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光致衰减初始的光致衰减，即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降，但随后趋于稳定。导致这一现象发生的主要原因是P型（掺硼）晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变P型掺杂剂
棒工艺不过关，晶体硅中氧含量过高，内应力大，位错缺陷密度高，电阻率不均匀，都直接影响了太阳电池的效率及稳定性。我们希望改进拉棒工艺。控制氧含量。用上述几种硅片制作的电池有较大幅度的早期光致衰减，会

硅棒切割成符合要求的硅片的过程。线切割方式对切割脆性晶体切片的加工表面机械损伤层较浅；加工温度较低，适于切割易脆裂材料；切割绝缘体不会引起崩碎；可切割精密窄缝；适宜大尺寸切片，因此，线切割在硬脆材料的
标准对硅片进行分级并进行包装入库。通过分检将硅片分为A1、A2、B级和报废四个等级。四、影响切片工艺的七大因素1.切割液（PEG）的粘度由于在整个切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行

普及。之所以说金刚线切割本质上有利于单晶路线是因为单晶硅片应用金刚切效果更好，成本下降更显著。之所以如此是因为多晶铸锭的生产过程使得其内部晶格序列不完全一致，内部晶体的硬质点导致线材的消耗量增加；而
单晶准方锭由于内部晶体序列整齐排列，切割起来更加容易。多晶硅片是今年才刚开始普及金刚线切割，又主要使用的是改造机，所以在切割数据上落后很多，但相对于单晶硅片，未来优化的空间更大。根据我们在产业一线的调研

。之所以说金刚线切割本质上有利于单晶路线是因为单晶硅片应用金刚切效果更好，成本下降更显著。之所以如此是因为多晶铸锭的生产过程使得其内部晶格序列不完全一致，内部晶体的硬质点导致线材的消耗量增加；而单晶准
方锭由于内部晶体序列整齐排列，切割起来更加容易。多晶硅片是今年才刚开始普及金刚线切割，又主要使用的是改造机，所以在切割数据上落后很多，但相对于单晶硅片，未来优化的空间更大。根据我们在产业一线的调研和

能力承接切片代工。做为战略合作方，中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉，并加快晶体生长速度，可以增加30%以上铸锭产能，并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。（来源：中国证券报·中证网）

以上的切片产能，目前已有富余能力承接切片代工。做为战略合作方，中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉，并加快晶体生长速度，可以增加30%以上铸锭产能，并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。

产能，目前已有富余能力承接切片代工。做为战略合作方，中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉，并加快晶体生长速度，可以增加30%以上铸锭产能，并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。

，B5机台改造难题也已经突破量产在即，改造成本为买专机的十分之一，金善明自信的说。随着金刚线在多晶硅片领域的规模推广，切片端单晶成本优势不再。单晶和多晶的差异仅在长晶端。阿特斯技术总监王栩生的报告显示
成本的下降取决于于线径和硅片厚度的降低。随着多晶铸锭晶体硬质点的减少，金刚线强度的增加，单多晶切割将共同迈向细线化，钟建明在会上公布了岱勒新材金刚线细线化路线图：2017年单晶主流线径65m，多晶

的机械损伤层，并在其表面进行凹凸面处理，增加光的折射次数;扩散采用进口CT扩散炉，以液态POCl3作为扩散P源，采用背靠背扩散方式，在硅片表面形成PN结，即在晶体内部实现P型和N型半导体的接触;去
方阻与无网结网版匹配性对电性能参数的影响。实验二:在生产前对原硅片进行分选，实验分为3组，每组400片;分别采用不同正银浆料，实验A组使用帝科正银浆料，实验B组使用杜邦正银浆料，实验C组使用晶银

的电性能衰减。1997年J.Scht等证实硼掺杂Cz晶体电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心，从而使少子寿命降低，引起电池转换效率下降。2006年A.Herguth
产业化前景。1.引言由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命，使其占据全球光伏市场约90%份额。理论上讲，不管是掺硼的P型硅片还是掺磷的N型硅片都可以用来制备

新型晶体硅太阳电池 1常规设备的改进 2常规BSF电池的关键技术：黑硅技术表3：金刚线切割多晶硅片的常规织绒技术还未解决单晶硅电池与多晶硅电池的差距在缩小
Al-B-BSF掺硼铝背场 base1ms_1ms P型硅片 4BB4主栅 Multi wire多主栅 finger10m_10m栅线空心材料的改进实心结构的改进资料来源：B