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影响黑硅表面的光学特性，然后在黑硅发射极表面原子层沉积Al2O3，起到优异的表面钝化效果。　　1.引言黑硅表面有纳米级小山峰，反射率很低。通过优化反应离子刻蚀（RIE）工艺的参数来制作黑硅，由于其在很宽
的波段范围内反射率都很低且接受角广而备受关注。除了RIE还有其他制作黑硅的方法，如激光制绒、金属催化湿化学刻蚀、等离子体浸没离子注入等。黑硅在太阳能电池应用中的一个难题是黑硅表面面积增大而导致表面复合

。Terres等人使用飞秒激光器成功制备出黑硅并验证了其转换效率比非制绒硅电池效率高。局部金属催化湿化学腐蚀的方法也可以制作黑硅，电池效率能达到12-14%。反应离子刻蚀（RIE）技术被广泛应用于制备黑硅
在2%的HCl和10%的HF中去除金属离子、杂质、氧化层。在825℃条件下，使用POCl3扩散。然后边缘刻蚀，在体积分数10%的HF溶液中去除磷硅玻璃。采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)沉积

痕等外观缺陷，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法;②气相腐蚀法
;③反应离子刻蚀法(Reactive Ion Etching，RIE);④金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE)。目前，具有量产可能性的

更高并有明显的线痕等外观缺陷，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法
；②气相腐蚀法；③反应离子刻蚀法（Reactive Ion Etching，RIE）；④金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）。目前，具有量产

，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法；②气相腐蚀法；③反应离子刻蚀法
黑硅技术一直停留在实验室阶段。湿法黑硅技术基本原理如图2所示，采用 Au、Ag等贵金属粒子随机附着在硅片表面，反应中金属粒子作为阴极、硅作为阳极，同时在硅表面构成微电化学反应通道，在金属粒子下方快速刻蚀硅基

气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射
就是采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。 2.2发射区扩散 PN结特性决定了太阳能电池的性能!传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。但研究发现

，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术（RIE）是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK（掩膜）再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒
采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。 2.2发射区扩散 PN结特性决定了太阳能电池的性能！传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂，且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。但研究发现表面

（通常是碱金族的氢氧化物），将硅表面蚀刻出类似金字塔的微米结构；而黑硅是利用反应离子刻蚀（Reactive-Ion Etching， RIE）在表面蚀刻出奈米等级的小结构。利用碱液蚀刻出来的结构尺度较大
，抗反射效果比较差，而且蚀刻过程损失的硅也比较多；而利用反应离子刻蚀不仅结构小，损失掉的硅也比较少，抗反射效果也比较好。抗反射有两个重点，一是宽波段，二是广角度。太阳光光谱从紫外光、可见光一路到

全新的Centris Sym3刻蚀系统采用创新腔室架构，可使材料清除达到原子级精度该系统已成功安装于多家客户的主要生产线中，成为公司历史上应用率上升最快的蚀刻设备加利福尼亚州圣克拉拉
，2015年7月13日应用材料公司今天宣布推出下一代刻蚀设备Applied Centris Sym3 刻蚀系统。该系统设有全新的反应腔，可实现原子级精度工艺。为了克服芯片内部特征差异，Centris

课题。在目前的制造工艺中，单晶或准单晶硅片的通用制绒工艺采用碱液金字塔刻蚀法，硅表面形成随机金字塔结构，可对太阳光进行两次反射，一般反射率在10%左右。而具有倒金字塔形状的凹坑结构是更为理想的绒面
时至今日仍然没有大的进展，成了一个公认的国际难题。中国科学院物理研究所清洁能源实验室研究员杜小龙研究组经过5年多的攻关研究，终于利用纳米金属颗粒催化化学刻蚀这一新工艺在晶硅倒金字塔制绒上取得了重大进展。刘尧

研究表明，太阳能电池上的硅片表面上几分钟内形成的光吸收孔洞与尖峰。在莱斯大学的科学家们进行的试验中，金在黑硅上起到双重作用，其一是作为电极，其二是作为催化剂在几分钟内对硅片表面进行刻蚀
接触辅助性化学刻蚀，这种新方法应用于薄金线的排布，而在传统方法中,金仅用作电极使用。这种方法也不需要去除反应过的催化颗粒。研究员发现化学浴中，刻蚀反应发生在距金线一定距离的位置上。Barron