完全能满足薄片化的需要,但硅片厚度还要满足下游电池片、组件制造端的需求。目前多晶硅片平均厚度在180um,P型单晶硅片和TOPCon电池的N型单晶硅片厚度都在175um,用于异质结电池的硅片厚度可降到 导电胶+低温固化的方案取代了常规的涂锡铜带+助焊剂+高温焊接的方案:
A
●一方面降低了70%的电池片互联产生的串联电阻。
B
●另一方面避免了高温焊接带来的应力、焊接不良和隐裂等诸多问题,大幅
b) 面板/背板的耐候性要求
移除了所有open rack的引用并更新为与98分位温度(T98th)相关的应用安装方式(详见IEC 63126)
防护等级为Class 0的组件(应用于有限 等级3相关的部分,因为通过了IEC61730-2要求的组件已经不适用此污染等级
b) 增加了最小的DTI的要求为包含最小0.030 mm的厚度(出于对针孔状缺陷的考虑)
c) 表3中,需要加强绝缘