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、多主栅、无主栅等，当下这些组件技术正成为市场的主流。其实不管技术有多创新，市场上面常见的光伏组件主要还是这三大类：单晶硅、多晶硅、薄膜。用户在选择的时候该如何去选择呢?先看单晶硅组件，单晶硅
家多晶组件的效率可以在17%往上。上面我们提到《通知》规定，多晶硅电池组件光电转换效率市场准入门槛为16%，领跑者技术指标是17%，衰减率一年内不得高于2.5%，后续年内不高于0.7%.最后介绍下薄膜

预处理，而薄膜组件不需要进行，此部分取代了老版本中的预处理环节。参考组件由此前的1片增加至3片原有的NOCT/OD 等所在的序列测试由原有的一个序列拆分成两个序列。分为序列A及序列B，其中序列
A 3片组件(与参考组件重叠)，分别按顺序进行温度系数测试-STC测试-NMOT性能-低辐照度性能。序列B1片组件，分别进行NMOT及户外暴晒试验-旁路二极管测试-始终化处理(晶硅组件不需要，薄膜

降低一些。多晶硅比单晶硅太阳能电池的制作成本要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。 3.非晶硅组件非晶硅组件也就是我们所说的薄膜组件，它的制作工艺过程大大
。（十八）接线盒硅胶不固化 1.硅胶配比不符合工艺要求造成硅胶不固化。 2.出胶孔A或B胶孔堵住未出胶造成不固化。组件影响： 1.硅胶不固化胶会从线盒缝隙边缘流出，盒内引线会暴露在空气中

下列资质之一： a、电力工程施工总承包三级及以上; b、机电工程施工(机电安装)总承包一级; c、建筑机电安装(机电设备安装)工程专业承包二级及以上。 ③如果光伏产品生产企业中标后委托光伏工程
。 2)光伏工程施工企业： ①指具有下列资质之一： a、电力工程施工总承包三级及以上; b、机电工程施工(机电安装)总承包一级; c、建筑机电安装(机电设备安装)工程专业承包二级及以上

能及附着力，综合考虑贵金属成本和可获取性因素，银是比较适合作为太阳能电池电极材料的。因为先前的减反射膜已经形成正面的电性绝缘，所以银浆一般掺有含铅的硼酸玻璃粉（PbO-B2O3-SiO glass
frit），在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与氮化硅反应并刻蚀穿透氮化硅薄膜，此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触，铅的作用是银-铅-硅共熔而降低银的熔点。浆料可能造成的安全隐患及急救措施

索比光伏网讯:铜锌锡硒(CZTSe)的组成元素在地球中储量丰富且无毒，通过少量硫取代硒，其带隙可以实现在1.0-1.5eV之间调节，是具有优势的低成本薄膜太阳能电池材料。目前，CZTSe最高效率只有
（973计划）、国家留学基金委及合肥超算中心的资助与支持。图1.CZTSe中与Na相关缺陷的形成能随费米能级的变化(a)；Na的迁移路径(b)。图2.CuGaS2中SnGa和CuGa的形成能随费米能级

意料之中。近期汉能在光伏产品创新应用上作了不少尝试，相继与摩拜共享单车、德国奥迪展开跨界合作，并发布了其自主创新的汉能薄膜太阳能建材汉瓦。李河君表示：汉能将研发更多可以量产的、覆盖C端和B端的产品，比如
，如果各用一个关键词介绍这三家公司，我觉得是：太阳能薄膜、多晶硅和单晶硅，这分别代表了主流光伏企业三种不同的发展方向。从排行榜看，汉能创始人李河君财富值略微领先，如若没发生股价腰斩之事，相信李主席的

逆变器的可靠性和适配性提出了更高的要求。这方面，奥太在涉足逆变器行业后，根据市场需求，从组件类型入手开发了适用于晶硅和薄膜的逆变器产品；从应用场景入手开发了与户用、小型工商业、大型地面电站相匹配的逆变器
产品。针对薄膜组件的特性，需要组件负极接地，奥太在逆变器上进行了负极接地处理，并且逆变器内置高频隔离变压器实现了电池板与电网测的电气隔离，提高逆变器的安全系数。徐强介绍到，另外奥太的所有产品都通过了

