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，投资金额5000万人民币。这家成立不足4年的公司，目前是全球钙钛矿太阳能组件光电转换效率的世界纪录的保持者。所谓钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells)，是利用钙钛矿的有机
有了很大的延展，它已经不特指钙钛复合氧化物，而用来泛指一系列具有ABX3化学式的化合物，在这里，A可以是甲氨基等有机分子基团，而B可以是铅原子(也可以是锡原子)，X则一般含有卤素原子。在太阳能电池

随着行业高效技术以叠加的方式不断往纵深方向发展，电池、组件厂与配套的供应链企业(如设备、材料等)之间的合作愈加紧密，而导电浆料(正面、背面银浆，背面铝浆)作为提升晶硅太阳能电池转换效率与组件
领域的基本情况与相关趋势;同时也从侧面了解到，作为供应商是如何看待行业高效电池与组件技术的发展，以及如何预判下一代技术路线。帝科董事长史卫利博士说：当下，我们与行业领先客户一起在积极推动高性价比的

效率的方法，考虑了新标准的太阳光谱、硅片光学性能、自由载流子吸收参数以及载流子复合与带隙变窄的影响，当硅片厚度为110m时，单晶硅太阳电池理论效率为29.43%。硅异质结(SHJ)太阳电池的模拟指出
/c-Si异质结太阳电池的载流子转移性能，模拟出理论极限效率为27.07%。上述的研究都认为，最佳的背场能够改善载流子的输运，降低载流子在PN结中的损失，并指出载流子迁移性能是提高SHJ电池转化效率的

的极限效率的方法，考虑了新标准的太阳光谱、硅片光学性能、自由载流子吸收参数以及载流子复合与带隙变窄的影响，当硅片厚度为110m时，单晶硅太阳电池理论效率为29.43%。硅异质结(SHJ)太阳电池的模拟
∶H/c-Si异质结太阳电池的载流子转移性能，模拟出理论极限效率为27.07%。上述的研究都认为，最佳的背场能够改善载流子的输运，降低载流子在PN结中的损失，并指出载流子迁移性能是提高SHJ电池转化效率

使用镀有白色陶瓷网格的玻璃，这样60片电池的双面组件正面功率可以提升近5W;Hi-MO3采用B面宽度30mm的边框使其可以承受正面5400Pa的静载，该边框采用短边无C面设计以降低对背面电池的阴影遮挡
的道理，如果安装高度不高或者地形地表环境复杂，双面组件上、下两部分将受光不均，此时半片双面组件的发电表现将优于全片组件(图2b)。图2：a)半片组件与全片组件(竖向安装)在阵列阴影遮挡时的

中建材浚鑫科技有限公司周二宣布，公司正与欧洲最大的能源管理企业WElink Energy合作，为Welink Energy在葡萄牙瓦凯鲁什的一座219兆瓦的大型光伏项目提供太阳能组件。据介绍
， 219兆瓦Solara4项目将采用661，000多片中建材浚鑫JT325 -340PAg多晶太阳能组件，中建材浚鑫已于2018年四季度开始批量发货。而中建材将负责整个项目的设计、采购及施工。电站建成后

化学气相沉积(LPCVD)系统，薄膜发电光伏产品的应用平台，开发和研究薄膜太阳能电池、组件及各种应用形式。爱康科技提出以高效 HJT 异质结电池+高效叠瓦组件为核心的产品技术路线。新一代迭代

，Cuevas等人报道了双面组件使用特殊的聚光系统后，其发电增益可达到50%。当前双面电池主要基于复杂的电池结构，如基于N型衬底双面或异质结结构的双面电池。然而，这些双面电池面临的挑战是它们通常需要
土地平整度等选择最佳的安装高度。图7 5、发电增益的计算公式其中： a = 1.037 A = 组件前后间距 E = 2.718 B = 8.691 H = 组件最低点和

高，正面无栅线使入射光子数量最大化;2)表面轻掺杂，增强了短波光谱响应;3) 基区和发射区的电极均制作在背面，可实现电池正、负极焊线的共面拼装，简化了光伏组件制作工艺流程，易实现自动化，提高生产效率
。图5 为HIT 太阳电池( 异质结太阳电池)结构示意图。HIT 太阳电池以高质量超薄本征非晶硅层对晶体硅基底材料的两面进行钝化，降低表面复合损耗，提高了器件对光生载流子的收集能力，从而形成

21.3-21.8%. 不过，这还与世界最高纪录相差很大2017年日本KANEKA公司的Yoshikawa等人以一种基于叉指背接触(IBC)技术和异质结钝化技术(HIT)的新型叉指背接触异质晶硅太阳能
1. 晶体硅太阳电池的钝化技术(图片来源Taiyang News 2017) (3)提高内建电场强度通过匹配不同禁带宽度的材料，制造异质结电池，提高内建电场强度，提升开路电压、拓展光谱响应范围

在外即太阳能级高纯度多晶硅原料依赖国外市场供应，而生产的太阳能电池及组件产品严重依赖国外消费市场的状况为行业快速发展埋下了巨大的隐患。2008 年，全球金融危机爆发，光伏电站融资困难，欧洲需求
69GW 的 71.01%;电池组件产量达到 53GW，占全球总产量 72GW 的 73.61%，产业链各环节生产规模全球占比均超过 50%，继续位居全球首位。2016 年，我国多晶硅进口