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影响减弱; (2)分布式发展缓解上网压力，部分解决限电问题，行业属性由B2B部分转向B2C; (3)成本快速下降使得平价上网在未来3年左右实现成为可能，市场由政策驱动转向市场化驱动，需求由外生增长
的提升，新投产能具有明显的成本优势，未来2年新增产能快速增加;硅片环节，单晶的大规模投产，以及随着多晶的金刚线+黑硅技术改造完成，产能也大规模增加。在需求不超预期的情况下，行业主要环节将面临短期结构性

是分三方面：第一个方面我想简单汇报和交流一下协鑫集成在多晶高效电池这块，也就是黑硅叠加PERC这块，在过去23年所取得的一些进展。首先我们可以看到是黑硅技术俗称的干法也好、湿法也好，目前
一个结果。实际温度是超过了80度。所以说无论是掺B和掺Ga的，基本上是控制在2%以内，没有用抗光衰工艺的衰减幅度大，目前鑫单晶PERC是沿用多晶抗光衰工艺，当然多晶抗光衰工艺是否符合这样一个产品特性

黑硅技术，产业化效率可达到20%以上。目前市场主流太阳电池效率水平如下图所示。图1：2017年市场主流晶硅太阳电池效率水平 2、主流厂商PERC电池效率进展 1)晶澳太阳能晶澳是我国最早
接触区域的复合，如采用局部B掺杂; (5)采用高质量硅片，如提高硅片的少子寿命; (6)双面PERC电池。来源：B Min, M Mller , H Wagner, ARoadmap

大约半年左右的时间，我们基本上就验证了。黑硅技术本来是为了做纳米陷光，但是不经意间，它成为了解决多晶金刚线怎么制绒问题的钥匙。这就是一个很好的例子，在研发过程中，我们经常会碰到柳暗花明的情况，原来我这个
技术拿出来可能是为了解决A问题的，但是实际上在B问题上起到了一个重大的作用。在多晶做了黑硅以后，四部曲的第二步是什么?毫无疑问一定是做PERC。在多晶上叠加PERC，阿特斯倒不是原创，在我们

提升效率和发电能力的潜力。通过与多主栅、选择性发射极和TOPCon等技术的叠加，PERC电池效率可以进一步提升;组合金刚线切割和黑硅技术，可以提高多晶电池性价比。而双面PERC电池在几乎不增加成本的
至21.5%;应用在多晶电池上有绝对值0.6%以上的效率提升，PERC多晶电池产业化效率可达到19.5%。此外，若在多晶PERC电池上叠加黑硅技术，产业化效率可达到20%以上。目前市场主流太阳能电池

会更进一步提升至70张)，而多晶为59片(出片量数据均包含B片)。由于单晶的“长晶”成本更高，更细的金刚线带来的出片量的提升明显更有利于单晶硅片的成本降低，所以我们现在看到的就是：单晶企业普遍
，他们有信心通过不断优化以后，保证使用添加剂的硅片转换效率不降低，60片标准组件的功率可以做到270W。湿法黑硅技术目前每张硅片需要增加0.2元的成本，效率也有所提升，但电池片的组件封装损失过大

黑色网格、单晶C型组件SEAC60W-310、双面组件SEAB60W-310(双面电池发电综合功率高达360W，显著提升发电量多达30%)以及1.6+1.6黑色带框组件SEBM60B
此次展会上，正泰PERC+黑硅技术组件具有高功率、高可靠性等特点，同时优化了组件制程抗蜗牛纹、更低热斑风险，具有优异的弱光发电表现，被彭博新能源财经评定第一梯队供应商。此外，正泰双玻组件也是此次

影响减弱; (2)分布式发展缓解上网压力，部分解决限电问题，行业属性由B2B部分转向B2C; (3)成本快速下降使得平价上网在未来3年左右实现成为可能，市场由政策驱动转向市场化驱动，需求由外生增长
的提升，新投产能具有明显的成本优势，未来2年新增产能快速增加;硅片环节，单晶的大规模投产，以及随着多晶的金刚线+黑硅技术改造完成，产能也大规模增加。在需求不超预期的情况下，行业主要环节将面临短期结构性

普遍为200微米，金刚线切割以后有利于薄片化，所以1kg准方锭金刚线的出片量目前为65片(隆基股份实际的出片量还更高，明年导入50线以后会更进一步提升至70张)，而多晶为59片(出片量数据均包含B片
黑硅技术目前每张硅片需要增加0.2元的成本，效率也有所提升，但电池片的组件封装损失过大，主要原因是：湿法黑硅技术增加了蓝光的吸收，而光伏玻璃有阻挡了蓝光的入射，所以导致封装损失过大。湿法黑硅技术的主要

