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平台所打造的革新性产品，在双面微晶技术以及低银含浆料、钢边框等材料工艺加持下，降本增效及碳减排优势显著，不仅具备极稳定的温度系数及超高双面率，30年产品功率保持率超90%，碳足迹数值可低至
分布式光伏系统亮相。本次参展推出的TOPCon和HJT组件新产品的光电转换效率均超过23%。其中，采用矩形硅片、功率635W的182Pro组件，尤其适合分布式应用;以及功率高达735W的210双面

pSPEER太阳能电池截面示意图。该结构类似于双面PERC电池，具有原生SiO2覆盖的边缘。(b)经PET工艺后，pSPEERPET太阳能电池全部沉积一层钝化层(AlOx)，包括最重要的切割边(绿色)。在图
化学蚀刻，最后热生长二氧化硅(SiO2)或多晶硅来钝化沟槽。建议在切割处进行强掺杂，通过表面场效应排斥边缘载流子。据报道，通过边缘湿化学处理，电池边缘生长SiO2可以起到钝化效果。介绍了对电池的两个几十

2023年底，包括多晶硅、硅片、电池片、组件等的有效产能都将超过700吉瓦。然而，中国光伏行业协会名誉理事长王勃华预测，2023年全球新增装机量将达到280-330吉瓦，我国光伏新增装机量将达到
电池片价格下跌35.56%，G12单晶PERC电池片价格下跌31.93%;M10单晶单面PERC组件价格下跌24.81%，G12单晶单面PERC组件下跌23.74%，M10单晶双面PERC组件价格

1953毫米，其中汛期(5月-10月)平均降水量为1594.4mm，年紫外(UVA和UVB)辐照量约为年总辐射量的5.6%。实证项目图如下所示。实证N型组串实证P型组串实证电站安装了N型双面组件(采用
一道新能N型TOPCon电池)和P型PERC双面组件各一组，每种组件装机容量5kW左右(N型与P型组件均以9片一组)，接入组串式逆变器(SUN2000-60KTL)并网发电，项目采用可调式固定支架，倾角为

，取得了令人瞩目的成绩。前三季度，我国光伏制造端四个主产业链环节产量已经比去年全年产量基本持平。其中，多晶硅产量超过50万，硅片产品超过120GW，电池片产量超过195GW，组件产量超过175GW，在应用
技术革命已经到来，CPIA预计到2031年，N型电池技术的市场份额会突破50%，将有超过150GW的市场需求，一道新能是N型技术的引领者，2018年建成1.2GW我国首条N型双面TOPCon电池生产

隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivating Contacts)，是一种使用超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层作为钝化层结构的太阳电池，同时兼具良好的接触性能，可以极大地提升
(ISFH) 下属的检测实验室认证，同年，天合光能 i-TOPCon 双面电池大规模量产正面平均转换效率突破 23%。2021 年，晶科能源 TOPcon 电池在权威第三方测试认证机构日本 JET

8月17日，华润电力第五批光伏项目光伏组件设备集中采购中标候选人公示，通威太阳能、亿晶光电、隆基入3家企业入围。根据招标公告，华润电力本次集采规模为3GW，其中双面545W组件2.9GW，单面
，通威已经成为当前太阳能行业最大的多晶硅生产商，也是全球最大的太阳能电池生产商。在过去几年中，公司销售额增长了两倍。营业利润率通常在个位数左右(2021年和2022年较高)，公司的净资本比率(长期债务

6月15日，硅业分会发布最新太阳能级多晶硅价格，本周国内多晶硅价格继续维持微涨走势，单晶复投料、单晶致密料、单晶菜花料成交均价涨幅在0.4%左右。具体表现为，单晶复投料价格区间在
，价格高涨，另一方面多晶硅新增产能在加快推进。CPIA报告显示，预计2022年全球多晶硅新增加产能将达47万吨，其中含韩国OCI的马来西亚0.5万吨/年，其他46.5万吨全部在中国。根据

。 TOPCon 电池：全称隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivating Contacts)，是一种使用超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层作为钝化层结构的太阳电池，同时兼具良好的接触性能
哈梅林太阳能研究所(ISFH) 下属的检测实验室认证，同年，天合光能 i-TOPCon 双面电池大规模量产正面平均转换效率突破 23%。2021 年，晶科能源 TOPcon 电池在权威第三方测试认证

