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含量铝粉和小粒径铝粉活性较高，铝粉和玻璃粉的反应温度较低，铝硅原子间扩散程度较大，可获得较厚的铝背场和较低的填充率;适中的烧结温度能够平衡填充率和铝背场厚度，峰值烧结温度为778.6℃时，填充率达到
工艺下PERC 铝浆对电池片填充率、BSF 厚度和电性能的影响。 1 实验部分 1.1 实验设备及原料 HSH2503-0510Z 型红外快烧网带炉，合肥恒力电子装备公司;BT-9300ST

不退火，其余四组为在氮气和真空两种环境下进行的退火时间分别为10min及20min的退火实验，每组各200片。退火使用的硅片经过正常的清洗制绒，扩散制结，湿法切边，然后在PECVD炉内采用高折射率工艺
和体内扩散，钝化硅中的悬挂键，这样使H的活性下降，使得光子在被复合前被收集，因此少子寿命会上升(如图3所示)。而两种环境退火时间越长，少子寿命上升斜率越大，这和文献研究结果相似，这也正是开路电压和短路

摘要：丝网印刷线在生产过程中产生了间歇性串阻偏高、效率偏低的现象，EL测试图像部分区域呈现黑雾状，针对此问题从烧结炉和丝网工艺2个方面进行分析，解决了该问题。烧结是太阳能多晶电池片成为成品的最后
一道关键工序，其决定着太阳能多晶电池片的效率和合格率，而烧结炉直接影响着烧结工艺的成败。本文着重分析研究了由于烧结炉引起的烧结EL不良现象。 1丝网印刷烧结工艺烧结就是将印刷了浆料的硅片经过烘干

厚度的减薄，少数载流子的扩散长度可能接近或大于硅片的厚度，部分少数载流子将扩散到电池背面而产生复合，这将对电池效率产生重要影响。随着晶体硅太阳电池的薄片化，表面复合成为了影响太阳电池效率的关键因素
p-n结的硅片放入高温炉中，在高温下与氧化剂进行反应就可以长出一层SiO2薄膜，对太阳电池表面起到钝化作用。热氧化法制备的SiO2薄膜，由于热氧化二氧化硅中存在大量固定正电荷，这些固定正电荷将产生场效应

% ;第二阶段是加入热氧化工艺，并优化刻蚀、扩散匹配，效率提升至 21.7%;第三阶段，即将规模推广的 SE 技术效率将提升至量产 22% 。无论处于何种工艺阶段，核心的背钝化膜层的生长设备选型十分重要
已经形成p-n结的硅片放入高温炉中，在高温下与氧化剂进行反应就可以长出一层SiO2薄膜，对太阳电池表面起到钝化作用。热氧化法制备的SiO2薄膜，由于热氧化二氧化硅中存在大量固定正电荷，这些固定正电荷将

效率高，可靠性高; 2.先进的扩散技术，保证片内各处转换效率的均匀性; 3.运用先进的PECVD成膜技术，在电池表面镀上深蓝色的氮化硅减反射膜，颜色均匀美观; 4.应用高品质的金属浆料制作背场和电极
阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。单晶硅的提炼：纯度不高的单质硅可用金属镁或铝还原二氧化硅制得，但这是无定形硅。晶形硅则要在电弧炉内用碳还原

特征半径;T0 是参考温度，取边界温度;Tm为材料的相变温度;Fo 为傅里叶数;s 为热扩散率;Stefan 表示显热在整体中相对于潜热的比例，当Stefan 数很小时，表明显热的变化影响很小，忽略
，合上炉盖;测量结果及数据可利用软件做进一步分析。 4.4测试结果 Ba(OH)28H2O 的DSC 测试结果如图4 所示。从图4 可以看出，Ba(OH)28H2O 的相变温度为 78.043