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程度上依赖于高密高可靠技术创新。高密高可靠性能保障离不开材料科学、散热技术、工程技术等多种维度技术的升级。比如，高密度碳化硅、氮化镓等材料科学的兴起等。趋势三组件级电力电子(MLPE)光伏系统向着更
安全，智能化发展光伏系统的发电“粒度”呈不断细化的趋势，而系统“粒度”的细化转化为更智能的发电和更高的安全特性。组件级电力电子器件(Module-Level Power Electronics

高可靠光伏电站向大功率、高可靠发展已成为趋势。以光伏逆变器为例，直流电压已经由1100V提升到1500V。通过碳化硅、氮化镓等新材料的应用，以及将数字技术与电力电子技术、热管理技术等充分结合
保障光储系统安全成为关键要点，因此，引入更精细化的管理成为必须。组件级电力电子器件(Module-Level Power Electronics, MLPE)在光伏系统中指能对单个或几个光伏组件

（UHMWPE）、聚苯硫醚纤维（PPS）、聚酰亚胺纤维（PI）、聚四氟乙烯纤维（PTFE）、聚苯并双噁唑纤维（PBO）、聚芳噁二唑纤维（POD）、玄武岩纤维（BF）、碳化硅纤维（SiCF）、聚醚醚酮纤维
交通工具部件、风电叶片芯材、建筑建材等领域）126.精密高性能陶瓷原料生产：碳化硅（SiC）超细粉体（纯度＞99%，平均粒径＜1μm）、氮化硅（Si3N4）超细粉体（纯度＞99%，平均粒径＜1μm

器件和充电桩等。相比第二代砷化镓基片，碳化硅基片抗高压、抗高温、抗辐射、使用寿命长，其制作的半导体拥有更优越的性能，可将充电效率从2个小时提升至20分钟，作为集成功率模块还能有效提升电机功率，和
掌握碳化硅外延片技术针对产业链缺失环节开展招商对接。同时以福建工程学院研究院(浦东校区)项目建设为重点，推动产学研深度融合和科技成果转化，打造碳化硅半导体产业链，推动福州成为新能源汽车功率器件的产业基地

，目前常见的有两种办法：一是降低组件工作电压。二是提高电站的电压等级，近年来光伏电站电压等级从1000V提升至1500V，就必须使用第三代半导体材料也就是碳化硅功率器件。据了解，目前业内在研发
密不可分。这时，宽禁带半导体的优势就显现出来了。碳化硅(SiC)的击穿电压是传统硅器件的十倍以上，并具有比硅更低的导通电阻，栅极电荷和反向恢复电荷特性，以及更高的热导率。这些特性意味着SiC器件

功率半导体就是其中电能转换和控制的核心，主要用于改变电压和频率。其实当时用于控制电机转速的MOSFET已经是比较好的功率器件了，它能够以可变频率向电机组输出功率;但是由于MOSFET只能应用于低压
场景中，并不足以满足高电压下对输出电压的准确调节。 1980年，美国通用电气的工程师Jayant Baliga发明了一种兼具MOSFET管和双极型晶体管(BJT)优点的复合型元器件绝缘栅双极晶体管

工艺水平，提升电子级硅材料及硅片自主配套能力。整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计
研发企业，提升智能终端产业集聚发展水平。积极发展可穿戴设备、车载智能设备、平板电脑、虚拟现实设备等智能终端产品。加快构建芯片-核心器件-整机的智能终端全产业链条，着力建设全国重要的智能终端产业基地

。整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计和工艺到模块及电路应用的宽禁带半导体
。积极发展可穿戴设备、车载智能设备、平板电脑、虚拟现实设备等智能终端产品。加快构建芯片-核心器件-整机的智能终端全产业链条，着力建设全国重要的智能终端产业基地。太阳能光伏。进一步做大太阳能光伏