为200微米，金刚线切割以后有利于薄片化，所以1kg准方锭金刚线的出片量目前为65片（隆基股份实际的出片量还更高，明年导入50线以后会更进一步提升至70张），而多晶为59片（出片量数据均包含B片
大范围的普及主要有赖于添加剂技术的成熟应用，但在转换效率上略有下降。咨询产业上的技术人员，他们有信心通过不断优化以后，保证使用添加剂的硅片转换效率不降低，60片标准组件的功率可以做到270W。湿法黑硅技术

/瓦左右低位且产能充足，有效保证了包括领跑者项目在内的市场供给。此外，保利协鑫湿法黑硅基地已经投产，攻克了金刚线切多晶片制绒难题，并无偿向行业共享黑硅技术。　　受今年国内市场火爆因素影响，全年直至
第四季度保利协鑫产销局面持续旺盛，金刚线切多晶技改超预期，11月份占比已超90%，剩下的B5机台也即将全部完成改造，预计年底将全部完成切换。据保利协鑫高管透露，其金刚线多晶片市场行情火热，12月直至明年

一上午的时间不够，都快过饭点儿了，上周末，在徐州举办的第十三届中国太阳级硅及ink"光伏发电研讨会黑硅技术与应用论坛上，主持人保利协鑫切片事业部副总裁金善明不禁感慨。在短短的半天时间内，20余位业内
顶尖专家、企业技术负责人就金刚线和黑硅技术分别作主旨报告，多晶性价比的大幅提升成为嘉宾讨论最多的话题。单多晶回到相同起跑线好似黑硅的孪生兄弟，多晶金刚线推广速度成为黑硅论坛上的热门议题。金刚线切割

晶体硅电池更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减。而多晶
衰减解决方案。我国的光伏企业也相继推出了针对单多晶PERC电池的抑制衰减的工艺和设备。研究认为使用低温浆料，采用吸杂、高温退火及激光快速退火等手段可以抑制衰减。导致衰减的因素仍在研究中，除常规B-O对

相较其他晶体硅电池更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减
常规B-O对原因外，还有仍在研究中的未知因素，可能与多晶硅中更高的金属杂质含量有关。图4 吸杂对多晶PERC衰减的作用图5退火对PERC电池光衰的作用总体来说：单晶PERC电池的衰减高于单晶常规电池，其

新型晶体硅太阳电池 1常规设备的改进 2常规BSF电池的关键技术：黑硅技术 表3：金刚线切割多晶硅片的常规织绒技术还未解决单晶硅电池与多晶硅电池的差距在缩小
Al-B-BSF掺硼铝背场 base1ms_1ms P型硅片 4BB4主栅 Multi wire多主栅 finger10m_10m栅线空心材料的改进实心结构的改进资料来源：B

为协鑫集成极具竞争力的技术方案。郑加镇博士表示，经过光伏产业链的共同努力，直接制绒或黑硅技术已逐渐成熟并进入量产，有效解决了金刚线切割硅片制绒难的问题;此外，关于多晶PERC光衰减问题，通过烧结
PERC电池光衰现象。数据显示，掺镓与掺硼氢钝化后衰减对比：掺B多晶PERC电池LID衰减在2%以内，平均LID衰减为1.1%;掺Ga多晶PERC电池LID衰减在2%以内，平均LID衰减为0.8%。氢钝化

，贺利氏再推出升级版的正银SOL9641B与背银SOL326系列。前者可供PERC与BSF电池之超细线印刷与低温烧结使用;而后者的附着性更佳，导电效果更好。 PERC应用于单晶的提效成果较佳，且2016
提升0.1个百分点左右。用HeraGlaze?搭配SOL9641Ax与黑硅技术，再加上金刚线切，三项步骤结合后可帮助多晶厂商有效提升产品性价比。 HeraGlaze? 看好N型技术接手新

存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴
需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶

来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与
已经达到21.1%和20.16%，远远超过这一要求，走到了行业前端。目前，天合光能已经在黄金线上实现22.61%电池效率和300W组件功率的稳定生产，并即将全面投入量产。黑硅技术黑硅对光伏行业来讲，不是

一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显
%，远远超过这一要求，走到了行业前端。目前，天合光能已经在黄金线上实现22.61%电池效率和300W组件功率的稳定生产，并即将全面投入量产。黑硅技术黑硅对光伏行业来讲，不是一个新技术。不过，黑硅技术