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*210 mm大尺寸矩形硅片，搭载创新TOPCon 4.0电池技术，同时叠加SMBB、间隙贴膜、双层镀膜等行业领先技术，最高功率可达630W，最高效率达23.3%。█ 品诚晶曜品诚晶曜是一家集轻质
‘MoNo 1’系列的所有核心优势，并在原有技术基础上创新性叠加捷泰科技自主研发的J-HEP半片边缘钝化技术及J-WBSF波浪背场技术，实现了电池片钝化性能及双面率等多项指标上的全方位升级，可使组件功率

载流子的横向传输及对外进行电流运输的通道，良好的透明导电膜可以实现较高的透光率和电导率，使得制备出的HIT电池具有较小的串联电阻和较高的填充因子，从而可大幅提升HIT电池的光电转换效率。其最早
ZnO，由于制备的TCO表面具有一定绒度，可直接用在电池上。研究人员通过优化LPCVD沉积工艺参数获得的ZnO:B整体性能优于FTO，在此基础上获得单结非晶硅薄膜电池稳定效率达到9.1%。研究人员研究

绝缘性和抗光老化性能。为了提高导热性和热稳定性，在背板内层添加纳米AIN，并在外层和中层通过特定的添加剂保证了光的透过率和耐变黄性，使太阳能电池组件的工作效率和使用寿命得到提高。对于工艺的选择聚烯烃膜
、内层A及内层B由上至下依次叠加构成。耐候外层B和内层A为耐候型聚烯烃薄膜，耐候外层A为氟膜，内层B为氟树脂或其他树脂。该结构设计明显提高了背板的水汽阻隔性、导热性、反射率等性能。另一种改进方式是，用

载流子输运机制市场上另外一种主流N型技术HIT也采用了背钝化技术，但使用了非晶硅膜层，电池制造工艺中需要制备多层非晶硅膜层，制备工艺比较复杂，导致HIT太阳电池的制造成本偏高，降低了整体的性价比

会有至少2%以上的功率损失。若能对这部分无效光加以利用，将将电池片间的漏光反射回组件中，将有效提升组件功率。行业中各种技术丛出不穷，如组件背面使用高反背板、高反背玻璃、白色EVA胶膜等提出诸多
胶膜组件功率提升5瓦甚至更高。目前双面双玻组件的发展速度并未如预期中那么快。从单面双玻组件过渡到双面双玻组件白色胶膜无疑为最优封装材料之一。同时由于逐渐发现白色胶膜也反射穿透电池片的红外光线、对抗PID

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
一次低温退火。图一：(a)传统SHJ太阳能电池的剖面结构图。(b)SHJ电池的主要制造工艺步骤。用于SHJ电池的硅片与所有高性能c-Si太阳能电池的情况一样，硅片质量是实现高效SHJ电池

电站投资商损失惨重。近两年双面发电组件由于可以大幅提升电站投资商收益，所以得到了大规模发展及应用。双面组件的PID问题得到了业界的广泛重视。 PERC双面电池背面的钝化膜AlOx/Si界面
压下，电池片呈低电势，边框呈高电势，Na+会穿过封装材料到达电池片表面。背面阳离子的富集，形成额外的复合中心，如图1所示;AlOx钝化膜中电荷进行重新分布，导致场钝化效果的降低。正面和背面的EQE(图2

/sqr，在电极下的重掺方阻则低于40/sqr。这样的结构有以下三个优点： (1)降低串联电阻，提高填充因子电池的串联电阻由栅线体电阻、前栅与硅表面的接触电阻、扩散层薄层电阻、硅片体电阻、背电极
(n++ - n+)高低结，和传统结构相比，还可提高开路电压。一次扩散SE电池制备方案氧化层淹膜扩散印刷法此为Centrotherm的turnkey line制备方案。该方案要点是

，由于存在一个横向的(n++ - n+)高低结，和传统结构相比，还可提高开路电压。一次扩散SE电池制备方案 1、氧化层淹膜扩散印刷法此为Centrotherm的turnkey line
种子层。代替的方案有： (1)fineline priting印刷小于80m的细栅。但要提高电池效率，印刷浆料必须(a)在低表面浓度下也能保证低接触电阻，或者(b)本身含磷掺杂源并在烧结时能扩散入