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均以MOSFET情况作归一化处理，超结MOSFET工艺目前没有超过900V的器件。除去以上最典型的三类全控开关器件，业界有像碳化硅二极管和ESBT等基于新材料和新工艺的产品。它们目前的价格还比较高，主要
新型高电压快速开关器件，它兼顾了IGBT和MOSFET的优点，不仅电压耐量高于MOSFET，而且损耗小于快速IGBT器件。美高森美即将推向市场的ESBT太阳能升压斩波器模块，集成了碳化硅二极管和

(凸出)，并不是由于碳化硅微粉的大颗粒造成的，单晶硅、多晶硅在拉制过程中出现的硬质点造成跳线，而形成的线痕; 2.硅片表面集中在同一位置的线痕，很乱且不规则;①机械原因、②导轮心震过大、③多晶硅铸锭的
大块硬质晶体; 3.硅片切割第一刀出现线痕，硅片表面很多并不太清晰：①沙浆粘度不够、碳化硅微粉粘浮钢线少、切削能力不够，②碳化硅微粉有大颗粒物，③钢线圆度不够、带沙量降低，④钢线的张力太小

、玉门石油公司等企业自备机组发电规模，到2020年可再生能源替代火电自备机组发电不低于40亿千瓦时。发挥电解铝、铁合金、电石、碳化硅等高载能产业优势，加强需求侧管理，支持符合产业政策和环保达标高载能企业

，扩大替代酒钢、兰铝、金川公司、玉门石油公司等企业自备机组发电规模，到2020年可再生能源替代火电自备机组发电不低于40亿千瓦时。发挥电解铝、铁合金、电石、碳化硅等高载能产业优势，加强需求侧管理，支持

学品及中间体，打造氟化工新材料生产基地。发展碳纤维、锦纶、无机非金属等高性能纤维及其复合材料，研发高品质不锈钢、铝合金与特种金属材料。建设国家级特种陶瓷材料生产研发基地，推动碳化硅纤维、氮化硅纤维和透

照明领域存在着三条LED技术路线，分别是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底LED技术路线，其中前两条技术路线的专利技术分别由美国和日本所垄断，而历经十年的研究和开发，中国终于在半导体照明领域拥有了具有原创
领域，更适用于场馆照明、路灯景观和汽车照明等，与蓝宝石和碳化硅LED技术相比，其应用领域更为广阔。2006年，由江风益教授和王敏博士联合创立了晶能光电，专注于硅衬底LED技术的产业化，并先后获得金沙江

硅片切割工序是将硅锭用破锭机切割成硅块，再用线锯机将硅块切割成硅片的过程，是光伏企业的重要生产环节。硅块和硅片切割时需用大量切割液，切割液是将碳化硅颗粒混入聚乙二醇搅拌均匀而成。硅块和硅片切割
1座，净尺寸为8 m32 m5.2 m，有效容积为1 024 m3，停留时间为6.1 h。设PBX-8型平流式吸泥机1套，P=1.5 kW，将沉淀在池底的碳化硅污泥刮至泥坑内，防止污泥在调节池底沉积

硅片切割工序是将硅锭用破锭机切割成硅块，再用线锯机将硅块切割成硅片的过程，是ink"光伏企业的重要生产环节。硅块和硅片切割时需用大量切割液，切割液是将碳化硅颗粒混入聚乙二醇搅拌均匀而成。硅块和
式吸泥机1套，P=1.5 kW，将沉淀在池底的碳化硅污泥刮至泥坑内，防止污泥在调节池底沉积。设3台(2用1备)WQ80-10-4型污水提升泵，Q=80 m3/h，H=10 m，P=4 kW，配套

。如铸锭炉研发厂有进10家，多从原电池及单晶硅设备厂转型而来。多数设备都是通过引进消化吸收进步，所以国内设备整体性能低于国外厂家。国内的主流切片设备依赖进口，在生产过程所需的三大耗材（钢线、碳化硅、切割
液）中，钢线的生产还不能实现国产化，碳化硅和切割液大部分为国内生产。对于辅料回收技术，各个企业水平还是参差不齐，有待提高。（3）下游光伏应用终端市场技术壁垒。我国光伏装机容量虽然每年有一定增长，但是