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激光开槽是利用激光在硅片背面进行打孔或开槽，将部分AL2O3与SiNx薄膜层打穿露出硅基体，背电场通过薄膜上的孔或槽与硅基体实现接触。 1.3激光加工过程 1. 通过热激发或光激发产生导
实验样品实验选取的样品采用成熟的PERC技术，每组样品激光处开槽处理之前工艺完全相同，且背面SixNy颜色相近(SixNy颜色随着厚度呈周期性变化)，以保证实验样品的一致性和实验数据的准确性

4.5 烧结对电池片的影响 a. 银浆的烧结很重要，对电池片电性能影响主要表现在串联电阻和FF的影响; b. 铝浆烧结可形成良好的欧姆接触; c. 背面场经烧结后形成铝硅
。 2. 丝网印刷流程&作用 2.1 印刷流程 2.2 背电极印刷 a. 作用：形成良好的欧姆接触特性、焊接性能和附着性; b. 银浆组成：银铝浆是由

四面体结构，晶体中多了1 个氧的负电荷，可将p 型电池的少子( 电子) 反射回去减少复合，实现电池背面的有效钝化。峰值温度过高将导致Al-O4减少，氧化铝浆料烧结温度通常低于金属化烧结温度，介质
太阳电池。采用背抛光结合氧化铝/ 氮化硅叠层钝化制备的电池的短路电流比黑硅多晶太阳电池提升了0.372 A;少子寿命达到33 s，开路电压提升了15.2 mV;激光开槽造成电池背面钝化层损伤，降低

池时代。目前，常规 Al-BSF 单晶电池的效率大概是 20-20.3%，对应的组件功率为 280W，主要的效率损失来自于背面全金属的复合。因此，背钝化电池结构 PERC 应运而生，与常规电池
相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层，因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化

使用叠瓦技术的组件厂少而慢慢销声匿迹。韩华钝化技术专利韩华针对晶科、隆基和REC的技术诉讼可谓2019年一大新闻。这场由钝化技术引起的专利纷争始于2019年3月：韩华向德国起诉晶科和REC
会有至少2%以上的功率损失。若能对这部分无效光加以利用，将将电池片间的漏光反射回组件中，将有效提升组件功率。行业中各种技术丛出不穷，如组件背面使用高反背板、高反背玻璃、白色EVA胶膜等提出诸多

。异质结电池结构和生产工序。异质结电池以N型硅片做衬底，先清洗干净制作金字塔绒面，然后再两侧分别沉积本征非晶硅薄膜，起到钝化硅片两侧悬挂键的作用，然后再接着沉积掺杂非晶硅，制成PN结，PN结就是
高双面率后背面增益更大，按60版型计算，有效功率多出10W。理论溢价2分。五、升级空间大：纯粹的HIT电池效率极限预计在25.5-26%，再往后走叠加钙钛矿做叠层电池效率可以做到28%，目前英国牛津

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
征和掺杂的a-Si:H层。厚度只有几纳米的超薄本征a-Si:H层对SHJ电池的性能有着至关重要的影响。这些层的作用是通过化学钝化c-Si硅片表面上的悬空键以形成Si-Si和Si-H键来抑制表面复合的

电站投资商损失惨重。近两年双面发电组件由于可以大幅提升电站投资商收益，所以得到了大规模发展及应用。双面组件的PID问题得到了业界的广泛重视。 PERC双面电池背面的钝化膜AlOx/Si界面
压下，电池片呈低电势，边框呈高电势，Na+会穿过封装材料到达电池片表面。背面阳离子的富集，形成额外的复合中心，如图1所示;AlOx钝化膜中电荷进行重新分布，导致场钝化效果的降低。正面和背面的EQE(图2

的产品组合：为挖掘多晶电池性价比，我们专门设计了DK93A导电银浆，在配合客户优化提升多晶电池效率的同时显著降低单片银浆用量;针对不同钝化工艺的单晶PERC LDSE电池，我们开发了DK93B高效
随着行业高效技术以叠加的方式不断往纵深方向发展，电池、组件厂与配套的供应链企业(如设备、材料等)之间的合作愈加紧密，而导电浆料(正面、背面银浆，背面铝浆)作为提升晶硅太阳能电池转换效率与组件产品

优化提升多晶电池效率的同时显著降低单片银浆用量;针对不同钝化工艺的单晶PERC LDSE电池，我们开发了DK93B高效导电银浆，着力控制金属化区域的复合水平。我们通过创新金属化技术持续推动的双面
随着行业高效技术以叠加的方式不断往纵深方向发展，电池、组件厂与配套的供应链企业(如设备、材料等)之间的合作愈加紧密，而导电浆料(正面、背面银浆，背面铝浆)作为提升晶硅太阳能电池转换效率与组件产品

衰减极低，这两种优势的叠加将使得N型双面组件性价比异常亮眼。尤其是针对中东沙地这样的高发射环境，更容易发挥N型双面背面发电增益的优势，使得整体的发电增益有大幅度的提高。背面效率高对于双面发电而言
，N型双面组件背面的效率是正面的80-85%，这个优于市面上大家所熟知的众多组件，同等的背面光照情况下，N型的背面发电效率更高，对于沙地的发射光吸收将更强，具备更高的发电量。更优的弱光效应由于

取得世界晶硅电池的最高效率。 2.5 隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池德国Fraunhofer研究中心在电池背面利用化学方法制备一层超薄氧化硅(～1.5nm)，然后再沉积一层掺杂
隧穿氧化层，而电子则能够轻易达到。相比于电子，超薄氧化层也会为空穴提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示

今仍在使用的铝背场技术升级到PERC(钝化发射极背面接触)技术。首先，这是正常的技术进步：只需增加两道工序即可对现有系统进行升级，从而将太阳能电池片的输出功率提高1%(绝对数)或5%(相对数)。铝背场
技术的重要特征在于一开始必须对电池片背面进行全面钝化，而升级后就不再需要这一工序。起钝化作用的介电层同时充当内部镜面，用于反射从正面射入电池片内的长波光。这种电池片在生产时可以同时完成全面金属化和背面

衰减可保持在3%以内，P型多晶组件的首年衰减则一般按 2.5%来质保，电池均无需经过再生处理。 2.PERC组件的光衰 P型PERC技术对晶硅电池背面做钝化，电子需要扩散更长的距离经过
1.晶硅组件的光衰硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出

(ALD)技术形成的Al2O3层被用于进行背面钝化。沉积形成的Al2O3层还要进行一次后沉积退火，这一步被集成在随后的背面SiNx减反射膜(ARC)沉积工艺上，采用的是管式等离子增强化学气相沉积
POCl3扩散以形成n+-Si发射极。然后在下一步移除磷硅酸盐玻璃(PSG)和清除电池背面。图一：分别展示了传统多晶硅电池(左)和CSI的高效多晶硅PERC电池(右)的工艺流程。使用原子层沉积