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综合

POLO触点单晶硅太阳能电池，两极都在太阳能电池背面。前方图片是在一块硅片上加工的七个太阳能电池背部，后方图片是整个前部。
POLO触点的高选择性是实现高效率的一个关键因素，背部叉指模式使用了这种触点，能够最大限度地减少多晶硅中的寄生吸收，避免金属指状物对正面的遮蔽。

图6c体现出背部全钝化接触与载流子一维传输特征，其中蓝色箭头表示电子传输。TOPCon最关键的技术就是超薄氧化层的制备。
利用IBC结构前表面无金属栅线，绒面陷光结构充分地利用了入射光，背部与SHJ和TOPCon技术全钝化接触优势相结合，这样能够在晶体硅太阳电池中取得更高的效率。

图6c体现出背部全钝化接触与载流子一维传输特征，其中蓝色箭头表示电子传输。 TOPCon最关键的技术就是超薄氧化层的制备。
利用IBC结构前表面无金属栅线，绒面陷光结构充分地利用了入射光，背部与SHJ和TOPCon技术全钝化接触优势相结合，这样能够在晶体硅太阳电池中取得更高的效率。

最近两年，在N-PERT电池工艺的基础上，德国弗朗霍夫研究所开发出TOPCon (隧穿氧化层钝化接触)技术。
同时也可以通过开发新技术来降低单晶硅的生产成本。 HIT电池今后努力的方向：研制低电阻低温浆料，优化沉积工艺，改善钝化层性能，寻求光透过率高及导电性好的发射层取代材料等。

早在 2009 年，荷兰国家能源研究中心(ECN)采用液态 B 扩散技术在 N 型太阳能级衬底上形成背部p 型发射极，并实现了N型 125125cm 2电池片的规模化生产。
此外，还开展了B扩散技术、离子注入技术形成p型发射极的IBC电池的研究。如图5展示了中科院微电子研究所太阳能研究中心制备的IBC电池。