷设备和光固化炉。

在硅片制造工艺流程中，核心设备主要包括长晶炉、截断机、滚磨机、切片机及分选机，其中单晶炉价值占比最大。
硼扩是 TOPCon 生产的另一关键点，用于在 N 型硅片上形成发射极：相比于磷扩散炉，硼扩散炉需要做更多的改进和优化，硼扩所需温度高，周期长使得产能较低，同时对扩散均匀性的控制难度加大。

模拟软件优化了铸锭炉内部坩埚形状，得出将坩埚底面由平底结构改进为凸底结构，可有效解决中心区域结晶过早、边角区域结晶过慢产生的问题。
铸锭炉热场改造并进行模拟，得出改进后的热场，硅熔体结晶的轴向温度梯度增加了大约2K/cm，更有利于柱状晶的生长，同时硅熔体对流强度增大，有利于抑制结晶界面细晶的产生。

1、铸锭炉本身结构的优化铸锭炉是直接将硅料高温熔融后通过定向冷却冷凝结晶，使其形成晶向一直的硅锭的设备。
1.2 铸锭炉冷却模式改进硅的结晶速度取决于其底部石墨块的降温速度，较好的结晶速度会产生稳定的分凝速度，保证杂质的均匀析出，是生长高效多晶硅块的必经之路。

因为从中所切割出的硅片质量决定了最终太阳能电池的性能，因此，这些硅料的结晶质量备受关注。太阳能行业内所使用的硅锭指的是在高纯度坩埚内精心固化的大块硅料。
因为从中所切割出的硅片质量决定了最终太阳能电池的性能，因此，这些硅料的结晶质量备受关注。此种硅锭的制作是十分耗费资金的，几乎占到了最终太阳能电池总成本的三分之一。