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更低的衰减、更优的温度系数、更高的双面增益、更好的弱光性等突出特性，组件的发电能力得到充分验证。此外，在功率出众的前提下，DeepBlue 4.0 Pro 2465mm(72片)长度组件的电压
本次展会中，晶澳科技重磅展出了DeepBlue 4.0 Pro系列产品。DeepBlue 4.0 Pro系列产品采用了晶澳科技自主研发的高效n型Bycium+钝化接触电池技术，电池开路电压达到

，证明在减轻表面和体内缺陷、改变表面化学或界面能带方面非常有效，最终提高了载流子提取效率。得益于卓越的PZDI钝化，该器件在1 cm2面积上取得了令人印象深刻的23.17%的效率(低开路电压缺陷约为
第一作者：Dhruba B. Khadka通讯作者：Dhruba B. Khadka、Yasuhiro Shirai、Andrey Lyalin研究亮点：1. 阐述了二胺分子(具有芳香或烷基核)对无

。对于Pb钙钛矿太阳能电池，特征器件(2PACz HTL)的JV扫描(正反扫描)如图1c所示，开路电压(Voc)为1.04 V，短路电流密度(Jsc)为24.5 mA/cm2，填充系数(FF)为
解决的最大挑战。这种不稳定性的关键驱动因素之一是离子迁移，这被认为是钙钛矿太阳能电池在电流-电压特性中广泛观察到的滞后的原因，也是钙钛矿LED在高注入电流下效率下降的部分原因。虽然对铅钙钛矿器件的理解和

60904-5开路电压法测量光伏器件电池等效温度目前FDIS版本标准已经在WG2征求意见，工作组报告了主要的技术意见及采纳结果，主要的技术变更为增加说明，方法1的测试不确定度更低 IEC
已经发布，Peter Hacke介绍了一些可能需要修正的一些问题，包括：是否将测试电压降为组件系统电压的一半加速电压是否需要降低一半到2.5倍系统电压是否可以用铝箔贴在组件表面进行测试

少子空穴避免复合，进而实现电子在多晶硅层的横向传输并被金属收集，极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压、短路电流和填充因子。图4 Poly passivated电池的
逆变器，节约系统BOS成本，提高电站收益率。 2.更低功率衰减传统的P型单晶硅会存在光致衰减效应(LID)，在光照下，P型硅片内的硼(B)等杂质会和氧发生反应，生成B-O复合体，导致P型电池和

参考标准针对减小内部带电部件到外部可接触表面之间的距离的方式进行编辑性修改并举例，例如材料组别(相对漏电起痕指数CTI)、用以减小爬电距离的测试序列B.1、脉冲电压及绝缘测试、胶合的使用
Harald Mllejans) 4.IEC 60904-5/AMD1 ED2 Amendment 1 -修订1 - 光伏器件 - 第5部分：通过开路电压法确定光伏(PV)装置的等效电池温度

稳定的循环和CE，这可归因于Zn沉积期间发生的严重副反应以及枝晶。通过监测满电Zn/MnO2电池的开路电压衰减，并在储存60 h后放电，来评估(002)面对副反应的影响。使用更多(002)面的锌
原子结构的影响，然而由晶面引起的电化学性能差异，其背后的机理仍然相对不清楚。图 1、择优取向晶体对Zn沉积的影响。a)金属Zn结构。b)Zn(100)和c)(002)面表面原子

IBC单晶硅电池的研发，2017年5月自主研发的大面积6英寸(243.2cm2)N型单晶硅IBC电池效率达到24.13%;2018年2月，该电池的效率进一步提高到25.04%，开路电压达到715.6mV
载流子吸收的影响等，如图3所示。 IBC电池单层膜(a,c)及多层膜(b,d)的光学损失分布图在电学方面，和常规电池相比，IBC电池的性能受前表面的影响更大，因为大部分的光生载流子在入射面

，最近SHJ电池的开路电压(Voc)值达到了750mV。到目前为止，只有单晶CZ硅片已被用于SHJ太阳能电池的大规模制造。用于高效太阳能电池的单晶硅片的电学特性由杂质和掺杂剂浓度决定。由于这些参数的
一次低温退火。图一：(a)传统SHJ太阳能电池的剖面结构图。(b)SHJ电池的主要制造工艺步骤。用于SHJ电池的硅片与所有高性能c-Si太阳能电池的情况一样，硅片质量是实现高效SHJ电池

接触，减少了金属电极与硅片的接触面积，从而使载流子在电极表面复合的几率大为减少，进一步提高了开路电压。N型晶硅组件在弱光下表现出比常规组件更优异的发电特性，在雾霾，阴雨天有更多的发电量。也就是意味着
这种高温地区，尤其要重视组件的抗LeTID(光热衰减)性能，而N型双面组件由于：1)采用N型硅，没有P型硅中B-O缺陷复合，具有高少子寿命，受LeTID衰减影响较p型硅小;2)N型双面组件可以让部分近

制备金属接触区，从而形成PERT电池，其结构如图2c所示。它可以实现高电导和低背表面复合速率，改善了开路电压和填充因子，在4cm2的P型MCZ硅片上取得24.5%的高效率。而PERC太阳电池结构如图
，2017年5月自主研发的大面积6英寸(243.2cm2)N型单晶硅IBC电池效率达到24.13%;2018年2月，该电池的效率进一步提高到25.04%，开路电压达到715.6mV，并经过日本电气安全与

先采用轻硼掺杂，而后再采用定域重硼掺杂制备金属接触区，从而形成PERT电池，其结构如图2c所示。它可以实现高电导和低背表面复合速率，改善了开路电压和填充因子，在4cm2的P型MCZ硅片上取得24.5
%，开路电压达到715.6mV，并经过日本电气安全与环境技术实验室(JET)独立测试认证。这是迄今为止经第三方权威认证的中国本土效率首次超过25%的单结单晶硅太阳电池，也是目前世界上大面积6英寸晶体硅

就需要IGBT了。IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。其实IGBT芯片并不大，这个模块很大部分是树脂外盖，用于安全保护、散热，如果将这个模块打开，大家可以看到的是这个，芯片
从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电流拖尾的情况具有更低的开关损耗和更高的工作频率。 3、高温特性（（最高

。相比于后者，多晶硅PERC电池的开路电压Voc提升了 13.6%，短路电流Isc提升了320mA。表一：多晶硅电池和传统黑硅多晶硅电池之间的I-V特性差异。如图二(a)所示，在
传统多晶硅电池技术高出0.9%。图二：(a)多晶硅PERC电池的效率分布。(b)60 片和120片多晶硅PERC组件的功率分配。表一比较了多晶硅PERC和传统黑硅多晶硅电池的I-V特性

太阳电池采用了SiO2/SiNx叠层的钝化结构，对晶体硅太阳电池进行了有效的表面钝化和体钝化显著增大了太阳电池的短路电流和开路电压，进而提高了太阳电池的转换效率。目前叠层钝化已是晶体硅太阳电池研究的一个
之外，还应当具备如下几条要素：(1)低活性，减少玻璃粉与钝化膜的反应，避免银浆与硅片接触部分形成大量复合中心，提高电池片开路电压;(2)较宽的工艺窗口，适应低温烧结工艺;(3)优秀的附着力，及老化附着力