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，现对A区项目、B区项目单晶硅太阳能电池组件采购进行公开招标。 2. 项目概况与招标范围项目概况：本项目光伏电站装机容量40MW，采用单晶硅太阳能电池双玻双面发电组件作为光电转换装置，建设地点

有限公司（股票代码：835941，以下简称：启鑫新能）以推动户用分布式市场为契机，展示了由其自主研发制造的企鹅N型单晶双面电池双玻组件。同时，也借着此次盛会隆重推出全新打造的分布式子品牌阳光致家，开启启鑫
电池双玻组件新品发布会正式开始。发布会上，启鑫新能资深工程师、启鑫杭州户用光伏电站直营分公司负责人以及启鑫新能光伏电站运维部负责人分别对企鹅N型单晶双面电池双玻组件、启鑫分布式子品牌意义和运营模式以及启鑫

金刚线切割技术的多晶硅厂商将会逐渐被淘汰。对于组件厂商来说，由于降本增效的要求，未来将是高效组件的天下。目前来看， PERC组件、黑硅组件、双玻组件、双面组件等高效产品将会成为市场的宠儿。而那些效率偏低
还会有N型双面电池等新型高效电池的发展。所以总体而言，补贴的退坡将很大程度上引发组件的价格下降。而从目前组件工艺改进及电池效率提升来看，行业已经对补贴的退坡有所准备。补贴拖欠难解，2018年或将得

、双玻组件、双面组件等高效产品将会成为市场的宠儿。而那些效率偏低，工艺落后的组件将逐渐退出舞台，未来没有技术优势，无法生产高效组件的企业将难以跟上行业发展的脚步。对于下游电站投资商来说，由于分布式的爆发
的普及；在电池效率提升方面，有PERC电池的扩产，后续还会有N型双面电池等新型高效电池的发展。所以总体而言，补贴的退坡将很大程度上引发组件的价格下降。而从目前组件工艺改进及电池效率提升来看，行业已经对

更高切割速度和更低硅耗，毫无疑问，无法普及金刚线切割技术的多晶硅厂商将会逐渐被淘汰。对于组件厂商来说，由于降本增效的要求，未来将是高效组件的天下。目前来看， PERC组件、黑硅组件、双玻组件、双面
金刚线切割等工艺优化的普及；在电池效率提升方面，有PERC电池的扩产，后续还会有N型双面电池等新型高效电池的发展。所以总体而言，补贴的退坡将很大程度上引发组件的价格下降。而从目前组件工艺改进及电池效率提升

索比光伏网讯:1、nPERT双面电池技术背景近年来，N型硅太阳电池由于其优越的性能，包括高的体寿命、对金属杂质高的容忍度以及没有P型材料中由于硼氧（B-O）复合体所造成的光致衰减（LID）效应
比对3、nPERT双面电池组件技术优势双玻光伏组件就是指由两片玻璃和太阳能电池片组成复合层，电池片之间由导线串、并联汇集到引线端所形成的光伏电池组件，组件结构示意图如下：图3 双玻组件结构示意图

提高当地电力使用效率，节约居民电费开支提供解决方案。全球巡展热抵赌城比亚迪新能源北美根深叶茂继6月在德国慕尼黑惊艳欧洲市场后，比亚迪新能源产品阵容热抵北美，展出包括双面双玻组件在内的4款新型太阳能组件
太阳能展览会，并带来一系列令人激动的重磅消息比亚迪斩获美国地区170MW太阳能组件订单，订单金额破千万美元；同时家用储能系统B-Box高压版顺利完成全球首例安装，并计划进入美国市场。获行业巨头认可斩获

3楼302、305A、305B厅颁奖盛典晚宴：时间： 8月24日 18:00-21:00 地址：上海跨国采购会展中心3楼301明珠厅大咖云集 (特邀嘉宾，排序不分先后
，隆基乐叶独有的低衰减技术更使其首年衰减低于2%，相对常规组件可多发电≈3%;在此基础上隆基乐叶在2017年SNEC展会上推出了Hi-MO2，采用双面PERC技术，在保障产品正面功率的情况下使其具有了

光电转换效率大于21.5%，背面光电转换效率大于15%，60片电池双面双玻组件平均功率增加20%，可达到360W。浙江爱旭(广东爱康旗下全资子公司)，作为8GW PERC高效电池量产基地
体现出明显优势，同时其电池/组件端产能良率偏低，成本居高不下。广东爱康在抗光衰技术上获得了新突破，在Cz法-掺B硅片的基础上，将单晶PERC电池的20 kWh LID(光致衰减)降低至1.5

机理与实证光衰及新型光衰(LID、LeTID) 背板的改进 EVA的改进双面发电双玻组件单晶PERC产品兼具成本与性能优势，是目前最有竞争力的产品，未来还具有很高的效率增长
Al-B-BSF掺硼铝背场 base1ms_1ms P型硅片 4BB4主栅 Multi wire多主栅 finger10m_10m栅线空心材料的改进实心结构的改进资料来源：B

来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与
更稳定可靠，电池片背面的平面金属箔还可起到隔绝水汽和增强散热的作用，在高温高辐照度区实际发电量优势更为明显。双玻组件双玻是一个平台型的技术理念，所有电池（PERC、黑硅、IBC、HIT）、组件（单晶