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高的不足，不能满足工业化和规模化生产要求。此后，人们想到制备石墨烯未必要使用石墨，只需要设法让碳原子结成一层薄膜。化学气相沉积法（CVD）应运而生，这种方法是将乙烯或乙炔等气体导入到一个反应腔内
气体吸附特性，也让其成为新型储氢材料，可以在室温、安全压力下快速可逆地吸放氢气，较高的热稳定性。石墨烯独特的二维层状结构和良好的生物相容性，使其能很好地作为药物载体。科学家将石墨烯与抗肿瘤药物反应

，2011年1月8日，中国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备--等离子体增强型化学气相沉积设备（PECVD）在上海张江高科技园区的理想能源设备公司成功下线，并进入正泰太阳能薄膜电池生产线。这被
了创新的超高频射频技术，精密的真空和温度控制技术，快速的自动传输技术以及多腔多片的反应腔系统等，大大提高了产能，其产品性能优于国际一流设备，而价格远却低于同等的进口设备。　　转变发展方向，专注生产

/Wp，为该行业的组件生产成本创造了全球最低的新标准，同时这种薄膜硅技术和其它光伏技术相比有明显的环保优势。这种先进性得益于各种创新技术，例如用于非晶和微晶硅吸收层最优化的等离子体增强化学气相沉积技术
（PECVD）设备和工艺，以及使用更环保更有效的清洁技术的氟气（F2）的KAI反应腔，该技术清洁反应腔的速率更高，耗气量更低。这些改进都极大地降低了生产成本，缩短了生产周期并提高了生产线的效能。对研发的

磷硅玻璃等工艺。实验用到的气体有SiH4，NH3，N2。腐蚀溶液为HF酸。SiH4和NH3气体分别用于等离子体增强型化学气相沉积法沉积SiN薄膜，为安全起见，SiH4由氮气稀释至10％，NH3浓度为
的少子寿命测试仪。实验材料：材料采用P型(100)的直拉的125mmx125mm单晶硅片，电阻率约为0．5～3Ω·cm，厚度200+50μm。在实验前经过硅片清洗和制绒，磷扩散，等离子刻蚀，去除

企业将充分发挥规模优势，降低生产成本。　　1月8日，中国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备（PECVD）在上海成功下线，这被视为中国在新能源高端装备领域取得的
，一片1.1米1.4米的普通平板玻璃完成导电层覆膜后，进入PECVD反应腔，完成化学气象材料叠层结构的覆膜，即成为转化率10%的薄膜太阳能电池。据介绍，该设备采用了创新的超高频射频技术，精密的真空和温度

不久，一种更给力并实惠的能源将走入寻常百姓家。近日首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备――等离子体增强型化学气相沉积设备（PECVD）在位于上海张江的理想能源设备公司正式下线。这台
。　据介绍，一片约1.5平方米的普通平板玻璃完成导电层覆膜后，进入PECVD反应腔，完成化学气象材料叠层结构的覆膜，厚度增加了两个微米，即成为转化率可达10％的薄膜太阳能电池。代表第二代光伏技术的

近日，我国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备（ＰＥＣＶＤ）在上海成功下线，这被视为中国在新能源高端装备领域取得的零的突破。中国制造的ＰＥＣＶＤ性能领先于
总经理钱学煜介绍，一片１．１米１．４米的普通平板玻璃完成导电层覆膜后，进入ＰＥＣＶＤ反应腔，完成化学气象材料叠层结构的覆膜，厚度增加了两个微米，即成为转化率可达１０％的薄膜太阳能电池。　２００９

据悉，我国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)1月8日在上海理想能源设备公司(下文简称理想能源)成功下线，打破了高端薄膜太阳能电池设备一直被
国外厂商垄断的局面，并有望大幅降低太阳能发电成本。在生产车间，理想能源总经理钱学煜介绍，一片1 .1米1 .4米的普通平板玻璃完成导电层覆膜后，进入PECV D反应腔，完成化学气象材料叠层结构的覆膜

　　8日，我国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在上海理想能源设备公司(下文简称理想能源)成功下线，打破了高端薄膜太阳能电池设备一直被国外
厂商垄断的局面，并有望大幅降低太阳能发电成本。　　在生产车间，理想能源总经理钱学煜介绍，一片“1 .1米×1 .4米”的普通平板玻璃完成导电层覆膜后，进入PECV D反应腔，完成化学气象材料叠层结构

电极，与样品支架形成一个放电回路，在腔室中的工艺气体在两个极板之间的交流电场的作用下在空间形成等离子体，分解SiH4中的Si和H，以及NH3种的N形成SiNx沉积到硅表面。这种沉积系统目前主要是日本
SiNx膜的方法有很多种，包括：化学气相沉积法（CVD法）、等离子增强化学气相沉积（PECVD法）、低压化学气相沉积法（LPCVD法）。在目前产业上常用的是PECVD法。 PECVD法按沉积腔室等离子

薄膜制备过程中，微粒和分子清洁度对高工艺产出起着至关重要的作用。对于化学气相沉积（CVD）工艺腔室而言，由对氟气或含氟气体进行加热或等离子体活化产生的氟自由基是首选的原位清洗剂。它们与CVD薄膜
机台上进行腔室清洗时，相比三氟化氮或三氟化氯，氟气因为既能够减少清洗时间又仅需较低温度从而延长了腔室石英元件的寿命，因此已经在全世界被广泛使用。在单一基本平台上进行的独立研究表明只需用原位射频等离子体