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EasyPACK 3B模块融合了英飞凌在硅与碳化硅两大领域的优势技术，模块内部集成了额定电流为400A的ANPC IGBT模块，耐压等级为1200V的CoolSiC肖特基二极管，发射基级二极管以及一个三电平的
早已嗅到碳化硅带来的商机，并依托在硅基功率器件领域的决定性优势，大力发展碳化硅功率器件。截至目前，英飞凌在碳化硅领域已经积累了将近20年的研发经验，于2002年英飞凌推出了业界首款碳化硅的肖特基级

薄膜进一步光电性能表征发现，该异质结构能够减少非辐射复合并提高载流子寿命。同时，第一性原理计算表明无机CsPbI3为主的表面使得钙钛矿的肖特基缺陷形成能增加，这使得晶体界表面处缺陷密度降低。以上实验表明
。 ▲图 2 该工作所实施的器件结构(A)以及器件的J-V曲线(B)，control为传统杂化钙钛矿结构，HSP为杂化/准无机纳米核壳结构钙钛矿 ▲图 3 封装太阳能电池器件在不同温度下的工况稳定性

的转换/逆变电路。IGBT并不是一个新器件，上世纪80年代IGBT在通用电气工作的B贾扬巴利加（B. Jayant Baliga）曾经的IEEE荣誉勋章获得者发明这款风靡全球的半导体功率器件，通用公司
耐压的10倍、碳化硅肖特基管耐压可达2400V、碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。 2、高频特性--硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。碳化硅MOSFET不仅适合于

将下降，右图为常规肖特基二级管降流曲线。因此，接线盒的额定电流不论从接线盒的散热能力，还是二极管本身高温降载特性，都不能简单将二极管在25度环境下测定的正向通过电流(If)直接标定成接线盒的
。 2. 测试接线盒样品的选择为了尽量消除接线盒中其他因素对测量结果的干扰，我们统一选体积相似的接线盒，130mil芯片二极管，同一封装厂制造的二极管，做成5个灌胶接线盒(A/B/C/D/E)对比样品

2012年推广到日本阿特斯将于2012年在日本上市配备微逆变器的太阳能电池模块（a）。意法半导体公开了参考设计（b）。注2）据法国Yole
新一代半导体来实现高性能化的尝试。意法半导体（STMicroelectronics）公开的微逆变器参考设计，就采用基于SiC半导体的肖特基势垒二极管（SiC SBD）。虽然微逆变器产品已经有过多款，不过

杂质点缺陷(非本征点缺陷)。 1.1热点缺陷其中热点缺陷有两种基本形式：弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。单晶中空位和间隙原子在热平衡时的浓度与温度有关。温度愈高，平衡浓度愈大。高温生长的硅单晶，在冷却
杂质点缺陷，如硅晶体中的磷、硼、碳等杂质原子 B、间隙杂质点缺陷，如硅晶体中的氧等 1.3点缺陷之间相互作用一个空位和一个间隙原子结合使空位和间隙原子同时湮灭(复合)，两个空位形成双空位或空位团

方阻与无网结网版匹配性对电性能参数的影响。实验二:在生产前对原硅片进行分选，实验分为3组，每组400片;分别采用不同正银浆料，实验A组使用帝科正银浆料，实验B组使用杜邦正银浆料，实验C组使用晶银
不容易形成肖特基漏电。对两组实验电学参数中的转化效率(Ncell)和短路电流(Isc)进行散点图分析，见图1。由图1可以看出，实验工艺高效率段所占比例明显比正常工艺要高，且效率偏低比例较正

。SiC二极管由于其卓越的反向恢复特性，可以有效的减小它本身的开关损耗和IGBT的开关损耗。SiC肖特基二极管虽然已经应用了很多年，但是还需要进一步改善价格来获得更广阔的市场。最近几年的主要研究和
：10-PZ12B2A045MR-M330L18Y) 45 m/1200 V SiC MOSFET + 4x10 A/1200 V SiC 二极管接下来我们来看一下它们的效率对比。首先把Si二极管改成

必要工具之一。ECV测量是利用合适的电解液既可以作为肖特基接触的电极测量C-V特性，又可以进行电化学腐蚀，因此可以层层剥离测量电激活杂质的浓度分度，剖面深度不受反向击穿的限制，并可以测量pn结。针对
这种方法是破坏性的，但是理论上它的测量深度是无限的。ECV测试分为2步：首先是测量电解液/半导体界面形成肖特基势垒的微分电容来得到载流子浓度，然后利用阳极电化学溶解反应，按照设定的速率去除测量处的样品

，但它能与Si直接接触。因氧化长期远景看低的问题对Al比较好。丝网印刷对Al来说是成熟工艺，原则上它能应用于Al指形电极。Al的主要优点是Si与Al之间的肖特基势垒高度能用工程方法获得低接触电阻，本文将
的R&D还没有开始。作为Ag替代品的Al若能实现高高宽比，作为Ag 指形电极的替代品，Al比Cu更具吸引力。这方面有二个原因。一个是在Al和n型Si间呈现创纪录低的肖特基势垒0.08eV，这确保了低

达到更高电压，如上图。一旦A/B/C任一片电池片被遮住，该电池片就不再作为电源，而是变成负载消耗其他正常电池片产生的电能。而此时，由于该组的电池片出现反偏，则二极管导通，电流将沿二极管继续形成回路
决定的,硅管一般在0.9V左右，肖特基一般在0.5V左右。反向漏电是二极管的主要反向特性，一般硅管在3~5uA,肖特基在50~500uA.正向压降会导致接线盒的温度升高，从而影响寿命。反向漏电流，会

Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器在10A时具有0.33V的极低典型正向压降，针对在太阳能电池接线盒中用作提供保护功能的旁路二极管进行了优化。今天发布的器件包括双芯片的V(B,F
)T1045CBP、V(B,F)T2045CBP、V(B,F)T3045CBP和V(B,F)T6045CBP。每款器件均提供TO-220AB、ITO-220AB和TO-263AB功率封装。所有整流器的最高

V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，扩大其用于太阳能电池旁路应用的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。　　今天发布的器件可在低压
JESD 22-B106规定的275℃浸锡焊温度下浸渍10秒，最高结温为+150℃。　　TMBS整流器具有承受高正向浪涌的能力和低至0.3V的正向电压降，从而减小功率损耗。这些器件符合RoHS指令

时候可以快速断开与电网的连接。因此，太阳能逆变器的基本设计标准包括额定电压、容量、效率、电池能效、输出AC电源质量、最大功率点跟踪（MPPT）效能、通信特性和安全性。图1a：半桥逆变。图1b
有利。而对于IGBT的反并联二极管，则选用SiC肖特基势垒二极管比较合适。因为这时，降压级的续流二极管(free wheeling diode)或电隔离系统中的整流二极管都可从SiC肖特基势垒二极管的

降小的肖特基二极管做充电回路中的反向隔离保护。 b.电路板焊装工艺存在一定问题： ⑴通过大电流的导线截面积不够； ⑵电路板铜铂线条较窄； ⑶大电流焊接点存在不同
基准电压的器件造成和电压比较器存在不稳定或有较大的温度漂移。就会造成在不同的时间或不同环境温度下测量充满断开电压和恢复充电电压值时存在较大的差异。 b 产品出厂检验时所用的电压表没有经过定期

太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中同质p-n结电池
研究者的兴趣。目前因效率不高等问题研究者已不多，但SnO2、In2O3、（1n2O3＋SnO2）是许多薄膜电他的重要构成部分，作收集电流和窗口材料用。（5）M1S电池——是肖特基（MS）电他的