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、拉美等新兴市场国家将逐渐引领全球市场增长。 (2)行业逐步由B2B转向B2C，分布式光伏发电未来可期光伏电站主要分为集中式光伏电站和分布式光伏电站两种。集中式光伏电站充分利用荒漠地区丰富和相对稳定
沉积来生产高纯度多晶硅棒料，REC旗下的REC Silicon公司采用过此方法生产电子级多晶硅;后来出现了另一类方法硅烷流化床法(Silane FBR)，以STC、H2、冶金硅和HCl为原料在

s Commodities B.V.法国 66洛阳栾川钼业集团股份有限公司中国 67Glencore plc瑞士 68Acciona Energa S.A.西班牙 69中美矽晶制品股份有限公司中国台湾 70
Ltd.日本 439REC Silicon A.S.A.挪威 440Cabot Corporation美国 441Ube Industries Ltd.日本 442Kingspan

1.晶硅组件的光衰硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出
了该缺陷的结构(2003)。Axel Herguth提出了再生态理论解释初始光衰后功率恢复并保持稳定的原理(2006)。P型多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而恢复过程不明显，该衰减被认为不仅与B-O对

恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅
中的间隙氧原子。同时，由两个间隙氧原子组成的双氧分子O2i与替位的硼原子结合，从而形成B-O复合体。这种观点已得到Adey等的理论计算支持，并提出了如下反应的B-O形成机制模型。 2 改进

索比光伏网讯:1、nPERT双面电池技术背景近年来，N型硅太阳电池由于其优越的性能，包括高的体寿命、对金属杂质高的容忍度以及没有P型材料中由于硼氧（B-O）复合体所造成的光致衰减（LID）效应
控制。在扩散前期，BBr3反应生成B2O3，后者沉积在硅片表面，并在高温作用下扩散进入硅基体，这与磷扩散时POCl3先生成P2O5再沉积到硅片表面的过程相类似。不同的是，P2O5在850℃时为气相，可以均匀

晶硅电池由于p+发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷
一种非常有应用前景的N型高效电池的技术。图6德国FraunhoferPassDop技术PERL电池结构示意图图7PassDop激光掺杂示意图(a)基体硅背面（b）沉积磷掺杂的a-SiCx钝化层（c）激光

第十一届（2017）国际太阳能产业及光伏工程（上海）展览会暨论坛期间推出五款全新的金属化浆料。同时，贺利氏光伏还将针对不同的光伏电池技术，继续为光伏电池制造商提供高效解决方案。SOL9641B 系列将助力
PERC 电池效率迈上全新的台阶贺利氏全新的 SOL9641B 系列可适用于 ULDE 和 PERC 单晶硅和多晶硅电池，该系列采用改良的副栅线设计，可显著提升电池效率（最多可提升 0.2

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广，对传
方式对LID值的影响。1LID的影响因素影响LID的因素为：1)硼氧(B-O)复合体。B-O复合体是影响LID的主要因素之一，LID值与B浓度成正比，与O浓度平方成正比。2)晶体内部碳(C)含量。高浓度的

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广
晶体生长方式对LID值的影响。 1LID的影响因素影响LID的因素为：1)硼氧(B-O)复合体。B-O复合体是影响LID的主要因素之一，LID值与B浓度成正比，与O浓度平方成正比。2)晶体内部碳

每锭C15块挑选底部相同高度位置硅片进行形核对比如图1(b)与1(c)。可以看出两种技术都可以获得尺寸小而且均匀的晶粒分布。有籽晶高效多晶硅技术硅锭获得的小尺寸晶粒来源于底部碎小的硅料外延生长，而无
直接关系。因此特定的温度区间内晶向分布相对集中，某种晶向会占据比较高的比例。图4b所示为晶界检测结果对比，通过对比可以得出有籽晶高效多晶硅锭具有较高比例的随机晶界。位错团簇往往易湮灭于随机晶界

有色集团在中国玉林市合资成立的多晶硅厂，产能预计包含：19,000公吨的小芯片多晶硅（FBR-B次世代技术）、300公吨的西门子制法多晶硅、500公吨的甲烷气体。该厂预计在2017年下半年投产，REC今年投资之资本为1,500万美金。原标题:REC Silicon将重启FBR法多晶硅生产

、减反膜寄生吸收、长波段不完美光陷阱、自由载流子吸收的影响等，如图3所示。图3 IBC电池单层膜(a,c)及多层膜(b,d)的光学损失分布图在电学方面，和常规电池相比，IBC电池的性能受前
。参考文献 R.J. Schwartz and M.D.Lammert, Silicon solar cells for high concentrationapplications