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照射时电流会加强，从而发现了光生伏打效应。1930 年，郞格首次提出用光伏效应制造太阳能电池，使太阳能变成电能。 1932 年奥杜博特和斯托拉制成第一块硫化镉太阳能电池。 1941 年奥杜在硅上
发现光伏效应。 1954 年5 月美国贝尔实验室恰宾、富勒和皮尔松开发出效率为6%的单晶硅太阳能电池，这是世界上第一个有实用价值的太阳能电池，同年威克首次发现了砷化镍有光伏效应，并在玻璃上沉积硫化镍

耐压组件新纪元光伏组件的系统电压决定了电站系统每个阵列中可以串联的光伏组件数量，为了降低系统成本、提高系统效率、满足新的需求，组件的系统电压一直在提升，从之前的600V升级到1000V，又提升到
组件的相关设计标准、测试方法、材料性能规范，深入研究高压组件在电站系统应用过程中的潜在失效模式和解决方案。协鑫集成联合北京鉴衡认证中心及业内著名的光伏材料供应商共同起草的《3000V光伏系统用晶体硅

。3000V系统将减少2/3的组串数量光伏组件的系统电压决定了电站系统每个阵列中可以串联的光伏组件数量，为了降低系统成本、提高系统效率、满足新的需求，组件的系统电压一直在提升，从之前的600V升级到1000V
《3000V光伏系统用晶体硅光伏组件认证技术规范》于2016年12月15日正式发布，在完成全面的测试并完全满足技术规范的要求后，其3000V高耐压组件产品于今年5月22日成功获得了鉴衡认证(CGC

数量要根据光伏组件工作条件下的极限低温。当前根据历史最低极限温度，按照组件在1000W/m2光照下的开路电压计算，不超过1000V;按照国内西部地区最低-30℃和常用多晶硅电池板计算，最多22块串联。但
、铝合金电缆的应用、单晶硅组件的性能提升、薄膜组件的性能提升及自清洁玻璃膜(莱恩创科)等等，由于市场认知及价格问题，需要一定的时间来接受这些技术，都还未能在目前阶段称为多快好省的典范，而唯有1100V

1000V;按照国内西部地区最低-30℃和常用多晶硅电池板计算，最多22块串联。但实际组件开路电压要考虑辐照和温升的影响。当前常规开路电压评估方法根据当地的最低极限温度，按照组件在1000W
电气设备的应用、铝合金电缆的应用、单晶硅组件的性能提升、薄膜组件的性能提升及自清洁玻璃膜(莱恩创科)等等，由于市场认知及价格问题，需要一定的时间来接受这些技术，都还未能在目前阶段称为多快好省的典范，而唯有

Through 金属穿透)技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低
。针对常规电池和组件的不足，MWT电池组件采用了全新的电池和组件结构设计，大幅提高了电池和组件的光电转化效率及可靠性，60片电池的单、多晶硅电池组件标准输出功率分别达到295W和285W，较市场常规产品

4月19日，保利协鑫在2017 SNEC国际太阳能产业及光伏工程展览会上重磅发布新一代整锭单晶G3硅片产品。据介绍，该产品使用铸锭技术生产单晶，具有高产能、高效率、低成本、低光衰等多重优势。来自
多家电池组件企业的数据显示，整锭单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点，同时在成本上有较大优势，对光伏的高效化、平价化发展意义重大，有望给传统单晶技术带来

295-300瓦的主流功率档，组件效率高达19.55%，代表了行业最高水平之一。在设计上，由于采用的电池片主栅更密集，减少了电池片表面遮挡，增加受光面积，缩短了电流在细栅上传导距离，从而降低组件的串联电阻
，减少电阻损失，提升组件的输出功率。另外该款组件具有更好的弱光特性，和超低的热阻形成几率。制程方面，极低的焊带封损，多主栅低电阻铜线封装，汇流距离缩短，热损耗减少;圆形导电体结构替代平面焊带，形成二次

从降低每片电池银浆用量，减少遮光及钝化层损伤着眼，超细线印刷是提高晶硅太阳能电池效率的不二之选。在“提升效率，降低成本”压力下，网版厂商于近一两年内积极推广无网结网版印刷技术，同时持续投入人力和物力
~305W。尽管具有在行业的领先地位，进一步提升效率，降低成本依然是亿晶光电的迫切需求。然而，从理论上讲，进一步缩窄栅线宽度会降低的其接触面积，对金属化浆料与晶硅电池的电学接触能力也提出了挑战；而且

电价。3设备选型光伏组件根据项目要求、成本、转换效率和可用面积、选择单晶或者多晶组件。按某品牌多晶硅电池板参数：选取275Wp组件396块，总功率108.9kWp。光伏逆变器光伏逆变器组件总功率为
的匹配电压要求：1)组串开路电压处于逆变器的MPPT电压范围内并且大于启动电压;2)同一路MPPT中，不同组串中组件并联数量相同，所串联的电池板规格一致;电流要求：组串并联后电流不大于逆变器最大

选型光伏组件根据项目要求、成本、转换效率和可用面积、选择单晶或者多晶组件。按某品牌多晶硅电池板参数：选取275Wp组件396块，总功率108.9kWp。光伏逆变器组件
电压要求: (1)组串开路电压处于逆变器的MPPT电压范围内并且大于启动电压; (2)同一路MPPT中，不同组串中组件并联数量相同，所串联的电池板规格一致; 电流要求：组串并联后电流不大于逆变器最大

几乎一致。 2、横排竖排支架用钢量支架用钢量理论上一样。支架是将组件固定在上面，并支撑组件自重、抗风雪载荷等的结构。在同一地区风雪载荷固定，组件倾角一致的条件下，被用支架来支撑的组件数量一定
决定的。我们先来看看组件的组合原理，如图8所示，以通常的60片电池片组件为例，由60片电池片串联而成，每20片加装1个旁路二极管，且电池片串联方向基本是东西方向U型回路。图8 组件电路图

硅、磷掺杂背场(BSF)、背面减反射膜和背面电极。n-PERT双面电池和单面电池相比，主要在于背面结构的不同，双面电池的背面采用高透过的SiNx做钝化/减反射膜，背面金属电极和前面金属电极一样，占电池
晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过扩散或者

发射极上面的前电极输出到外电路，驱动负载运行。如图1（a）所示，n-PERT双面电池的结构为：金属电极、前表面减反膜、硼掺杂发射极、n型硅、磷掺杂背场（BSF）、背面减反射膜和背面电极。n-PERT
索比光伏网讯:晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过

电池技术到底牛在哪里？我们特别将IBC电池的结构原理、工艺技术以及发展状况做了细致的梳理。IBC电池的原理及特点IBC电池（全背电极接触晶硅光伏电池）是将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术，使面朝
光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了156×156 mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。公司已15次打破IBC电池的世界纪录。IBC

with Intrinsic Thinlayer)电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。HJT电池具有结构对称、地位制造工艺、高开路电压、温度特性好、无LID和PID效应等特点
电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能。2017年3月，在全球综合能源展览PV EXPO上

太阳能电池技术 HJT(Heterojunction with Intrinsic Thinlayer)电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。HJT电池具有结构对称、地位
片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面，从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得

;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻
低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能;3)黑硅电池组件，黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素：第一，金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本，但传统的酸制绒

穿孔卷绕）电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率
高；并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能；3）黑硅电池组件，黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素：第一，金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本，但传统的酸制绒导致电池效率降低