环节看，TOPCon相比PERC增加/替换的主要设备为B扩散、隧穿氧化层及poly Si沉积设备，其余环节基本与PERC产线兼容。光伏设备专家介绍，老旧PERC产能改扩建TOPCon，可采用管式
在于减薄多晶硅层厚度和提升掺杂浓度，以提升钝化效果和增加长波长光谱响应。同时，在保证效率的同时将工艺窗口做大、保证量产工艺的稳定性，是当前量产最大的挑战。一道新能持续进行LPCVD设备优化和工艺优化，保证

P型硅相比，N型硅少子寿命更长，对Fe等金属有更高的容忍度，以N型硅为基底的电池片理论转换效率更高，且不会发生由于B-O复合体导致的LID(Light Induced Degradation)光致
退火重结晶加强钝化效果。最终会形成一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层，同时阻挡

。值得一提的是，该电池采用了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的新型多晶硅化物薄膜，可显著增强表面钝化、降低中长波段寄生吸收，同时兼顾载流子选择性收集，能够全面提升填充因子、短路电流及开路
电压，展现出了巨大的产业应用潜力。图1丨福建计量科学研究院国家光伏产业计量测试中心认证报告截图图2丨(a)中科院宁波材料所TOPCon电池结构示意图;(b

PVSEC 光伏大会上德国 Fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层 1～2nm 的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为
实现全区域的钝化接触，采用高质量的超薄氧化硅和掺杂多晶硅层，实现全背面的高效钝化和载流子选择性收集;6. TOPCon隧穿钝化原理跟现有PERC相比

T1的偏差值从5s改为3.12s; 依旧需要讨论的问题：是否需要删除ClassIII组件的几个测试; 超大组件是否启用新的附录; 关于B序列中紫外老化测试时两块组件是否可以并联并行
; 对于标准中单面照射和双面照射的描述，项目组提议引用IEC TS 60904-1-2和IEC 61215对于单面照射的定义，保留IEC 60891对于双面照射的定义文字。 IEC 63342

完全能满足薄片化的需要，但硅片厚度还要满足下游电池片、组件制造端的需求。目前多晶硅片平均厚度在180um，P型单晶硅片和TOPCon电池的N型单晶硅片厚度都在175um，用于异质结电池的硅片厚度可降到
导电胶+低温固化的方案取代了常规的涂锡铜带+助焊剂+高温焊接的方案： A ●一方面降低了70%的电池片互联产生的串联电阻。 B ●另一方面避免了高温焊接带来的应力、焊接不良和隐裂等诸多问题，大幅

测试加严热斑试验 BIPV项目组近期的动态关于IEC TS 60904-1-2 双面组件的电流电压特性测量的报告关于导电胶的测试方法提案的工作报告组件标准 IEC 61215 系列
Philips) 目前CDV草案已于9月提交。项目组长Nancy Philips介绍了评论收集情况，并介绍了自春季会议后草稿中新的更新，标准更新内容包括：将双面的词汇和MST 57：电气间隙、爬电距离和

Sierpe项目提供26MW的高效太阳能光伏组件。据悉，La Sierpe项目位于哥伦比亚苏克雷省，由AAGES开发和建设，是哥伦比亚的第二大项目，也是第一个采用双面双玻组件的项目。此次东方日升为该项
目提供Jaeger 144半片单晶PERC双面双玻组件，预计将在2020年7月完成交付。东方日升发布公告称，公司第三届董事会第四次会议审议通过了《关于在马来西亚投资建设年产3GW高效太阳能电池

531政策前的产业，彼时光伏产业硅料以海外和中国东部区高电价低品质老产能为主，硅片环节以多晶硅片为主，硅片掺杂以掺硼为主，硅片尺寸以156.75mm为主、电池片技术以BSF技术为主、组件封装以5BB整片
来不及折旧便已被淘汰、新知识来不及去学习便已过时，这就是对光伏产业过去两年最好的注解。回顾总结一下，过去两年技术之所以进步如此迅速是因为产业技术路线由多晶硅片切换到单晶硅片过程中在产业方方面面引爆技术革新

) 10至60瓦，包括矩形太阳能电池板，其中电池板具有以下特征： (A)长度为250 mm或以上，但不超过482 mm或宽度为400 mm或以上但不超过635 mm; (B)表面积为1000 cm 2或
mm; (4)离网和便携式CSPV组件，无论是折叠式还是刚性形式，包含玻璃罩，其中组件具有以下特征： (A)每个组件的总功率输出不超过100瓦; (B)每个组件的最大表面积为8000平方厘米