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，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷
%和20.16%，远远超过这一要求，走到了行业前端。目前，天合光能已经在黄金线上实现22.61%电池效率和300W组件功率的稳定生产，并即将全面投入量产。黑硅技术黑硅对光伏行业来讲，不是一个新技术

:00在东大厅 B馆内举办技术研讨会。贺利氏光伏全球商业和技术总监张伟铭博士将在该技术研讨会上围绕贺利氏：可再生能源领域的技术领导者这一主题，针对贺利氏光伏技术的创新产品以及贺利氏的
专业知识和材料技术如何大幅降低可再生能源的成本发表演讲。 SOL9641B 系列产品 ▼ 贺利氏全新的 SOL9641B系列可适用于单晶 PERC电池，其优异的接触性能配合优化的副栅线设计和

。政府利用市场的手段确保了优势企业和先进产能的进入,有效淘汰了落后产能,同时推动了多晶技术的进步。在技术路线的角逐中,多晶金刚线和黑硅技术获得突破,继续保持成本优势;单晶PERC技术,也使其拥有了在
因此成为英国核电复兴的首个项目。在HPC之外,英国政府后续还计划建设塞斯维尔C和布拉德维尔B项目。英国人的举动提振了后福岛时代一片沉寂的全球核电市场,也为中国核电创造了出海良机。 HPC项目投资协议

光伏制造业的整合。晶澳技术研发路线晶澳是全球首家大规模量产选择性发射极、MWT、背钝化及铝背场及黑硅技术电池的光伏企业，也是首家将二次印刷技术运用到所有生产线中的公司。晶澳于2013年10月便推出
了PERC技术，213年12月推出了黑硅技术，是全球最早推出PERC技术和黑硅技术的企业。大同领跑者项目中晶澳PERC技术博秀组件出货量为150MW，黑硅技术组件出货量17MW，黑硅技术润秀组件150MW

之后，组件的效率分布。可以看出，270Wp的组件分布由21%升至61%，平均效率提升大于2Wp。图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升
至78%。由上述数据可以得出，使用大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升高功率组件的分布比例。第二、黑硅是全行业的事情，是当前行业内头等重要的技术进步问题。通过叠加黑硅技术，可以增加

效率分布。可以看出，270Wp的组件分布由21%升至61%，平均效率提升大于2Wp。图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升至78%。由上述数据可以得出，使用
大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升高功率组件的分布比例。第二、黑硅是全行业的事情，是当前行业内头等重要的技术进步问题。通过叠加黑硅技术，可以增加光吸收与电流。由下图可以看到，根据目前协鑫小范围的数据试验

，组件的效率分布。可以看出，270Wp的组件分布由21%升至61%，平均效率提升大于2Wp。图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升至78%。由上述数据
可以得出，使用大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升高功率组件的分布比例。第二、黑硅是全行业的事情，是当前行业内头等重要的技术进步问题。通过叠加黑硅技术，可以增加光吸收与电流。由下图可以看到，根据目前协鑫

反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。图2A. 单晶电池金字塔绒面图 2B. RIE制备的多晶电池绒面减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从

已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的

（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用

反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
空间与速度下一页另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功

切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的

多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中
，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于

湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分（不含配套的水电、原料及人力等成本）将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶
晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来

金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料
，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池

多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹
B-O复合体的原因，衰减较大，但N型单晶衰减基本为0，可是电池厂如果生产N型单晶电池，需要重新引入设备，投资较大，在现有形势下，期望电池厂大量上N型单晶电池线，难度较大。单晶VS多晶，多晶略胜一筹

切的更薄、成本更低。单晶硅片已经普及了金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的
突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶，但是N型单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为B-O复合体的原因，衰减较大，但N型单晶衰减基本为0，可是电池厂如果生产N型单晶电池，需要重新引入

金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线
，但是N型单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为B-O复合体的原因，衰减较大，但N型单晶衰减基本为0，可是电池厂如果生产N型单晶电池，需要重新引入设备，投资较大，在现有形势下，期望电池厂大量上N型

线的电阻损耗，每根主栅线上都需要10~20个孔洞，总的激光打孔数量在30~60个，过多的孔洞数量会增加打孔的时间，同时可能会对硅片产生损伤。图2（b）是荷兰ECN提出的新型布局，每片硅片采用44共16
公司发明了图4（b）这样的焊带直接互联方式，关键点是电池片电极采用特殊的非对称布局，在串联成组件时，相邻的电池片沿中心旋转180度后刚好可以实现正负极的直线互联。其实从实际生产的角度，用传统的焊带

、B.Hoex等人采用PERL结构，基片采用1cmN型FZ硅片，表面制备倒金字塔陷光结构，正面扩散硼形成P发射结，然后在其上用Al3O3作为钝化层，上面沉积SiNx减反射膜。背面采用SiO2钝化层，再在背
为Riecium 多晶组件的核心 Riecium 多晶电池使用的黑硅技术，这一技术使电池颜色一致，产品外表更加美观。电池平均转换效率超过18.3%，比行业平均单晶电池转换效率高出0.8%。该高功率