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提纯及销售、研发太阳能电池用高纯硅、发行杂志和广告业。自洪桥资本有限公司於二零零七年十月收购了本公司後，本集团现有管理层一直在能源及资源领域寻找适当的投资机会。本公司於二零零九年十一月
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四川永祥多晶硅有限公司承办单位：中国化工信息中心硅材料信息部　　支持媒体：新华社、《中国化工报》、《中国化工信息》、《中国冶金报》、《中国电子报》、中国化工信息网、中国精细化工、《有机硅

　　一．综述　　多晶硅还原炉电气系统的主要设备是大功率调压器。调压器所带负载是多晶硅棒串联而成的纯电阻负载。调压器的作用实际上是对负载电阻进行电加热，并且保持硅棒表面温度恒定（一般1080
B相还原调压器供电。以次类推，每次预热3对棒，每炉预热3次。可以对任何一个炉进行硅芯调压预热。所有真空接触器和真空断路器的逻辑控制由PLC操作。　　　　三．还原调压器设计　　多晶硅50Hz交流的

Material公司还开发了磁控溅射PECVD系统，该系统使用磁控溅射源轰击高纯硅靶，在氨气的气氛中反应溅射，形成SiNx分子沉积到样品表面。这种技术的优点是不使用易爆的硅烷气，安全性提高很多，另外沉积
折射率为3.8，如果直接将光滑的硅表面放置在折射率为1.0的空气中，其对光的反射率可达到30%左右。人们使用表面的织构化降低了一部分反射，但是还是很难将反射率降得很低，尤其是对多晶硅，使用各向同性的

，对环境造成极大污染。　　其实，改进的西门子法存在很大的缺陷，生产设备复杂，效率较低，而且投资巨大。目前德国自身利用其保密的西门子法，仅仅从高纯的SiHCl3生成1kg的多晶硅，就需耗电150度
，排出碳和其他夹杂的稀有金属，形成雾状气体排出，得到高纯度的硅；第三步是利用混合气体助燃，引爆表面化的硼和磷，可以得到99.9999%的高纯硅。　　不过这并不能保证过滤后残余的硼和磷是否小于1ppm

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
适用于太阳电他，因而要研究适合太阳电池专用的吸杂工艺。研究证明，在多晶硅太阳电池上，不同材料的吸杂作用是不同的，特别是对碳含量高的材料就显不出磷吸杂的作用。有学者提出了磷吸杂模型，即吸杂的速率受控干两个