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结论是，二层堆叠分别为Ni2Si和NiSi。500℃退火后，单层NiSi出现在控制样品的Ni/Si界面(图3(b))。但是，钝化样品的表现完全不同。400℃退火后(图3(d))，Ni与Se钝化Si
)上的悬空键，如图1(b)所示。我们已有论文报道过硫或硒用于Si(100)表面的价补钝化，然而，对于万亿瓦级光伏应用，硫比硒丰富得多。电学上，中止Si(100)表面上的悬空键使表面态最小化，这一

虽然光伏行业仍处于寒冬，但是危机时期也是积蓄力量的最佳时期，有远见的光伏企业积极投入，技术产品上推陈出新，战略上提前布局。也许是光伏企业相信，光伏的寒冬迟早要过去，各大光伏企业未雨绸缪，以免晚于别的
部、工业和信息化部联合发布的《财政部工业和信息化部关于下达2012年第二批科技成果转化项目补助资金的通知》（财建［2012］258号文）中，厦门科华恒盛股份有限公司以高频环节逆变技术在节能降耗与新能源变换

。H2/SiH4流量比为50；B2H6/ SiH4流量比在1-5%之间变化。本研究中，p+掺杂层的薄膜厚度在玻璃衬底上用表面轮廓仪和椭偏光谱仪（SE）测量。对于所用的最高掺杂水平，淀积速率调整到24nm
23%；⑵ 抑制了高工作温度时的效率下降；⑶ 太阳电池加工比较简单，能在低于200℃的温度下进行。这种低温等离子加工技术很容易扩大规模，因而能大大降低制造成本。但是，大多数工艺研究是用等离子增强化学汽

　　太阳能光伏这个词汇发展到今日，大家已经对它不再陌生。我们通常所说的太阳能发电指的是太阳能光伏发电，简称光电。光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键
元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。回顾历史有利于了解光伏技术的发展历程，按时间的发展顺序

可能发生的国际技术纠纷，用自己公司的实际案例来证明，中小企业过硬的技术和质量保证，可以赢得客户的信任和尊重，才能更好的立足于这个行业。最后他总结了下一个五年中国中小光伏企业的发展方向的关键词：战略撤退
、整合、高精尖与产业链。无锡开日新能源科技有限股份刘杰以多晶硅铸锭发展趋势为议题，进行了一次纯技术性的演讲，也引起了各企业代表的积极提问。开日能源科技股份有限公司是一家专业制造太阳能光伏设备的企业

，进行了一次纯技术性的演讲，也引起了各企业代表的积极提问。开日能源科技股份有限公司是一家专业制造太阳能光伏设备的企业，也是国内新兴的光伏设备制造商。拥有FT500，KR-800A， KR-800B等多晶硅
太阳能电池片整线装备和工艺的研发和生产，并逐步进入太阳能电池片、组件及光伏电站等高端领域。该集团的光伏研究院的技术创新及成果包括：业内首创多晶槽式制绒、高方阻扩散、高均匀管式PECVD、高精度SE工艺电极

的技术开发都致力于提高效率和降低运营成本★Centrotherm SiTec公司多晶硅铸锭炉的主要订单来自于台湾　　今年第26届欧洲太阳能光伏会议和展览会（EU PVSEC：9月5日至8日，2011年
，汉堡），centrotherm photovoltaics AG公司将展示在太阳能产业链上可以提升效率的技术和系统。由于太阳能电池及组件制造商之间竞争激烈，因此对效率提高与运营成本降低的要求十分迫切

，大晶粒晶向1005。技术方面，凤凰光伏在理论上得出，准单晶A区比普通多晶高0.1%0.2%，准单晶B区比普通多晶高0.40.6%，准单晶C区效率比CZ单晶低0.20.4%；在准单晶正常投料的情况下
，平均衰减为0.4%0.6%。在凤凰光伏将试产单晶硅片送至相关的电池生产商，在大生产线投放后得到的数据基本相同，光衰减为0.5%。准单晶硅锭中A、B、C区制成的电池片获得了不同的技术参数，具体如下：A区

本趋势。CdTe太阳能电池的低成本在2009年击败了其他技术，但薄膜硅太阳能电池看来在2010年也可能降到此一水准。图由Nikkei Electronics依据FujiKeizai和First
多晶硅太阳能电池模组制造成本比例的变化（b）。模组制造成本下降了90日元/W，其中80日元/W是由于硅晶圆成本的降低所贡献的。图（a）为本站的调查。（b）是本站依据富士经济的数据制成。由于硅明显地

：Si、Ⅱ-Ⅵ族化合物CdX（X=S、Se、Te）、Ⅲ-Ⅴ族化合物（GaAs、InP）、二硫族层状化合物（MoS2、FeS2）、三元化合物（CuInSe2、CuInS2、AgInSe2）及氧化物半导体
膜技术在n-Si电极表面修饰排列有序的Pt团簇（平均直径为4nm），其开路电压达到了0.685V。金属和金属氧化膜的表面修饰加速了光生空穴的界面转移，从而有效抑制了电极自身光腐蚀，同时也提高了光电性能