薄膜太阳能电池具有可折叠、轻、薄、易携带等特性，中国台湾地区的工研院绿能所现在建立了一种新的涂覆印刷技术，成本较一般真空溅镀技术还低、制程更短、并能更大量制造。研究人员李宙澄表示，他们希望将薄膜
电池打造成书本形象，出门只要带上这本薄薄的书让它晒晒太阳，你就能随时随地为电子产品充电，不用再到处找咖啡馆的插座了! 未来，像一本 B5 大小书籍的太阳能移动电源，将比你现在背包里的移动电源还要轻、还要

未来，像一本 B5 大小书籍的太阳能移动电源，将比你现在背包里的移动电源还要轻、还要美观、还要文艺，重量估计仅 300 克，上面附有一个 USB 转接头可为你的消费性电子产品充电。这种非真空印刷
、软性基板为底的轻量/可挠式 CIGS 薄膜太阳能电池，具有 14.6% 的转换效率，在充足光照下，3 小时就能将手机电量从零充到满。工研院绿能所化合物太阳电池研究室研究人员李宙澄说，不同于外面 CIGS

索比光伏网讯:1、nPERT双面电池技术背景近年来，N型硅太阳电池由于其优越的性能，包括高的体寿命、对金属杂质高的容忍度以及没有P型材料中由于硼氧（B-O）复合体所造成的光致衰减（LID）效应
制成P+N结（3）背面扩散磷制成N+N结（4）双面钝化薄膜（5）双面金属化，结构示意图如图1所示。图1 nPERT电池结构示意图2、nPERT双面电池技术特点nPERT双面电池采用N型硅作衬底，具有

晶硅电池由于p+发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷
一种非常有应用前景的N型高效电池的技术。图6德国FraunhoferPassDop技术PERL电池结构示意图图7PassDop激光掺杂示意图(a)基体硅背面（b）沉积磷掺杂的a-SiCx钝化层（c）激光

时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积氮化硅薄膜作为制绒掩膜，沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD，沉积压强为0.15 mbar，沉积温度为450 ℃，微波功率
自动去除。未加掩膜的硅片经过制绒和扩散工艺后，通过调节刻蚀清洗工艺时间，实现不同背面刻蚀量单面减重分别为0.21、0.43、0.67 g，分别记为b 组、c 组和d 组。将上述a、b、c、d 4 组

研究认为，单晶PERC电池的衰减高于单晶BSF电池，其原因主要是由于B-O对导致的，目前已经通过光照退火成功抑制。多晶PERC电池的衰减表现为与温度相关的LeTID，其原因仍不明朗，但是似乎与多晶硅中
依然存在：首先在氧化铝沉积设备上，梅耶伯格的板式PECVD可谓一家独大，然而其维护成本高，TMA消耗量大，同时薄膜质量提升空间较小;而ALD设备目前呈现百家争鸣的态势，国内设备厂商也强势加入战局，然而

创出今年甚至历史新高。记者调研发现，经历长期滞缓阶段之后，石墨烯产业化已经走过从概念到产品的初级阶段，今年开始出现从产品到量产的新趋势。在此过程中，上游的石墨烯制备工艺趋于完备，中游的石墨烯粉体与薄膜
传统产品性能，从而重新建立行业技术壁垒，推进产业升级;民用消费领域也实现了大幅拓展。解决其他材料无法办到的事情，是石墨烯的真正使命。对于工业应用和民用消费领域的差异，向联合分析指出，销往工业B端客户的

近日，众多高校实验室纷纷爆出喜讯：上海交大韩礼元教授团队发声，团队历时3年在大面积高质量钙钛矿薄膜制备的基础上，开发了有效面积36.1cm2的钙钛矿电池模块，在国际认证机构
太阳能电池的光电转化率相差4个百分点。这样的数据差是由于如下几个原因：第一，钙钛矿电池的光电转化率与其电池面积及厚度有直接关系，依靠现有制备薄膜的技术，钙钛矿薄膜的面积越大，越容易出现瑕疵，电池的效率