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硅太阳能电池侧切面“钝化边缘技术”（PET）研究

来源：索比光伏发布时间：2023-12-15 17:28:14

静置时间不同是为了研究电池切片后到ALD沉积这段静置时间对电池性能的影响。在室温环境中，裸露的硅片边缘会自然的生长二氧化硅。
三、边缘钝化A.电池PET实验计划本实验的目的，通过使用SunsVOC测试仪研究不同激光划片工艺对整片电池划片后的影响，工艺流程如图6所示。同时，还研究了AlOx薄膜沉积和退火工艺对电池性能的影响。

ALD

应用于高空飞行器的薄硅“SE+PERC”太阳电池的研发

来源：索比光伏发布时间：2022-10-18 16:25:05

2.1 激光掺杂 SE 工艺对掺杂效果的影响激光掺杂 SE 工艺主要是利用激光辐照在硅片表面产生热效应，从而使磷硅玻璃瞬间升温、熔融，在高温下磷 (P) 原子向硅片发射极扩散，从而实现局域掺杂的工艺

太阳电池

什么是perc电池？perc太阳能电池原理|技术|生产流程|工艺流程详解！

来源：索比光伏发布时间：2018-07-20 10:41:40

钝化膜硅片内部和硅片表面的杂质及缺陷会对光伏电池的性能造成负面影响，钝化工序就是通过降低表面载流子的复合来减小缺陷带来的影响，从而保证电池的效率。

perc电池

有了它选择性发射极SE技术 PERC量产效率轻易突破22%？

来源：索比光伏发布时间：2018-07-19 09:37:53

扩散温度的降低影响硅片表面磷硅玻璃层的形成，减弱了磷硅玻璃层对磷扩散的阻碍作用，使方块电阻的片内均匀性偏差。另外，在大规模生产中，缩短工艺实验可以提高产量，节约生产成本。

PERC产量

P型单晶电池黑斑怎么产生的？

来源：索比光伏发布时间：2018-07-04 09:32:55

EL测试下的黑斑形状不同于黑芯片，而且产线实验也已排除原生硅片材料质量问题，因此有必要对黑斑片的产生原因和相关生产工艺进行更加详细深入的研究。
1 实验采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。

单晶电池

分析 | 晶硅电池黑斑分析！

来源：索比光伏发布时间：2018-06-08 18:00:00

EL测试下的黑斑形状不同于黑芯片，而且产线实验也已排除原生硅片材料质量问题，因此有必要对黑斑片的产生原因和相关生产工艺进行更加详细深入的研究。
实验采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为190±10μm，电阻率为2±0.5Ω·cm。

晶硅电池

激光掺杂选择性发射极单晶硅太阳电池的工艺研究

来源：索比光伏发布时间：2018-05-28 10:20:10

太阳能电池

P型单晶EL黑斑分析

来源：索比光伏发布时间：2018-05-24 10:24:56

太阳能电池

PERC之外，N型高效电池是个什么GUI？

来源：索比光伏发布时间：2017-10-18 17:21:40

，相对比较简单的电池结构，且与现有产业化生产比较好的兼容性，成为近些年行业研究的热点，不同国家不同机构的研究人员开展了大量富有成效的工作。

N型太阳能电池

全球首届n型单晶硅双面发电光伏组件与电站设计创意大赛

来源：索比光伏发布时间：2016-06-29 14:53:31

核心工艺技术中来双面电池使用n型硅片，正面硼扩散形成p+层，背面离子注入磷扩撒形成n+层，双面沉积氮化硅减反膜，最后印刷银电极，核心工艺技术为：扩散工艺(源的选择、温度和时间等参数对p-n结特性的影响

光伏展会

你了解N型高效单晶光伏电池技术吗？

来源：索比光伏发布时间：2016-02-23 00:03:00

光伏电池

【技术】N型黑硅光伏电池知多少？

来源：索比光伏发布时间：2015-11-12 00:09:00

对照组电池的FF也低，这可能与基体电阻率高有关，但还需要做进一步的实验研究，这是因为其虚拟填充也比预期的低说明FF低不是串阻影响的。通过IV曲线没有观察到分流。

光伏电池

【独家】栅线电极数量对太阳电池电性能的影响

来源：索比光伏发布时间：2015-07-24 10:26:28

磷是常用的n型杂质，现在常用的工艺是载气通过液态的POCl3混入少量的氧后通过排放有硅片的加热炉管，这样硅片表面就生成含磷的氧化层。在规定的炉温下（800℃到900℃），磷从氧化层扩散到硅片中。

丝网印刷

不同方阻对高电阻率太阳能电池片电性能的影响

来源：索比光伏发布时间：2015-04-03 00:00:00

摘要：主要研究了不同方阻对高电阻率太阳能电池片电性能的影响，高电阻率电池片其短路电流（Isc）、开路电压（Uoc）会随着扩散方阻的增大呈线性增长，填充因子（FF）会随着扩散方阻的增大呈线性减少，而光电转换效率

不同方阻对高电阻率太阳能电池片电性能的影响

不同硅片电阻率对磷扩散的影响研究

来源：索比光伏发布时间：2014-06-26 00:00:00

针对与此，该工作采用不同电阻率硅片进行实验，得到了扩散后不同扩散方阻的硅片，并对扩散硅片的表面浓度和结深进行了研究。

不同硅片电阻率对磷扩散的影响研究

列数各类高效晶硅太阳能电池

来源：索比光伏发布时间：2012-05-07 10:55:19

研究证明，在多晶硅太阳电池上，不同材料的吸杂作用是不同的，特别是对碳含量高的材料就显不出磷吸杂的作用。
吸杂工艺也在微电子器件工艺中得到应用，可见其对纯度达到一定水平的单晶硅硅片也有作用，但其所用的条件未必适用于太阳电池，因而要研究适合太阳电池专用的吸杂工艺。

晶硅电池

列数各类高效晶硅太阳能光伏电池

来源：索比光伏发布时间：2012-05-07 09:06:57

列数各类高效晶硅太阳能光伏电池

晶体硅太阳电池减反射膜的研究

来源：索比光伏发布时间：2011-08-10 15:18:26

由于影响PECVD系统淀积效果的参数很多，如气体流量和流量比，工艺腔温度，射频功率，沉积气压等等，而且对不同的PECVD设备会有不同的最佳参数，我们有必要就主要的控制参数进行研究，摸索出在这台PECVD

晶体硅太阳电池减反射膜的研究

东方日升：2010年年度报告

来源：索比光伏发布时间：2011-02-23 00:00:00

l 扩散工艺采用高浓度浅结扩散工艺技术，有效改善了 P-N 结(电池正负极)，提高了太阳能电池片对太阳光的吸收率，从而提高了转换率;采用磷吸杂技术，增强了太阳能电池片对蓝光的响应，使硅片表面易于钝化

东方日升：2010年年度报告

太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 17:25:56

黄芳龙进一步研究了扩散对Cu2S/CdS太阳电池效率及稳定性的影响。扩散会改变电池各元素的组成比，导致电池效率下降，特别是封装材料中C和Cu2S层中Cu的扩散最甚。

太阳能光伏

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