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该电池结构采用160gmN型硅片，首先正面制备金字塔结构，然后扩散磷形成N+前表面场（FSF），最后用SiO2钝化表面再镀SiNx减射膜，背面通过扩散阻挡层实现硼和磷的扩散，形成P 发射结和N+背表面场
6、PERL太阳电池J．Benick、B．Hoex等人采用PERL结构，基片采用1cmN型FZ硅片，表面制备倒金字塔陷光结构，正面扩散硼形成P发射结，然后在其上用Al3O3作为钝化层，上面沉积SiNx减反射膜

对于这个主族元素参杂的问题，我们在背场里用，大家爱掺B\In\Ga\Tl等，都是有效果的，而且这些思路都还有继续优化的潜力。
长波的穿透能力强，这个就是背场要考虑的了。除了这个ZnO之外，大家可能还关心一类添加剂就是第五主族的，类似那个背场的P-P+结大家也想在正面实现一个N-N+的浓参杂结。

电池衰减(例如减反射膜)或金属线、焊带粘合和背金属的腐蚀都会导致光伏组件性能大幅度降低。因为EVA降解可能伴随着腐蚀副产品的产生，例如醋酸，所以可能加速金属的腐蚀过程。
封装材料的折射率影响着玻璃-封装层界面以及硅-减反射膜(ARC)-封装层界面的反射损失。对于有陷光结构和ARC层的电池，光耦合引起的光增益会更少。

同时，背接触电池还将电池的两极从背面引出，降低了封装难度，简化了制作工艺，使得电池更加美观。MWT和EWT是背接触电池的二种形式，属于前结电池形式，发射极位于电池正面，有利于更多载流子的收集。
早期就有人提出SiNx是理想的减反射膜，而且还可以同时达到表面钝化和体内钝化的效果。PECVD法沉积的氮化硅膜的折射率可以通过调节反应气体的流量进行调整，一般可调范围在1.9～2.5之间。

硫或硒的单原子层淀积在Si(100)表面时，它们在二个Si原子间桥接，很好地中止了Si(100)上的悬空键，如图1(b)所示。
在现今几乎所有的硅片太阳能电池中，用Ag作为n型发射极上的指形电极，而Al用于作为p型基极上的背电极。硅片太阳能电池达到万亿瓦数量级的主要瓶颈之一是Ag的稀少。根据美国地质调查(U.S.

从图1(b)可以证实，在AAO膜底部的氧化铝阻挡层已彻底除去，这使膜能用作真空蒸发时的遮蔽掩膜。AAO的孔径及厚度可以分别用调节孔加宽处理和第二次阳极氧化的加工时间控制。
采用阳极氧化的超薄氧化铝（AAO）膜作为淀积掩膜被认为是低成本制作纳米图形的潜在方法，因为它们在大面积上的面密度高，且尺寸分布窄。

为了进一步降低基极接触区的复合速率,在其他区域保持不变的情况下,用局部硼扩散制作的硼背场(B2BSF)替换LFC制作的铝背场(Al2BSF),提高了短路电流,使效率提升到21.5%。
在基区电极接触区沉积一层铝膜形成铝背场。需要特别注意的是背面电极通常采用机械或激光刻槽的方法来隔绝基区电极和发射区电极。

在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射膜等。
（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。

在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的光伏电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射膜等。
（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。

阿特斯在金属贯穿式背电极构造的单晶硅单元上实现了19.5％的转换效率（b）。
图2：在异质结和背接触方面争夺转换效率首位宝座在结晶硅型太阳能电池领域争夺转换效率首位宝座的三洋电机和SunPower分别采用了异质结构造和背接触构造。

产品介绍：公司生产的各种类型光伏组件采用最新工艺由高效率的晶体硅（单晶硅、多晶硅）太阳电池、EVA胶膜、低铁绒面钢化玻璃及复合氟塑料背膜（PET）组成。
产品特点：电池片：电池芯片的减反射膜为增强等离子化学气相沉积的氮化硅膜，呈深蓝色。电池的转换效率在14.5%以上。组件边框：组件边框是由阳极氧化优质铝合金边框制成，其表面氧化铝膜的厚度为25微米。