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薄膜组成，二者共同形成钝化接触结构。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，超薄氧化硅和重掺杂硅薄膜良好的钝化效果使得硅片表面能带产生弯曲，从而形成场钝化效果，使
织物实现了 29.8%的光电转化效率;2022 年夏天，瑞士洛桑高等理工学院研制出转换效率 31.25%的串联电池。叠层电池未来有望替代昂贵的Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体电池—如砷化镓、铟镓磷和氮化镓

低温非晶硅薄膜、柔性OLED显示所需低温氮化硅薄膜以及光学等其他行业所需的微电子薄膜。昶火微科致力于开发半导体硅基纳米薄膜生长工艺解决方案，是国内专注于大面积平板镀膜装备研发制造企业。公司在基于大面积
近日，国内领先的微电子薄膜工艺方案解决商昶火微科完成A轮融资，本轮融资由同威资本独家投资。据了解，昶火微科主要解决光伏异质结太阳能高效电池所需的纳米级非/微晶硅薄膜、液晶面板TFT lcd所需的

掺杂方案。业内在探索低成本PN区掺杂工艺，并在以下几个方向有了积极的成果：简化掺杂非晶硅薄膜的工序降低关键设备PECVD的设备成本采用更低成本的非晶硅沉积设备 (2)关键设备：非晶硅薄膜
沉积设备非晶硅薄膜沉积设备，主要有板式PECVD、HWCVD和LPCVD设备。见下表：非晶硅薄膜沉积设备比较 (来源：公开信息，普乐科技POPSOLAR整理) LPCVD设备，是随着

二铝和氮化硅作为背反射器，增加长波光的吸收，同时增大P-N极间的电势差，降低电子复合，提升光电转换效率，还可以做成双面电池。随着工艺成熟，设备国产化和成本降低，逐渐成为市场
两年多家公司进入试生产线环节并加大 HJT 电池产业化的投资力度，HJT 电池技术迎来快速发展期。 HJT 电池，即非晶硅薄膜异质结电池，是由两种不同的半导体材料构成异质结。HJT 电池主要由 N

型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
,还能起到像晶硅电池上氮化硅层那样的减反作用。最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属基电极,这就是异质结电池的典型结构。HJT 电池的结构和工艺与常规硅基太阳电池有很大的区别,总的来说, HJT

硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层，因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化层可以增加光学内反射作用，因此电池的电流 ISC 也会有显著
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。 HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身

、正表面氮化硅薄膜钝化、铝背场、钝化发射极和背面电池技术、量子隧穿氧化层钝化接触等。目前行业中占绝对主流的电池以P型电池为主，其主要特征是电池的正负电极分别位于电池的不同面(正面或背面)。MWT背
晶体硅电池结构设计的考虑要素有PN结设计、表面增效措施、电流的导出方式。此外，电池转换效率受制于很多因素，为了尽可能地利用太阳光和降低光生载流子的损失，各种工艺、技术应运而生：表面制绒、表面氯化硅薄膜减反射

覆盖一层氮化硅膜作为保护层。为使背面金属电极与硅形成良好的欧姆接触，需要对钝化层进行刻蚀，目前主流工艺采用激光开槽的方式来完成这一工序。 PERC 技术日趋成熟
以及特殊的边缘隔离，提升了制造的成本和复杂性，而离子注入可实现单面掺杂，均匀性好，可简化制造流程。表面钝化方面，背表面采用氧化硅/氮化硅叠层钝化膜可以起到良好的表面钝化和场钝化效果，正表面使用

、PECVD 沉积氮化硅膜、丝网印刷等工序。其中大部分设备可以和 perc+se 产线共用，只需要额外增加硼扩散、LPCVD 沉积(隧道结制备环节)、离子注入(或者扩散装备)和去绕镀清洗环节设备，便可
减少了扩散、刻蚀及烧结 3 个步骤，核心工艺为非晶硅薄膜沉积，PECVD 中非晶硅的生长可以看作是含硅的基团在衬底表面上的扩散与吸附，包括本征非晶硅的沉积与钝化以形成高质量的异质结面钝化层、掺杂非晶硅

金字塔制绒，硼扩散，等离子体辅助的原子层沉积(ALD)氧化铝与等离子体化学气相沉积(PECVD)氮化硅的叠层结构起到钝化和减反效果。背面采用上述TOPCon技术(基于硝酸热氧化化学工艺)，PECVD沉积
n+掺杂的多晶硅，接着通过进行高温(70～900℃)退火和氢钝化改善硅薄膜的形貌与带隙，最后正、反金属化采用电子束蒸发的Ti/Pd/Ag叠层和热蒸发的Ag实现，最终效率达到25.1%(Voc=718mV

短路电流,从而有效的提高了多晶太阳电池的光电转换效率。 氮化硅薄膜作为表面介质层在传统晶硅太阳电池制造中被广泛应用,它能够很好地钝化多晶硅片表面及体内的缺陷和减少入射光的反射。氮化硅膜层中硅的含量增高
氮化硅薄膜的折射率为2.15左右,厚度为25nm,第三层氮化硅薄膜的折射率为2.0以内,厚度为50nm。 PECVD镀完膜厚,通过反射率测试仪分别对采用双层和三层氮化硅膜工艺的实验片在波长300

。 Fraunhofer研究所采用N型FZ硅片，正面采用普通金字塔制绒，硼扩散，等离子体辅助的原子层沉积(ALD)氧化铝与等离子体化学气相沉积(PECVD)氮化硅的叠层结构起到钝化和减反效果。背面
采用上述TOPCon技术(基于硝酸热氧化化学工艺)，PECVD沉积n+掺杂的多晶硅，接着通过进行高温(70～900℃)退火和氢钝化改善硅薄膜的形貌与带隙，最后正、反金属化采用电子束蒸发的Ti/Pd/Ag

Al2O3厚度对电池特性的影响采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气
和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为

常。 Fig.3-2四角黑从附表1的IV数据可以看出，整体暗电池片的Voc比正常片低了12mv，通过Fig.3-3的EL图像(同一亮度)可以明显看出两片电池片的差异。腐蚀两片电池片的氮化硅薄膜
数据，由Fig.3-5b图可知电池片左下角黑色区域的电压高达440mV，腐蚀掉正面电极及氮化硅薄膜后扫描方阻(Fig.3-5c)后明显看出黑色区域的方阻比其他区域偏高，导致此区域与现有烧结工艺不匹配而