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组件的单位面积发电量更高、高温时能发更多的电、制成双面组件能够利用反射光,发电量进一步提升。HIT电池特点有：1、结构对称，相比传统晶体硅电池，HIT电池的工艺步骤更少；2、低温工艺，其最高工艺温度不超过
来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与

、结构对称，相比传统晶体硅电池，HIT电池的工艺步骤更少;2、低温工艺，其最高工艺温度不超过200℃;3、高开路电压，其Voc达到了750mV;4、温度特性好;5、光照稳定性好，HIT电池中没有发现
一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显

有：1、结构对称，相比传统晶体硅电池，HIT电池的工艺步骤更少；2、低温工艺，其最高工艺温度不超过200℃；3、高开路电压，其Voc达到了750mV；4、温度特性好；5、光照稳定性好，HIT电池中没有
，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷

%，目前，三洋公司结合IBC结构，制备出了实验室转换效率为25.7%的HIT电池。HIT电池特点有：1、结构对称，相比传统晶体硅电池，HIT电池的工艺步骤更少；2、低温工艺，其最高工艺温度不超过200
。太阳能电池，是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件，日前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅（包括单晶硅、多晶硅）、非晶／单晶异质结（HIT）、非晶硅薄膜、碲化镉（CdTe）薄膜及铜铟硒（CIS

太阳能电池组件在各种太阳辐射照度和各种环境温度工况下都不超出逆变器电压输入范围。考虑到适用于晶体硅电池的逆变器最大直流电压(最大阵列开路电压)为550V，最大功率电压跟踪范围为70~550V,MPPT
更能直接影响到居民及家用分布式光伏发电系统的选址，其关键要素如下： A. 有无遮光的障碍物(包括远期与近期的遮挡) B. 盐害、公害的有无 C. 冬季的积雪、结冰、雷击等灾害

行业所公认，但在组件和电池片两个方面组件产生PID现象的机理尚不明确，相应的进一步提升组件的抗PID性能的措施仍不清楚。 3电池片隐裂隐裂是电池片的缺陷。由于晶体结构的自身特性，晶硅电池片十分容易发生
光伏技术进步和产业升级意见的函》(国能综新能51号)规定：自2015年起，享受国家补贴的光伏发电项目采用的光伏组件和并网逆变器产品应满足《光伏制造行业规范条件》相关指标要求。其中，多晶硅电池

基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P-N结。当光线照射太阳能电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在
最丰量的材料之一。自从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。20世纪末，我们的生活中处处可见硅的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的

晶体硅太阳能电池及组件、新型太阳能电池、太阳能并网发电、太阳能玻璃、太阳能光热利用、太阳能光伏建筑一体化（BIPV）及太阳能-LED光电产品等。全文如下：各有关单位：为积极推进深圳市新能源产业发展，我委
设备及系统、智能用电设备及系统、智能电网通信信息平台等。太阳能。重点发展薄膜太阳能电池、高效晶体硅太阳能电池及组件、新型太阳能电池、太阳能并网发电、太阳能玻璃、太阳能光热利用、太阳能光伏

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广，对传
。其中，硅材料电池中的晶体硅电池又分为单晶硅和多晶硅电池两大类，占据了90%左右的市场份额。众所周知，单晶硅电池光致衰减(LID)一直是困扰行业的一大难题，特别是近年来新开发和产业化的钝化发射极和局部背

成员：沈辉，韩庆浩，徐湘华，宋登元，刘勇，王强，袁晓，张治，肖斌，刘正新，龚春景 (排名不分先后) 三. 大赛背景 1. 行业背景目前p型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。然而，不断追求效率提升和
可靠性高的双重优势。根据国际光伏技术路线图(ITRPV2015)预测(图一)及NREL的高效电池研究表明(图二)，随着电池新技术和工艺的引入，n型单晶硅电池的效率优势会越来越明显，且n型单晶硅电池

情况下必然会在两台逆变器交流侧与升压变压器低压侧之间形成一个环流，如果该环流电流较大，可能会产生一系列的危害。再下面必然是ink"光伏发电的另一个重要环节了----光伏电池，本届国际光伏展在晶体硅电池
组件功率衰减。不过这种做法也会对交流侧带来一个影响，那就是中性点电压抬升了势必会导致交流侧系统的A、B、C三相的对地电压升高，这样的话会对逆变器交流侧至变压器低压侧这段区间内的所有避雷器和浪涌保护器的

索比光伏网讯:1.晶体硅电池效率损失机制太阳能电池转换效率受到光吸收利用、载流子输运、载流子收集的限制。对于晶体硅电池而言，其转换效率的理论最高值是28%。影响晶体硅电池转换效率的原因主要
较显著。图1.晶体硅电池效率损失模型2.提高晶体硅电池转换效率的途径和晶体硅电池转换效率损失机制相对应地，为了提高转换效率，主要从减小入射光的反射、减小正面金属电极遮光、降低电阻损耗、减小载流子复合几个

Surface Field, FSF）以及良好钝化作用带来的开路电压增益，使得这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向
研发遥遥领先，其它研究成果如德国Fraunhofer ISE的23%，ISFH的23.1%，IMEC的23.3%等等。最近，日本的研发人员将IBC与异质结（HJ）技术相结合，在2014年将晶体硅电池的

本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善
，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池的电压