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眼下,中广核已经启动并推进华龙一号英国通用设计审查,并力争于2022年在布拉德韦尔B项目实现落地,后者将是中企投资英国核电项目的核心诉求。
在HPC之外,英国政府后续还计划建设塞斯维尔C和布拉德维尔B项目。英国人的举动提振了后福岛时代一片沉寂的全球核电市场,也为中国核电创造了出海良机。

通过叠加黑硅技术，可以增加光吸收与电流。由下图可以看到，根据目前协鑫小范围的数据试验，使用黑硅技术后，电池效率可提升0.3-0.4%，组件效率可提升4-6Wp，这样就会增加进入领跑者要求的产品比例。
图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升至78%。由上述数据可以得出，使用大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升高功率组件的分布比例。

虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。
图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度下一页另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池

虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。
图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。

另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。
虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。

另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。
虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。

在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线切片。
P型单晶因为B-O复合体的原因，衰减较大，但N型单晶衰减基本为0，可是电池厂如果生产N型单晶电池，需要重新引入设备，投资较大，在现有形势下，期望电池厂大量上N型单晶电池线，难度较大。

图2（b）是荷兰ECN提出的新型布局，每片硅片采用44共16个单元的重复单元对称布局，每个重复单元的细栅线都汇聚到单元中心的孔洞，进一步连接到背面的银电极点，这种布局美观大方，只需要16个分布均匀的孔洞
负电极点都在背面，且不在一条直线上，无法用一根焊带直线互联，一个比较简单的方法是在相邻电池片之间增加一根汇流条，如图4（a）所示：但这种方法在生产上也较为麻烦，日本的夏普公司发明了图4（b）

技术核心为Riecium 多晶组件的核心 Riecium 多晶电池使用的黑硅技术，这一技术使电池颜色一致，产品外表更加美观。电池平均转换效率超过18.3%，比行业平均单晶电池转换效率高出0.8%。
6、PERL太阳电池　　J.Benick、B.Hoex等人采用PERL结构，基片采用1cmN型FZ硅片，表面制备倒金字塔陷光结构，正面扩散硼形成P发射结，然后在其上用Al3O3作为钝化层，上面沉积