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　　提到光伏界的疯狂，业内便会联想到赛维LDK，因为LDK就意为超越光速。当年，这家号称全球最大的太阳能多晶硅片生产商仅用了两年时间就实现从无到有、继而赴美上市的奇迹，还创下中国企业
。 8 9 10 11 下一页笔者在位于新余市国家级高新技术开发区的赛维公司看到，这个集多晶硅片、电池和组件生产的总部基地内部，不少厂房大门紧闭，厂房与厂房之间的道路上偶有几个

多晶硅方面，本周最低报价来到$17.5/kg，相关业者表示未来价格仍有机会破底，跌势尚未停止；本周平均价格小幅滑落至$20.093/kg，跌幅为0.17%；在多晶硅硅片方面，非正规品仍为交易的大宗，目前
单晶硅硅片方面，相关业者仍与高效多晶产品的竞逐有限的订单，价格走势持续下滑，本周平均价格跌破$1.3/piece，来到$1.298/piece，跌幅为1.74%。电池与组件方面，目前非正规品(B规)成为

停止向其提供运作资金，挪威太阳能硅片公司REC Wafer不得不申请破产。欧洲最大光伏硅片企业之一REC Wafer二季度曾要求台湾下游太阳能企业遵守供应合同。业内人士表示，2008年第二、三季度，很多
台湾光伏电池制造与REC Wafer签署供应合同。在下游公司支付保证金之前，突然而至的金融危机令该企业将重心放在应对危机之上。2010年，市场需求回暖，多晶硅价格从每公斤400美元下跌至每公斤100

4个新标准提案是：1.电感耦合等离子体光谱法测量光伏多晶硅用工业硅粉中B, P, Fe, Al, Ca的含量；2.关于在感应炉燃烧后用红外线测定硅粉中总碳量的测试方法；3.薄膜光伏组件光衰减测试方法
中国光伏标准技术委员会下设的光伏硅片工作组、晶体硅光伏组件工作组、晶体硅太阳能电池金属浆料工作组、多晶硅包装材料工作组、光伏扩散炉测试方法工作组，分别介绍了各自的工作进展，包括成员招募和标准起草等情况

如无可挑剔的质量，流程优化及防治流程故障被硅片生产迫切要求。在PVSEC展会上，用自己开放式设计的展台（展厅Hall 3.0，展台 J23）阿诺德将展示3D动画介绍单，多晶硅处理和自动化方案。经验丰富的
硅片生产迫切要求。德国威尔堡的阿诺德是为数不多的被去世界承认的公司，提供集于一体的应用广泛的硅锭处理和自动化技术。持续降低成本甚至永久质量集约化只有通过整个生产过程的高度自动化才能被实现。成功的保证

宁波的晶元太阳能就是如此。据该公司负责人介绍，虽然现在形势很严峻，但是公司一直在满负荷生产，这得益于其一直努力改进生产工艺，提高产品效率的努力。据了解，公司还引进了新的生产设备用于生产高效多晶硅片
）的硅片生产。这已造成600名员工失去工作。未来，Schott仅仅预计公司将继续在德国开发高效电池及组件产品。除此以外，公司将增强其在项目开发领域的地位。　　四、昱辉青海20兆瓦项目CDM 获发改委

与中国某知名光伏组件制造商签订，项目使用了清源科技的清源易捷地面光伏安装方案。据介绍，该工程使用有框多晶硅电池板，采用的是清源科技自主研发的清源易捷STI-B碳钢方案。清源易捷STI-B为碳钢产品
。下一页　　七、茂迪宣布终止与国外某硅片厂长期购料合约台湾太阳能光伏大厂茂迪昨日宣布因太阳能市况变动，终止与国外某硅片厂长期购料合约，并拟重新议价一次购足

材料的转化率非常高，可达到40%多，相比之下我们传统的以多晶硅为原材料的太阳能光伏电池的转化率只有百分之十几。不过，孟宪淦随后补充说，这种双翼采用了航天技术，目前仅用于航空材料，其造价达到每瓦数千
贵族之称。砷化镓到底有多贵？在同样的环境下，用砷化镓制造的太阳能电池板发起电来每瓦需要数千元，而我们现在使用的多晶硅太阳能电池板每瓦的发电成本不会超过6元钱。虽然这位半导体贵族没有被普遍运用在发电领域

江西晶大确实已经停产。据了解，江西晶大于2007年11月落户江西南昌桑海经济技术开发区，主要专精于从事多晶硅原生料、单晶硅，硅片等半导体材料研发、生产和销售为一体的实业公司。该公司于08年多晶硅
）提出诉讼，状告贺利斯与SolarWorld侵犯杜邦的前板银浆专利技术。这是杜邦第二次对贺利斯提出诉讼，杜邦声称贺利斯侵犯了其美国专利号为8，158，504 B2的技术。杜邦电子的David

AUO SunPower 太阳能电池厂，从多晶硅、硅锭、硅片、太阳能电池及组件上下游整合，打造出高效率的垂直整合太阳能价值链，并已成功于欧、亚、非洲等区域建立多项大型太阳能电厂项目。BenQ 太阳能目前
欧洲推出组件效率超过20%的 PM318B00 高效率太阳能组件，并将在2013年初上市。BenQ 太阳能近来也与合作伙伴于德国杜塞道夫机场打造全球最大位于飞航管制区的太阳能项目，以及在英国建立当地最大

高质量的硅片进行氧化,在表面形成一层SiO2,然后通过ZMR(Zone2meltingrecrystallization),在衬底上生长出大面积多晶硅薄膜,随后通过腐蚀,在硅薄膜上制作出面积约为
,从而使开路电压得以提高。在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散以形成n+前表面场,提高短波响应。背面电极与硅片之间通过SiO2钝化层中的接触孔实现了点接触,减少了金属电极与硅片的接触面积,进一步降低