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玛雅设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应
腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的

有两条主栅和多条细栅平行排列在镀有氮化硅减反膜的N型半导体上，为减小遮光效应和获得较小线阻，要求线宽要小，线高要大，附着力和电导性能优良。而在实际生产中，印刷后栅线是有限制的，烧结后50m宽、20m高
%~35%)，形状一般是球形或片状晶体，0.1~5.0m粒径，有研究称纳米级银粉与微米级银粉混合使用可降低烧结温度提高附着力。少量无机添加剂玻璃粉用于烧结过程中烧穿氮化硅减反膜，烧结后在银和硅之间形成

优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC设计。PERC概念的核心就在于为常规光伏电池增加全覆盖的背面钝化膜
，氧化硅(SiO2)、氮氧化硅等也可作为背面钝化材料。此外，为了完全满足背面钝化条件，还需要在氧化铝表面覆一层氮化硅(SiNx)，以保护背部钝化膜，并保证电池背面的光学性能。故PERC电池背面钝化多

复合速率，提高硅片少子寿命。2 Al2O3厚度对电池特性的影响采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体
为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所

;氮氧化硅(SiONx)早期Solar Word以及现在的爱旭、润阳等;氧化铝(AlOx)现在主流厂家都采用氧化铝和氮化硅叠层膜的背钝化膜结构。氧化铝和氮化硅叠层膜叠层结构作为P型PERC背面
钝化膜的优势，主要体现在三个方面。氧化铝具有较高的固定负电荷密度Q10E13/cm3，可以得到优异的场钝化效果;氮化硅膜富含氢原子，可以在热处理过程中对表面和体内的缺陷进行化学钝化;氧化铝薄膜带隙

; - 建立标准二极管模型，发现开路电压下降的主要因素是SRH复合增加; - 结合长期以来的报道，基本事实得到了澄清：氮化硅/硅界面受到了破坏，导致了氢钝化效果下降，硅悬挂键增多，表面复合增加
。 - 经过计算，想要解开氢-硅的键合，需要的光能刚好在300多纳米的位置，正好在紫外区。证据链的最后一环终于找到了：紫外线导致的氮化硅钝化效果下降正是罪魁祸首! 经过计算，高紫外透光组件的红利

Tempress扩散炉、R2D自动化、捷佳创低压扩散炉;三是边缘刻蚀和去磷硅玻璃，此环节需要仪器SCHMID刻蚀机、SCHMID自动动化仪器;四是背钝化在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜，此环节需
仪器MeyerBurger的一体机式镀膜机、罗博特科自动化仪器;五是PECVD正面沉积氮化硅膜，在该工艺流程中所使用到主要仪器包括CT管式镀膜机、Baumann自动化;六是背面激光开孔实现背面浆料与

过后进行喷枪喷涂，涂层的量是一定的（刷图次数不限），刷涂的涂层包括氮化硅粉（底部和边部分别为120g、380g）、硅溶胶（60g、150g）、PVA（50g、120g）和纯水（180g、340g），喷涂的
配比涂层时对纯水加热。原料的杂质浓度会影响铸锭炉的化料时间，铸锭炉在长晶等阶段出现异常，此时铸锭时间可能较一般工艺时间长2-4个小时，底部氮化硅的量太少会导致无法顺利脱模，硅锭底部开裂。而过量的氮化硅

硅片底部的空气。烧结温度曲线烧结各温区作用烘干区：使有机溶剂脱离浆料烧结区烧结区：使电极、背场可形成良好的欧姆接触，减小串阻三、理想的烧结效果正面电极烧穿氮化硅，镀膜产生的H扩散进硅，背面Ag、Al
电极扩散进硅，同时电池片电极有优秀的电性能参数，经过烧结炉的氮化硅颜色应该均匀无色差，最后还要检测栅线是否有断裂、虚印等情况四、烧结工艺常见事项1、在设定温度的同时也要考虑到Al的沸点较低，当超过其

作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨气的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。在真空、480摄氏度的环境温度下，通过对石墨舟的
及时挑出产线最常见的表面发白、色差、白点，其中表面发白主要由于氮化硅膜较厚导致，可通过调节膜沉积时间来调整；色差片主要由于气路堵塞、石英管漏气、微波故障等导致；白斑主要由于前道小黑点导致。反射率