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用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的

。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要;Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9%;第一个光伏电池供电的卫星先锋1号发射
，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。1969年，半导体所停止了硅太阳电池研发，随后，天津18所为东方红二号、三号、四号系列地球

本会场将进行光伏系统和电站标准制定技术研讨会。我们有请中电联标准中心水电及新能源处副处长汪毅先生主持。　　第二个我们有请全国太阳能光伏能源系统标委会秘书长刘彦龙先生主持太阳电池和组件标准制定技术研讨会
。然后在UV1000小时以后，第三代的衰减会超过第二代和第一代。我们画了一条横线，以20N/cm，我们看到做完1000小时以后，没法满足基本要求。相比而言，我们选择如果是TPT背板的话，跟UV之间的

电镀金刚石钢丝线切割的工艺）生产的单晶硅片，产品包括直拉N型单晶硅片、直拉区熔单晶硅片等。公告显示，备忘录约定拟由SunPower菲律宾提供多晶硅原料，环欧国际进行晶体、晶片制造并销往SunPower菲律宾的
5项战略合作协议，相关协议也有助遏止乱杀价。据了解，台湾厂商已取得海南省金太阳工程项目50MW，未来并将扩大于海南省之新能源项目合作，以及与中国大陆标准认证机构建立两岸太阳电池片基准电池共通标准平台

G.L.Pearson获得太阳能转换器件专利权。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要；Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9
1969年底，半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。1969年

合掉了,从而会使电池效率大大下降。尽管n型硅材料的少子迁移率较小,但其寿命较长,且对杂质沾污的敏感性较低,所以比较适合于制作背结电池。2.1.1IBC太阳电池IBC
后进入n型衬底形成n+区,而未印刷掩膜层的区域,经磷扩散后形成p+区。通过丝网印刷技术来确定背面扩散区域成为目前研究的热点。图1早期IBC太阳电池2.1.2PCC太阳电池美国SunPower公司利用