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隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivating Contacts)，是一种使用超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层作为钝化层结构的太阳电池，同时兼具良好的接触性能，可以极大地提升
检测实验室标定全面积电池最高转化效率达到 25.4%，成为商业化全面积电池效率记录的保持者，为后续的 N 型 TOPCon 电池的扩产奠定基础。HJT 电池：传统晶体硅太阳电池的 p-n 结

近期报告。该报告发现，自2011年以来，中国在新光伏供货能力方面的投资是欧洲的十倍，这意味着包括多晶硅、硅锭、硅片、电池和组件在内，中国在所有光伏组件制造阶段的份额超过了80%。在这封由贸易机构
SolarPower Europe首席执行官签署的信中，签署方表示，"迫切需要为欧洲的大型光伏制造项目提供雄心勃勃的加速财务支持，同时为整条供应链提供有竞争力的成本支持措施，特别是能源密集型的多晶硅、硅锭

。 TOPCon 电池：全称隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivating Contacts)，是一种使用超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层作为钝化层结构的太阳电池，同时兼具良好的接触性能
太阳电池的 p-n 结都是由导电类型相反的同一种材料晶体硅组成的，属于同质结电池。而异质结(heterojunction，HJT)就是指由两种不同的半导体材料组成的结。其工作基本原理与普通太阳能电池相同

电池片一般分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅，单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料。为了降低生产成本
(Heterojunction Back Contact) 利用异质结(HJT)电池结构与交指式背接触(IBC)电池结构相结合，形成的新型太阳电池结构。这种电池结构结合了 IBC 电池高的短路电流与 HJT 电池高的开路

型TOPCon电池规划产能超过60GW，预估出货约15GW以上。每一种太阳电池结构都有其自身能到达的效率极限，技术迭代是历史必然。从钝化原理可能达到的最高电池效率与目前光伏电池设备供应链生态成熟度
电池，增加了硼扩散工艺，然后背面制备SiO/Poly-Si钝化接触结构。目前有三种方法制备钝化接触，最常用的是LPCVD沉积非掺杂的多晶硅，然后通过磷扩散对多晶硅进行掺杂，最后通过PECVD技术在前

每一种太阳电池结构都有其自身能到达的效率极限，因此光伏技术迭代是历史的必然，就像我们经历的PERC电池已经替代铝背场(BSF)电池一样。p型PERC(Passivated Emitter
在于减薄多晶硅层厚度和提升掺杂浓度，以提升钝化效果和增加长波长光谱响应。同时，在保证效率的同时将工艺窗口做大、保证量产工艺的稳定性，是当前量产最大的挑战。一道新能持续进行LPCVD设备优化和工艺优化，保证

很高，在PERC产线上新增多晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备和硼扩散设备就可升级为TOPCon产线，改造成本并不高。由此带来的直接结果就是，TOPCon电池、组件更具成本优势，更容易被电站业主接受
HJT组件产能居全球首位。到2025年，爱康科技的异质结电池、组件总产能规模将达40GW，引领全球异质结产业发展。技术实力方面，爱康先后聘请国家863高效异质结太阳电池项目总负责人彭德香为CTO

对公司利润产生一定不利影响。同日，中国有色金属工业协会硅业分会公布了太阳能级多晶硅最新价格，最高均价上涨至25.07万元/吨，这已是太阳能级多晶硅价格连续第12周上涨。各大企业抢购，再加上以散单价
能耗在成本中的占比很大。比如，太阳能级多晶硅生产中，能耗约占总成本40%左右。随着清理优惠电价政策的逐步落地，晶硅光伏产品的降本压力陡增。在双碳目标的背景下，发展清洁能源已成为全球共识，并上升为国家

