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摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和
太阳电池开路电压的提高。将双层和三层氮化硅膜所做的太阳电池分别进行电性能测试,结果见表1。从表1中看出,三层膜的太阳电池的开路电压比双层膜的提高2mV,另外三层膜太阳电池的短路电流也比双层膜的提高了

用电设备运行的要求了。最后的防线可在用电设备内部电源部分使用一个内置式的电源防浪涌保护器，以达到完全消除微小瞬态的瞬态过电压的目的。该处使用的电源防浪涌保护器要求的最大冲击容量为20KA/相或更低
降不应超过额定电压的3%。 (3)操作回路：在最大负荷下，操作母线至设备的电压降，不应超过10%额定电压。 2、电流互感器二次绕组不允许开路，电压互感器二次侧不允许短路二次接线前，应

PVD的方法形成Al背面电极。背面磷掺杂的a-SiCx钝化层具有很好的钝化效果，金属接触区域n++局部重掺在降低接触电阻的同时，减少了金属接触区域的复合，提升了电池的开路电压和填充因子。电池Uoc达
提高了开路电压。在前表面的钝化层下进行浅磷扩散以形成n+前表面场，提高短波响应。P型和N型金属电极通过丝网印刷方式实现，透过SiO2介质膜上的孔槽与Si衬底实现点接触，减少了金属电极与硅片的接触面积，进一步

，可降低30%开路电压，增加30%的组串，降低连接头、保险丝和线缆的耗用;同时，Tigo智能组件能令电站项目实现高效化、智能化运维，实现组件级监控，为项目投资者提供实时预警与组件运行数据分析。如发生任何
。除高效黑硅组件以外，同期推出的Tigo智能组件也顺应了我国光伏发电产业智能化的大趋势。该组件采用Tigo智能接线盒，通过运用阻抗匹配技术消除失配损失，使发电量最大化;灵动曲线技术具有更低BOS成本

钝化作用带来的开路电压增益，使得这种正面无遮挡的电池就拥有了高转换效率。IBC电池的工艺技术较之传统太阳电池，IBC电池的工艺流程要复杂得多。IBC电池工艺的关键问题，是如何在电池背面制备出呈叉指状
银，不但成本高，且银的自然资源远不如其他金属丰富，虽然目前还不至于成为太阳电池产业发展的瓶颈，但寻找更低廉、性能更优异的金属化手段也是太阳电池的一大研究热点

一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下
with Intrinsic Thinlayer)电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。HJT电池具有结构对称、地位制造工艺、高开路电压、温度特性好、无LID和PID效应等特点

制造工艺、高开路电压、温度特性好、无LID和PID效应等特点。截止目前，晋能科技275W高效多晶组件产出比已达50%。杨立友表示，今年晋能科技将在HJT高效技术的研发上初获突破，有望在2020年前
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路

0.3%。与平面晶硅电池相比，这种黑硅电池具有宽谱特性，其光电转换效率高达18.97%。由于硅纳米晶带隙高于晶硅，因此该黑硅电池的开路电压高于相应的平面硅电池，而且，发射极的梯度带隙结构抑制了前表面电子
和空穴的复合。由于短波长范围吸收度高，短波长处的光伏响应也较好。研究人员表示，与其他黑硅电池的制备方法相比，这种黑硅的制造方法简单，且在很宽的波长范围内的反射更低(小于0.3%)，在短波长范围内的量子

反射率低于0.3%。与平面晶硅电池相比，这种黑硅电池具有宽谱特性，其光电转换效率高达18.97%。由于硅纳米晶带隙高于晶硅，因此该黑硅电池的开路电压高于相应的平面硅电池，而且，发射极的梯度带隙结构抑制了前
表面电子和空穴的复合。由于短波长范围吸收度高，短波长处的光伏响应也较好。研究人员表示，与其他黑硅电池的制备方法相比，这种黑硅的制造方法简单，且在很宽的波长范围内的反射更低（小于0.3%），在短波

的清洁能源发电量已超过8吉瓦时。上澎双面双玻GxB370W面板的电池效率为21.5%，采用对称结构，可靠性强，没有外框，无需花费太多成本接地。由于开路电压更高（725-735 mV），转换效率的热系数较低
（-0.28% %/C）。该产品使用超薄非晶硅薄膜，形成创新的分体式p-i-n结，以实现更高的效率和更低的分流电阻。上澎董事长兼首席执行官Ashok Sinha博士表示：我们很高兴能参与这个大型公共事业

发电电站这次的组串式逆变器的开路电压也是该领跑者项目的一大亮点：常规集中式逆变器开路电压约为520V，组串式逆变器开路电压约为350V，而这次搭载了低电压启动技术的的最新型组串式逆变器的工作电压为