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。下一页余下全文2015年5月份，保利协鑫旗下成立宁夏协鑫晶体科技发展有限公司，从2016年第一季度开始生产单晶硅片。不过，保利协鑫并不愿在普通直拉单晶上进行重复投资，而是潜心于高效N型

直接影响公司未来的营业成本。2008年以来，受到金融危机和上游晶体硅新增产能开始释放的影响，目前组件价格已经大幅度下滑并趋于平稳。然而，如未来组件和硅片价格大幅度上升，则公司新建项目的投资成本将增加
，公司实际经营情况与计划、预测之间差异的可能性。（八）公司已在本报告摘要中详细描述了可能存在的经营风险，包括行业政策风险、光伏电站运营风险、光伏组件及硅片价格变动风险、财务风险等，详情敬请查阅本报

存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴
需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶

编者按：在ink"光伏行业中存在一个讨论较多的问题单多晶之争，今天我们试从材料工艺、市场占有率、组件衰减率、温度系数、成本与效率等几个方面进行讨论。材料工艺单晶硅与多晶硅的晶体生长工艺不同，单晶硅的
晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多。也决定了两种材料在晶体品质、电学性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。市场占有率市场占有率是产品市场需求最

破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长，许多环节都可能造成电池片隐裂(据西安交大杨宏老师的资料，仅电池生产阶段就有约200种原因)。隐裂产生的本质原因，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。近几年
行业所公认，但在组件和电池片两个方面组件产生PID现象的机理尚不明确，相应的进一步提升组件的抗PID性能的措施仍不清楚。 3电池片隐裂隐裂是电池片的缺陷。由于晶体结构的自身特性，晶硅电池片十分容易发生

基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P-N结。当光线照射太阳能电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在
最丰量的材料之一。自从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。20世纪末，我们的生活中处处可见硅的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的

11月2日上午2016国际光伏产业技术标准及智能大会在无锡君来世尊酒店一楼梅花大厅B举行，无锡尚德应邀出席大会，会上无锡尚德太阳能电力有限公司高级主任工程师陈如龙先生作了关于尚德高效晶体
无锡尚德在单、多晶PERC最新研究进展作了全面的讲述：单晶硅片技术方面通过金刚线切片技术导入和硅片尺寸增大来提升;电池工艺方面通过表面浓度下降到2*1020/cm3和结深增加0.15um来优化电池扩散工艺

索比光伏网讯:11月2日上午2016国际光伏产业技术标准及智能大会在无锡君来世尊酒店一楼梅花大厅B举行，无锡尚德应邀出席大会，会上无锡尚德太阳能电力有限公司高级主任工程师陈如龙先生作了关于尚德高效
晶体硅太阳能电池和组件技术进展主题报告。演讲先由PERC的研发背景引入：常规电池背表面光学和电学损失制约了效率的提升，而钝化发射极背接触电池（PERC）结构可大幅度提升电池效率：1、大幅降低背表面电学

主打产品多晶硅耗电量已从10年前的每千克165度电降至不超过25度电，多晶硅的生产成本也从10年前的每千克165美元降至11美元左右，而通过对晶体结构的改善、热场工艺的升级、表面结构的改进，硅片转换效率
科技发展有限公司。前者是全球最大的多晶硅制造厂，后者则是全球最大的晶体硅方锭供应方。正是在这两家工厂的支撑下，保利协鑫仅用短短10年，便从一家名不见经传的企业，成长为全球最大的光伏材料制造商。光伏产业

PN结，顾名思义，是由P和N所打成的一个结。这个结的构造，是太阳能电池能够发电的关键。我们以目前主流的晶体硅来看：P型，即是在硅晶体中掺入硼元素，将硼放入硅中。进入硅中的硼原子与硅原子发生替换，因为
路过空穴周围，很容易就会来插一手（填充），根据异性相吸的原理，我们可以把这些空穴理解为正电荷，并假设这些正电荷是可以移动的。这样，P型硅晶体因为含有一定浓度的空穴，就具备了拥有导电性能的基础。如果这些掺入硅

索比光伏网讯:PN结，顾名思义，是由P和N所打成的一个结。这个结的构造，是太阳能电池能够发电的关键。我们以目前主流的晶体硅来看：P型，即是在硅晶体中掺入硼元素，将硼放入硅中。进入硅中的硼原子与硅原子
束缚电子路过空穴周围，很容易就会来插一手（填充），根据异性相吸的原理，我们可以把这些空穴理解为正电荷，并假设这些正电荷是可以移动的。这样，P型硅晶体因为含有一定浓度的空穴，就具备了拥有导电性能的基础

的缺陷。由于晶体结构的自身特性，晶硅电池片十分容易发生破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长，许多环节都可能造成电池片隐裂（据西安交大杨宏老师的资料，仅电池生产阶段就有约200种原因）。隐裂产生的本质原因
，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。近几年，晶硅组件厂家为了降低成本，晶硅电池片一直向越来越薄的方向发展，从而降低了电池片防止机械破坏的能力。 2011年，德国ISFH公布了他们的研究结果