长期自主研发，公司已经掌握了高效晶硅太阳能电池主栅及细栅银浆技术、TOPCon高效电池成套银浆技术、超低体电阻低温银浆技术等多项核心技术，并参与制定了SEMI发布的晶体硅太阳电池N型层接触用银浆技术规范
。截至2021年5月31日，公司累计获授权152项专利，其中发明专利144项，实用新型专利8项。目前，公司基于核心技术开发的产品已能满足多晶PERC电池、单晶单面氧化铝PERC电池、单晶双面氧化铝

技术科学和工程院院士、上海电力大学教授、上迈新能源创始人兼董事长。他仍然奋斗在新能源产学研的一线。他在多晶硅薄膜太阳电池和高效晶体硅电池的技术研究和产业化实践等方面取得了国际公认的突出成就，在中国和
，无锡尚德第一条10MW太阳电池生产线正式投产，缩短了与西方国家15年的差距，自此拉开了中国光伏大规模产业化序幕。随着无锡尚德等组件厂相继投产，成为了中国第一批现代意义的光伏组件生产代表，当时的无锡尚德在整个

当前，市场上的太阳电池大多以P型单晶硅电池为主，其制备工艺相对简单、成本较低，再加上单晶PERC技术和选择性发射极技术的引入，使得P型单晶电池组件效率得到大幅提升，目前量产效率已突破23%。但由于P
诱导衰减现象，可以进一步降低光伏发电的制造成本及系统成本，这使其成为高效晶体硅太阳电池的必选材料。据德国知名太阳能研究所(ISFH)在2019年的报告分析，以Topcon(Poly

随着光伏技术研发与产业化的不断进步，晶硅太阳电池的转换效率逐渐迈入26%的行列，马丁格林在Progress in Photovoltaics发布的太阳电池效率表格(58版)显示，转换效率25.5
%效率的晶体硅太阳电池均采用了钝化接触结构。早在2017年，中来光电就在量产电池中使用钝化接触结构技术，运用的是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide

掺杂多晶硅层组成，具有量产效率高、兼容现有产线等优点，被广泛认可为下一代主流晶硅太阳电池技术。因此，研究高效TOPCon电池技术、理解关键科学问题、突破核心材料技术、研制先进量产装备技术是当前光伏研究
(doi.org/10.2139/ssrn.3910800)，以及在Solar RRL上发表的多晶氮化硅高效TOPCon太阳电池方面的学术论文(DOI: 10.1002/solr.202100644)等文章

也好的发展，收益也会比较乐观。高平奇：晶体硅太阳电池转换效率极限及路径探讨在学习了碳交易的新知识后，我们继续回到光伏产业方面，中山大学材料学院副院长/教授高平奇院长为我们带来了《晶体硅太阳电池
，实现双碳目标是一场广泛而深刻的经济社会系统性变革。目前，晶体硅太阳电池发展现状是三种高效晶体硅太阳电池技术的路径之争。其中，HJT电池实验室1年之内达26%，再用3-5年有望达到27%，再10年

太阳电池的效率产生负面影响。因此，有学者提出电池设计方案中用薄膜将金属与硅衬底隔离的方案减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以
使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，极大地降低金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流，从而提升电池转化效率。 TOPCon 的发展历史其实

电池金属电极仍与硅衬底直接接触，金属与半导体的接触界面由于功函数失配会产生能带弯曲，并产生大量的少子复合中心，对太阳电池的效率产生负面影响。因此，有学者提出电池设计方案中用薄膜将金属与硅衬底隔离的方案
减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，极大

市场占有率仍在不断扩大。 TOPCon成套银浆产品未来市场空间广阔据了解，TOPCon 是一种在 PERC 结构电池基础上，在硅片背光面制备超薄膜氧化硅层和沉积高掺杂多晶硅层，以达到降低界面
高性能银铝浆开发项目和薄膜硅/晶体硅异质结(HJT)太阳电池超高导电性低温银浆开发项目以研发新型银浆产品，并取得了突破性进展。2020 年 TOPCon 电池用银浆的市场需求量在 100吨左右，其中聚和