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，铝背场(BSF)电池时代，中国光伏产业基本100%都是铝背场电池。因为它最便宜，也容易做，所以产业化大家都做这种电池。后来，PERC电池代替铝背场电池。因为p型PERC电池效率比BSF电池高，而
同源技术，但HJT的成本高。包括设备成本、低温银浆成本、透明导电氧化膜成本，以及与上一代PERC技术不兼容，产业生态会差一些。这导致HJT的度电成本会高，如我前面提到的原因，一道新能决定做TOPCon会

柔性支架产品重磅亮相(展会号7.1H-B190-3)，为客户提供不同场景解决方案。仁卓拥有自主专利的智能跟踪系统，以多源数据闭环算法，提升发电之力;柔性支架持有专利结构设计，最大跨度达到60m，适用于
*210 mm大尺寸矩形硅片，搭载创新TOPCon 4.0电池技术，同时叠加SMBB、间隙贴膜、双层镀膜等行业领先技术，最高功率可达630W，最高效率达23.3%。█ 品诚晶曜品诚晶曜是一家集轻质

样品、(b)大光斑相切大面积刻蚀样品、(c)抛光面膜层大光斑刻蚀样品绿光皮秒大光斑刻蚀样品显微图图1展示了绿光皮秒激光大光斑(200um)对绒面和抛光面的膜层刻蚀样品显微图片，可见整体的形貌规则完整
金字塔熔化明显VS紫外飞秒金字塔形貌基本不变图2 绿光皮秒(a)、绿光飞秒(b)、紫外飞秒(c)刻蚀绒面氮化硅膜层SEM图像从图中对比可以看出飞秒激光对金字塔的形貌保存有明显优势纳/皮秒刻蚀对硅基底表面

载流子的横向传输及对外进行电流运输的通道，良好的透明导电膜可以实现较高的透光率和电导率，使得制备出的HIT电池具有较小的串联电阻和较高的填充因子，从而可大幅提升HIT电池的光电转换效率。其最早
ZnO，由于制备的TCO表面具有一定绒度，可直接用在电池上。研究人员通过优化LPCVD沉积工艺参数获得的ZnO:B整体性能优于FTO，在此基础上获得单结非晶硅薄膜电池稳定效率达到9.1%。研究人员研究

激光开槽是利用激光在硅片背面进行打孔或开槽，将部分AL2O3与SiNx薄膜层打穿露出硅基体，背电场通过薄膜上的孔或槽与硅基体实现接触。 1.3激光加工过程 1. 通过热激发或光激发产生导
。 3.2实验研究内容实验研究背钝化技术在激光开槽过程中激光设备各项参数等对电池性能的影响，主要研究内容为： 1. 不同激光功率对电池片性能的影响。实验根据激光器固定参数设定不同的输出功率，以研究

。 2. 丝网印刷流程&作用 2.1 印刷流程 2.2 背电极印刷 a. 作用：形成良好的欧姆接触特性、焊接性能和附着性; b. 银浆组成：银铝浆是由
结的长波光子所激发的光生载流子对被P/P+结分离，增加少子扩散能力,提高开路电压。 b. P/P+结可阻止P区光生电子到背表面复合，与没有P+区相比较，这种高低结P/P+结构可大大降低背表面的复合

黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
浆料。 3) 检测设备：膜厚测试设备SE400 椭偏仪、D8-4 积分反射仪、少子寿命测试仪WT-2000、JJ224BC 电子天平、蔡司Axio Scope A1 显微镜、Gemini

池时代。目前，常规 Al-BSF 单晶电池的效率大概是 20-20.3%，对应的组件功率为 280W，主要的效率损失来自于背面全金属的复合。因此，背钝化电池结构 PERC 应运而生，与常规电池
工序，即可实现 BSF 向 PERC 的转化。PERC 电池的工艺流程包括：沉积背面钝化层，然后开槽形成背面接触。相较常规光伏电池的工艺流程新增了两个重要工序，只需在传统电池产线上额外增加钝化膜

会有至少2%以上的功率损失。若能对这部分无效光加以利用，将将电池片间的漏光反射回组件中，将有效提升组件功率。行业中各种技术丛出不穷，如组件背面使用高反背板、高反背玻璃、白色EVA胶膜等提出诸多
膜及其制备方法专利证书的最终授权(授权专利号：ZL2014100610515)。由于该授权时间费时非常长，期间预交联白色EVA胶膜已经成为了光伏行业组件的标配。海优威获得中国专利后，其他部分竞争胶膜厂

a-Si:H薄膜和P型掺杂a-Si:H薄膜以形成p-n异质结，在硅片背面依次沉积厚度为5-10nm的本征a-Si:H薄膜和N型掺杂a-Si:H薄膜形成背表面场，在掺杂a-Si:H薄膜的两侧再沉积透明导电
%：在高效光伏电池领域，IBC(Interdigitated Back Contact，交叉背接触)电池在产业中也颇受关注，其结构特点是p-n结和金属电极接触都位于电池背部，电池正面避免了金属栅线电极的

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
，以及防止在沉积掺杂层期间由掺杂剂原子产生缺陷。掺杂的层完全被氧化铟锡(ITO)膜覆盖，然后使用低温导电(LTC)Ag浆料丝网印刷接触金属栅格以进行电流收集。为了增强ITO层和接触栅格的性能，需要进行

电站投资商损失惨重。近两年双面发电组件由于可以大幅提升电站投资商收益，所以得到了大规模发展及应用。双面组件的PID问题得到了业界的广泛重视。 PERC双面电池背面的钝化膜AlOx/Si界面
压下，电池片呈低电势，边框呈高电势，Na+会穿过封装材料到达电池片表面。背面阳离子的富集，形成额外的复合中心，如图1所示;AlOx钝化膜中电荷进行重新分布，导致场钝化效果的降低。正面和背面的EQE(图2