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驱体的选择上， Tempress 和 Centrotherm 主要采用三溴化硼，由此产生的硼硅玻璃易使石英件粘黏，减少设备的正常运行时间，通过减少前驱体的消耗量可以得到较好的解决。Semco
技术的 LPCVD 设备均可以同时生长隧穿氧化物和多晶硅薄膜且不破坏真空，同时还可以实现多晶硅掺杂，缺点在于沉积过程会产生绕镀，主要生产厂家包括 Centrotherm、捷佳伟创、SEMCO 和

近日，德国光伏生产线设备供应商Centrotherm International AG表示，今年上半财年高效光伏电池生产线设备订单价值1.55亿欧元，是去年同期水平的四倍
。 Centrotherm表示，截至2019年6月30日，未完成订单已增加至1.957亿欧元。这家总部位于Blaubeuren的公司上半年的营业额仅为3700万欧元，订单出货比为4:2。 Centrotherm去年

(schmid，centrotherm) 特点：要求掩膜的印刷特性要好，抗氢氟酸要好，容易清除。工艺步骤简单。困难在，扩散均匀，印刷对齐。schmid 的腐蚀法SE 电池交钥匙工程
，centrotherm 的激光刻蚀氧化膜SE电池交钥匙工程。四、湿法腐蚀重扩散层/等离子体刻蚀重扩特点：湿法可用氢氟酸和硝酸体系或强碱，将暴露的重扩散层腐蚀成浅扩散层。要求耐腐蚀浆料。干法等离子体，用四

间接等离子：等离子没有直接和硅片接触，基片不接触激发电极( Roth&Rau) 直接等离子：等离子直接接触硅片，基片位于一个电极上，直接接触等离子体( Centrotherm 、岛津
; 解决：对于弯曲片，因Centrotherm工艺原理所限，没有办法，所以弯曲片只能在平板机器上做; 5.石墨舟掉片子，如下图所示：原因：员工上料不牢，在机内碎片; 解决：掉了一片，就导致

6.4eV，折射率1.65左右，可以提供较好的背面光学反射功能。氧化铝的厚度根据沉积方式的不同，厚度也不一样，一般分为PECVD模式(主要厂家是Meyer Burger，Centrotherm和
硅片、控制硅片内的氧含量;其二是对电池片通过在一定温度下进行光、电注入，使B-O对中性化不会吸附产生的少数载流子，从而减少光衰，设备厂家有Centrotherm、科隆威、Schmid、时创等。随着

由于计划清算多晶硅设备和工程子公司SiTec GmbH并对整个子公司进行拆分，2017年下半年，专业太阳能光伏设备供应商Centrotherm International的处境雪上加霜
。 Centrotherm之前表示，由于取消了阿尔及利亚的一个价值2.9亿欧元的集成电站(硅片/电池/组件)项目，公司在与CEEG的仲裁案中落败，这可能导致公司及其项目合作方需支付约1100万欧元。然而