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已经确认是B-O复合缺陷，而类型2缺陷则还未被完全解释。根据猜测，类型2缺陷由氢或金属杂质例如Fe、Co和Ni引起的可能性最大。UNSW最近报道了这些类型1缺陷和类型2缺陷同样出现在了 p型
LeTID效应让这项技术备受关注。 CSI通过结合硅锭材料控制、电池工艺优化、先进的在线控制技术，实现了LID可控多晶硅PERC电池和组件的大规模生产，到2017年底产能超过了1GW，并将

。中天科技上半年：新型金属基石墨烯复合制品材料，光伏背板材料、光伏支架、光伏电缆、接线盒，新能源汽车充电电缆、充电枪，脐带缆、水下接驳盒、水下特种连接器及其他海工器件产品，能源互联网关键支撑技术

薄膜、正背面电极、电场及PN结后测得整体暗的电池片平均寿命为8.76us，而正常片的平均寿命为11.45us(Fig.3-3c、d)，原材料中含有过多的杂质导致复合增加是造成Voc偏低的主要原因
数据如附表5，可以看出断栅处显示为黑色，说明此处没有电流通过导致响应变差，Fig.3-9b是断栅区域某根栅线的局部放大图片。 Fig.3-9断栅 4、结语本文讨论了原材料及电池片

均匀的，则m值为3。是电极的细栅线的金属层的薄层电阻，昆是主栅线的薄层电阻，这里直接考虑焊带电阻，公式为由式(2)～式(5)可知，选用低体电阻率的金属材料，并且增加主栅线和细栅线的厚度
。采用丝网印刷，电极材料为银浆，其体电阻率为3.0.cm，焊带体电阻率为2.0.cm。在AM1.5光谱下，电池的最大功率点电压Vmp为0.525V，电流密度Jmp大约为34mA/cm2。细栅线厚度为

。本项目是一个光伏复合型项目。为结合当地农业经济状况，因地制宜的建设与黄土旱塬生态环境有效结合的新农业、新景观旅游的新型光伏电站。本基地建设紧扣复合型新光伏电站、旅游等多种新能源新经济的模式，贯彻落实
陕西省渭南光伏应用领跑者项目(100MW)光伏区、35kV集电线路工程勘察设计(不含接入系统设计)、全部设备和材料采购供应、建筑(包括通水、通电、通路、场地平整)及安装工程施工、项目管理、设备监造

可能更侧重于解决电导、低温方面的问题。进行碳包覆，适度纳米化(注意，是适度，绝对不是越细越好的简单逻辑)，在颗粒表面处理形成离子导体都是最为典型的策略。 B、三元材料本身电导已经比较好，但是其反应
问题，其表面对于电解液较为敏感，锂的嵌入反应带有强的方向性，因此进行石墨表面处理，提高其结构稳定性，促进锂离子在基上的扩散是主要需要努力的方向。 B、硬碳和软碳类材料近年来也有不少的发展：硬碳材料嵌

基础安装一、混凝土基础安装按施工方式可分为：预制水泥基础和直接浇筑基础。根据其大小可分为：独立底座基础和复合底座基础。使用范围：混凝土平面屋顶。优点：承载能力强，抗洪抗风效果
下、混凝土直接放置在支架上。 ①支架与水泥基础基座螺丝连接 ②支架连同水泥基础一起浇筑 ③支架直接压在混凝土基础凹槽下 b.圆形柱圆形柱基座从连接方式上分为：支架与混凝土

来源：公开资料整理 B、非蓝宝石衬底市场存在发展空间蓝宝石材料当前主要用于 LED 行业，但其可广泛用于消费电子产品、军工产品、医疗植入品等，其中消费电子行业对蓝宝石的需求潜力较大。当前消费
用于光伏硅材料、蓝宝石等硬脆材料切割，而该等材料的主要传统切割方式为砂浆切割。因此，金刚线行业的市场空间主要取决于两个因素：一是金刚线对传统砂浆切割的替代程度，二是光伏行业、蓝宝石行业的发展状况

年轮状，其产生的原因主要在于单晶提拉过程中氧杂质分凝以及空位的聚集所产生的呈圈状分布复合缺陷。EL测试下的黑斑形状不同于黑芯片，而且产线实验也已排除原生硅片材料质量问题，因此有必要对黑斑片的产生原因和
发电成本的主要途径。目前，国内外对于电池的隐裂、断栅、裂片等失效分析进行过深入的研究，然而对于黑斑片却鲜有报道。在p型晶硅电池的大规模生产中，电池的检验常用电致发光(EL)检测仪，根据硅材料的

。图5 为HIT 太阳电池( 异质结太阳电池)结构示意图。HIT 太阳电池以高质量超薄本征非晶硅层对晶体硅基底材料的两面进行钝化，降低表面复合损耗，提高了器件对光生载流子的收集能力，从而形成
高效的新型晶体硅太阳电池。其主要优势有：1) 采用低温技术，整个烧结工艺可在200 ℃左右完成，减少能耗，降低成本;2) 光电转换效率高;3) 稳定性好，没有形成B-O复合体而导致的光衰效应

较为方便，可以根据地形调整基础顶面标高，顶标高易控制，混凝土钢筋用量小，开挖量小，节约材料、造价较低、施工速度快; 对原有植被破坏小。 3)缺点对土层的要求较高，适用于有一定密实度的粉土或可
浇筑基础。根据其大小可分为：独立底座基础和复合底座基础。下文按此分类进行阐述。 1、独立底座基础独立底座为前后支架分开放置在混凝土平面屋顶上，独立底座按柱体形状分为方形柱、圆形柱。 a.

产生的原因主要在于单晶提拉过程中氧杂质分凝以及空位的聚集所产生的呈圈状分布复合缺陷。EL测试下的黑斑形状不同于黑芯片，而且产线实验也已排除原生硅片材料质量问题，因此有必要对黑斑片的产生原因和相关生产工艺
。目前，国内外对于电池的隐裂、断栅、裂片等失效分析进行过深入的研究，然而对于黑斑片却鲜有报道。在p型晶硅电池的大规模生产中，电池的检验常用电致发光(EL)检测仪，根据硅材料的电致发光原理对组件进行

年轮状，其产生的原因主要在于单晶提拉过程中氧杂质分凝以及空位的聚集所产生的呈圈状分布复合缺陷。EL测试下的黑斑形状不同于黑芯片，而且产线实验也已排除原生硅片材料质量问题，因此有必要对黑斑片的产生原因和
发电成本的主要途径。目前，国内外对于电池的隐裂、断栅、裂片等失效分析进行过深入的研究，然而对于黑斑片却鲜有报道。在p型晶硅电池的大规模生产中，电池的检验常用电致发光(EL)检测仪，根据硅材料的

、电池片、EVA、背板。由于EVA材料不可能做到100%的绝缘，特别是在潮湿环境下水气通过作为封边用途的硅胶或背板进入组件内部。EVA的酯键在遇到水后按下面的过程发生分解，产生可以自由移动的醋酸。醋酸和玻璃
。 EL的测试原理如图1-7所示，晶硅太阳电池外加正向偏置电压，电源向太阳电池注入非平衡载流子，电致发光依靠从扩散区注入的大量非平衡载流子不断地复合发光，放出光子;再利用CCD相机捕捉到这些光子，通过计算机