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日前，位于晋安湖三创园的福州高意首条第三代半导体碳化硅晶圆基片生产线进入规模量产，预计年产10万片，产值可达5亿元。车间内，工人日夜赶制的碳化硅晶圆基片，每一片都名花有主。据悉，首条碳化硅生产线

应用，加快4英寸氮化镓晶圆片、6英寸碳化硅晶圆片、电子级多晶硅及激光晶体材料的研发及示范应用。航空航天及轻量化材料，推进高端高温合金、碳纤维复合材料等在航空、高铁、海工等领域的产业化应用，推动航空玻璃
、碳化硅陶瓷等的制备和产业化。生物医用材料，推进可降解聚乳酸材料、骨科植入材料、可降解生物镁合金、闪烁晶体材料、碳纤维及复合材料的研发和应用推广，加快3D生物打印、材料表面生物功能化及改性等关键技术

我们现在签订的供应协议，我们保证能够以多样化的供应商基础满足客户快速增长的需求。GTAT的优质碳化硅晶棒将成为当前和未来满足一流标准的有竞争力的碳化硅晶圆提供额外来源，这为我们雄心勃勃的碳化硅增长
，从而获得安全优质的碳化硅晶圆供应。碳化硅使用率的增长很大程度上取决于衬底成本的大幅降低，而这一协议将是实现这一目标的重要一步。碳化硅目前主要应用于光伏逆变器、工业电源和充电桩。相比传统硅基解决方案

万美元) 开发并测试模块化的单源气相沉积(SSVD)电池制造平台，以实现下一代薄膜太阳电池(钙钛矿太阳电池)高通量低成本规模化制造;开发一种机械破碎碳化硅晶圆制造技术，减少制造过程的材料浪费，提高产率
制备超临界CO2动力循环系统组件的工艺，以降低制造成本;碳化硅接收器替代金属合金用于CSP电厂存储高温熔融氯化物盐，增加接收器耐热性和耐腐蚀性，延长寿命;研究第三代CSP发电系统中各组件、焊接件的热机

等核心硅片生产装备，其出货量也有望随着下游市场容量的扩张而共同成长。 IC产业转移及核心技术自主可控浪潮，带来硅晶圆设备国产化机遇。近年来，伴随着我国电子行业市场规模不断扩大并在全球价值链中扮演重要
角色，全球IC行业开始向国内转移。此外，受 2018 年以来的中兴、晋华、华为事件影响，国内掀起一股核心技术自主可控的浪潮。硅晶圆作为半导体生产过程中占比最大的，价值量最高的关键材料，其制备技术

已签订最终协议，收购Cree旗下Wolfspeed功率和射频业务部（Wolfspeed）。这次收购还包括相关的功率和射频功率器件碳化硅晶圆衬底业务。这笔全现金交易的收购价格为8.5亿美元（约合7.4亿
碳化硅功率器件供应商。我们还希望成为排名第一的射频功率器件供应商。这可以加快这些创新技术的市场化步伐，满足现代社会的需要，特别是对于能源效率、联接和交通的需要。Cree公司董事长兼首席执行官Chuck

所生长材料生产的模块可媲美结合传统渗硼直拉单晶硅晶圆的模块。DSS450MonoCast熔炉具备多种新功能，可实现每个铸锭的单晶硅产量80%，与其他铸造单晶硅技术相比，能大幅提升每个晶柱中的I级晶圆
SiClone(TM)100碳化硅（SiC）生产炉。SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。2013年发布的Q3财报显示，GTAT

，在热应力下，硅晶圆会变形，锗层也会开裂，使得到的电子元件无法使用。现在，由瑞士联邦理工学院、瑞士电子学与微电子科技中心（CESM）、意大利米兰理工大学以及米兰比可卡大学的科学家们携手找到
制造出来的X射线设备还需要几年才能问世。另外，最新技术还可用于在机场进行行李扫描的X射线设备上，用于测试包裹起来的电子元件，用于制造每一层电池能吸收不同波长太阳光的高效叠层太阳能电池（已被用于航空航天领域）。另外，科学家们也希望最新技术能被用于砷化镓或者碳化硅等材料上。

浇铸法，加上更低成本的切片方法，可生长出接近单晶的类单晶硅晶圆，已验证的平均效率在17.5%以上，甚至最高可达18.04%。　VirtusWafer能将一般多晶电池的平均电池转换效率从16.5
自行开发的金刚线来做切割，相较传统的碳化硅(SIC)方法，可大幅度减少硅晶片生产过程中COD(处理单位污水所需的耗氧量)排放，预计可达80-90%。　以能耗及产出对单晶、多晶及类单晶三者进行

　　稀土战争也可能影响到太阳能产业，太阳能硅晶圆切片时所需的碳化硅SiliconCarbide受控于中国，业者评估，若中国一旦将此稀土进行管制，全球切片业者恐都将无法生存，台厂中除了绿能(3519
切割技术的成熟度。　　　　绿能于15日下午召开上市后罕见的公开法人说明会，除了因日前CB金融评价损失的情况释疑外，也将对未来的展望作出说明。　　　　为了解决碳化硅被受控的限制，国内硅晶圆大厂中美晶、绿能

　　新日本制铁（新日铁）着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC（碳化硅）晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圆。此前新日铁
）。 “不同于硅晶圆” 　　新日铁并不是首次开展半导体晶圆业务。该公司此前曾开展过硅晶圆业务，不过03年退出了该业务。此次，关于开展SiC晶圆业务的理由，该公司例举了两点。“第一，与硅晶圆时期

太阳能硅晶圆端切晶耗材之一的碳化硅(Silicon Carbide)供货持续吃紧，价格从2007年中每公斤约新台币100元（约合人民币25元），逐步上扬至目前约每公斤150~200元，由于
中国内地为碳化硅最大产地，但中国已明定碳化硅为限额出口产品，太阳能硅晶圆业者预期2009年碳化硅持续缺货机率高. 太阳能硅晶圆业者表示，包括日本、台湾等地太阳能硅晶圆切晶厂，都面临相关耗材碳化硅短缺