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调整之前需求量持续上涨的推动作用。”2016年9月4至5日，高纪凡应邀出席B20峰会。高纪凡表示：“通过参与B20峰会与全球商业领袖交流，我希望传递更多关于创新、包容发展的信息与理念。在太阳能领域创造
市场价格环境。我们的竞争力和市场影响力都受到了不公正的阻碍，因此决定退出。”2016年10月24日，晶科能源宣布，公司被任命为2017年B20峰会“能源和气候”工作组六个联席主席之一，受德国B20轮值

，四季度国内光伏市场需求逐步回暖。目前，行业也显现出一些新趋势：第一，“领跑者”项目的实施推动了技术创新速度加快，技术升级已是大势所趋。业主倾向于选择使用PERC、黑硅、 MWT和N型双面电池等新型高效技术
37GW，2019年有望达到93GW。中国、日本、美国、印度仍然是世界上光伏产量和装机量最大的地区。根据分析，把全球市场划分为A、B、C三个等级，其中，中国、美国、日本、法国、意大利等国家属于A类市场。B

光伏制造业的整合。晶澳技术研发路线晶澳是全球首家大规模量产选择性发射极、MWT、背钝化及铝背场及黑硅技术电池的光伏企业，也是首家将二次印刷技术运用到所有生产线中的公司。晶澳于2013年10月便推出
了PERC技术，213年12月推出了黑硅技术，是全球最早推出PERC技术和黑硅技术的企业。大同领跑者项目中晶澳PERC技术博秀组件出货量为150MW，黑硅技术组件出货量17MW，黑硅技术润秀组件150MW

之后，组件的效率分布。可以看出，270Wp的组件分布由21%升至61%，平均效率提升大于2Wp。图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升
至78%。由上述数据可以得出，使用大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升高功率组件的分布比例。第二、黑硅是全行业的事情，是当前行业内头等重要的技术进步问题。通过叠加黑硅技术，可以增加

效率分布。可以看出，270Wp的组件分布由21%升至61%，平均效率提升大于2Wp。图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升至78%。由上述数据可以得出，使用
大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升高功率组件的分布比例。第二、黑硅是全行业的事情，是当前行业内头等重要的技术进步问题。通过叠加黑硅技术，可以增加光吸收与电流。由下图可以看到，根据目前协鑫小范围的数据试验

，组件的效率分布。可以看出，270Wp的组件分布由21%升至61%，平均效率提升大于2Wp。图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升至78%。由上述数据
可以得出，使用大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升高功率组件的分布比例。第二、黑硅是全行业的事情，是当前行业内头等重要的技术进步问题。通过叠加黑硅技术，可以增加光吸收与电流。由下图可以看到，根据目前协鑫

证券市值（以下简称MVPHS）未能达到1500万美元最低市值的要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新
，中电光伏收到纳斯达克股票市场上市资格部的通知函，告知公司的MVPHS未能达到1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定

了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5
1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间

上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5月18日成功
的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间中电光伏的证券

反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。图2A. 单晶电池金字塔绒面图 2B. RIE制备的多晶电池绒面减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从

已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的

（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用

反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
空间与速度下一页另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功

切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的

的交流发电量。那这一方法潜藏着怎样的问题的，让我们来思考下面三个问题。图1.传统系统发电量预测计算流程【1】下面两个组件所受的太阳辐照度相同，但(a)的辐照垂直于组件，(b
)太阳光斜入射组件，他们的发电功率相同吗? 图2.两种辐照度相同的情况，(a)垂直入射组件，(b)斜入射组件答案当然是否定的，组件表面以及电池表面对不同角度的入射光反射和吸收都会不同

方法潜藏着怎样的问题的，让我们来思考下面三个问题。　　图1.传统系统发电量预测计算流程【1】下面两个组件所受的太阳辐照度相同，但（a）的辐照垂直于组件，（b）太阳光斜入射组件，他们的发电功率相同吗
？　　图2.两种辐照度相同的情况，（a）垂直入射组件，（b）斜入射组件答案当然是否定的，组件表面以及电池表面对不同角度的入射光反射和吸收都会不同，即使（a）与（b）太阳辐照度相同，透射进电池并被最终吸收的

多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中
，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于

湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分（不含配套的水电、原料及人力等成本）将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶
晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来

金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料
，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池