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在光照条件下，硅片中的p-n 结产生的光生电子会朝着电池正面电极运动，空穴朝着背电极运动。如果电子运动到正面电极之前未被缺陷或杂质复合就会被电极收集，进而形成电流流至外电路。
图3 为n 型晶体硅太阳电池结构示意图。n型晶体硅太阳电池较p 型晶体硅太阳电池具有少子寿命高、光致衰减小等优点，有更大的效率提升空间。

通常硅片中容易出现“黑芯片”，“黑芯片”呈现圈形年轮状，其产生的原因主要在于单晶提拉过程中氧杂质分凝以及空位的聚集所产生的呈圈状分布复合缺陷。
从表3可以看出，黑斑小样片和正常小样片中Si、P和Ag含量差在10%以内，虽然原生硅片来自同一单晶棒，电池片的制绒、扩散、刻蚀、PECVD镀膜及丝网印刷都在同一条生产线上完成，考虑到设备，人为操作及环境等因素的影响并不能完全保证电池片的均一性

而与此番合作同样低调的，则是同时出现在上述视频、图片中的汉能晖煜。其不仅并未对外宣布此次合作，甚至自身也鲜有见诸报端。
至今，双方已低调地完成了快递车安装晶硅和薄膜太阳能系统的对比测试，开发了针对快递车的两套光伏系统产品、方案,以及在顺丰北京多个网点的实际运行和对比测试等工作。

东方日升本次展出的九大黑科技新品，其中300W半片(120片)多晶黑硅组件、310W半片密栅多晶PERC组件、335W60片叠片单晶PERC组件、360W半片多晶黑硅组件、390W半片单晶PERC组件、
作为央视《中国品牌故事》栏目入选企业，东方日升新能源股份有限公司秉承为客户而想、为企业而强、为员工而富、为社会而存的企业宗旨，全力打造户用光伏发电系统，记录片中提到的点点护卫队更是把服务至上做到了极致，

每组实验做一管(500片)，扩散工艺完成后，从每个恒温区的中间位置各抽取一片，使用四探针方块电阻测试仪测试硅片中心点和四个边角的方块电阻。
2.3激光掺杂工艺的实验设计在激光掺杂工艺中，利用激光的热效应，熔融硅片表层，覆盖在发射极顶部的磷硅玻璃(PSG)中的磷原子进入硅片表层，磷原子在液态硅中的扩散系数要比在固态硅中高数个数量级。

通常硅片中容易出现黑芯片，黑芯片呈现圈形年轮状，其产生的原因主要在于单晶提拉过程中氧杂质分凝以及空位的聚集所产生的呈圈状分布复合缺陷。
从表3可以看出，黑斑小样片和正常小样片中Si、P和Ag含量差在10%以内，虽然原生硅片来自同一单晶棒，电池片的制绒、扩散、刻蚀、PECVD镀膜及丝网印刷都在同一条生产线上完成，考虑到设备，人为操作及环境等因素的影响并不能完全保证电池片的均一性

崩边片：有缺损但可以改103的硅片。气孔片：硅片中间有穿孔。外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。倒角片(同心度)：任意两个弧的弦长之差1.5mm。
三级品： 1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅落现象。 2：22040m TV22060m。 3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落或部分硅晶脱落。

大尺寸硅片规模量产难度大，主要技术障碍在于集成电路相关工艺对硅片中硅的纯度要求极高，以及硅片尺寸上升所带来的良品率问题。
业内人士介绍，目前中国大陆半导体硅片供应商主要生产6英寸及以下的硅片，具备8英寸硅片生产实力只有两三家，而12英寸硅晶圆则一直依赖进口。

这是目前经第三方认证，国内首款效率超过25%的单结晶体硅太阳电池。天合光能副总裁、光伏科学与技术国家重点实验室主任冯志强表示，IBC电池是目前商品化晶体硅太阳电池中难度最高的技术。
之前库存的30多亿元的硅料和产品，因为跌价，睡一觉100万元就没了。高纪凡说，面对严峻形势，我们只能把有限精力和资金投入核心环节，创新技术，让企业从低层次的规模竞争中抽出身来。

黑斑片在EL测试图中成像黑斑点分布在电池片中，主要是由于硅料受到其他杂质的污染，使得硅片产生位错造成少数载流子的寿命降低，使电池片局部发黑(见图8)。
2.5、黑芯、黑斑黑芯片在EL测试图中显示为从电池片中心到边缘逐渐变亮的同心圆，它们产生于拉晶阶段，与硅棒制作过程中氧的溶解度和分凝系数大有关。